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1. 发明专利

TW201600242A 拋光墊修整器审中-公开
简体标题：抛光垫修整器
公开(公告)号：TW201600242A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103120952
申请日：2014-06-18
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , 王嘉群 , 邱家豐 , 林欣穎
IPC分类号： B24B53/02 , B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017
摘要：本創作提供一拋光墊修整器，其包含：一基板，其包含複數內凹成型於該基板之表面的內凹部；複數固定基座，各固定基座包含一底部、一頂部、至少一凹槽與一斜面，該底部設於對應之內凹部內，該頂部接合於該底部，所述之凹槽內凹成型於該頂部，該斜面自該頂部與該底部之接觸面往該凹槽傾斜成型，且該斜面與該內凹部之側壁間具有一夾角與一容置空間；與複數設於所述之凹槽內的磨料。本創作對拋光墊進行修整時，拋光墊於該容置空間中彈回其自然厚度，不再受限於磨料尺寸，使得磨料增加對拋光墊之切削深度，藉此增加切削、修整的效果。
简体摘要：本创作提供一抛光垫修整器，其包含：一基板，其包含复数内凹成型于该基板之表面的内凹部；复数固定基座，各固定基座包含一底部、一顶部、至少一凹槽与一斜面，该底部设于对应之内凹部内，该顶部接合于该底部，所述之凹槽内凹成型于该顶部，该斜面自该顶部与该底部之接触面往该凹槽倾斜成型，且该斜面与该内凹部之侧壁间具有一夹角与一容置空间；与复数设于所述之凹槽内的磨料。本创作对抛光垫进行修整时，抛光垫于该容置空间中弹回其自然厚度，不再受限于磨料尺寸，使得磨料增加对抛光垫之切削深度，借此增加切削、修整的效果。

2. 发明专利

TW201505767A 鑽石篩選裝置审中-公开
简体标题：钻石筛选设备
公开(公告)号：TW201505767A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102128225
申请日：2013-08-07
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 廖文仁 , LIAO, WEN JEN , 陳仁風 , CHEN, JEN FENG
IPC分类号： B24B53/017 , B24B53/12
CPC分类号： B07C5/3422 , B25J9/0093 , B25J15/0616 , G05B19/4182 , G05B2219/40554 , G05B2219/40564 , G05B2219/40607 , G06T7/0006 , G06T2207/30108 , Y02P90/083
摘要：本發明係有關於一種鑽石篩選裝置，包括：一工作台，包括有一工作台平面；一輸送帶，組設於該工作台之該工作台平面，用以承載一鑽石陣列單元；一取像裝置，組設於該工作台上，且該取像裝置與該輸送帶相對平行於該工作台平面，用以對該鑽石陣列單元之不同區域產生一個或複數個擷取影像；一顯示裝置；以及一影像辨識模組，電性連接於該取像裝置及該顯示裝置，該影像辨識模組對該擷取影像進行一幾何特徵參數分析以判定該鑽石陣列單元之一個或複數個風險鑽石
简体摘要：本发明系有关于一种钻石筛选设备，包括：一工作台，包括有一工作台平面；一输送带，组设于该工作台之该工作台平面，用以承载一钻石数组单元；一取像设备，组设于该工作台上，且该取像设备与该输送带相对平行于该工作台平面，用以对该钻石数组单元之不同区域产生一个或复数个截取影像；一显示设备；以及一影像辨识模块，电性连接于该取像设备及该显示设备，该影像辨识模块对该截取影像进行一几何特征参数分析以判定该钻石数组单元之一个或复数个风险钻石

3. 发明专利

TW201442825A 化學機械研磨修整器之尖點檢測方法及裝置审中-公开
简体标题：化学机械研磨修整器之尖点检测方法及设备
公开(公告)号：TW201442825A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102116517
申请日：2013-05-09
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 廖文仁 , LIAO, WEN JEN
IPC分类号： B24B49/18
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/12 , B24B49/18
摘要：本發明係有關於一種化學機械研磨修整器之尖點檢測方法及裝置，包括：提供一染色裝置，係包括一染色層；提供一化學機械研磨修整器，其含有一基板、一結合層、及複數個研磨顆粒，該些研磨顆粒係藉由該結合層以固定於該基板上；將該化學機械研磨修整器之該些研磨顆粒朝向該染色裝置，並提供一向下作用力使該化學機械研磨修整器接觸於該染色層；以及將該化學機械研磨修整器與該染色裝置進行分離，使具有一特定突出高度之研磨顆粒形成表面附著有該染色層之一染色研磨顆粒，且該染色研磨顆粒係判定為破壞該化學機械研磨修整器平坦度之缺陷。
简体摘要：本发明系有关于一种化学机械研磨修整器之尖点检测方法及设备，包括：提供一染色设备，系包括一染色层；提供一化学机械研磨修整器，其含有一基板、一结合层、及复数个研磨颗粒，该些研磨颗粒系借由该结合层以固定于该基板上；将该化学机械研磨修整器之该些研磨颗粒朝向该染色设备，并提供一向下作用力使该化学机械研磨修整器接触于该染色层；以及将该化学机械研磨修整器与该染色设备进行分离，使具有一特定突出高度之研磨颗粒形成表面附着有该染色层之一染色研磨颗粒，且该染色研磨颗粒系判定为破坏该化学机械研磨修整器平坦度之缺陷。

4. 发明专利

TWI583496B 化學機械研磨修整器之尖點檢測方法及裝置有权
简体标题：化学机械研磨修整器之尖点检测方法及设备
公开(公告)号：TWI583496B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102116517
申请日：2013-05-09
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 廖文仁 , LIAO, WEN JEN
IPC分类号： B24B49/18
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/12 , B24B49/18

5. 发明专利

TWI546159B 可控制研磨深度之化學機械研磨修整器有权
简体标题：可控制研磨深度之化学机械研磨修整器
公开(公告)号：TWI546159B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103113392
申请日：2014-04-11
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 鄭忠義 , CHENG, CHUNG YI
IPC分类号： B24B53/02 , B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017

6. 发明专利

TWI511836B 化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法有权
简体标题：化学机械研磨修整器之检测设备及方法
公开(公告)号：TWI511836B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102116516
申请日：2013-05-09
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 廖文仁 , LIAO, WEN JEN , 陳仁風 , CHEN, JEN FENG , 林逸婷 , LIN, YI TING
IPC分类号： B24B49/18
CPC分类号： B24B49/12 , B24B49/186 , B24B53/017

7. 发明专利

TW201434585A 貼合式化學機械研磨修整器及其製法审中-公开
简体标题：贴合式化学机械研磨修整器及其制法
公开(公告)号：TW201434585A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109202
申请日：2013-03-15
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 鄭忠義 , CHENG, CHUNG YI
IPC分类号： B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017 , B24D18/00 , B24D18/0072
摘要：本發明係有關於一種貼合式化學機械研磨修整器及其製法，包括：一底部基板，其具有一中心突出部；一研磨單元結合層，係設置於該底部基板之外圈表面上；以及複數個研磨單元，係設置於該研磨單元結合層上；其中，該些研磨單元係具有一扇形外型，並沿著該底部基板之該中心突出部而排列形成一不連續之環狀外型。藉此，本發明可利用底部基板之中心突出部調整該些研磨單元之排列，並有效改善化學機械研磨修整器表面在加熱硬化過程中所造成之熱變形問題，進而提升化學機械研磨修整器之表面平坦度。
简体摘要：本发明系有关于一种贴合式化学机械研磨修整器及其制法，包括：一底部基板，其具有一中心突出部；一研磨单元结合层，系设置于该底部基板之外圈表面上；以及复数个研磨单元，系设置于该研磨单元结合层上；其中，该些研磨单元系具有一扇形外型，并沿着该底部基板之该中心突出部而排列形成一不连续之环状外型。借此，本发明可利用底部基板之中心突出部调整该些研磨单元之排列，并有效改善化学机械研磨修整器表面在加热硬化过程中所造成之热变形问题，进而提升化学机械研磨修整器之表面平坦度。

8. 发明专利

TW201434584A 化學機械研磨修整器及其製法审中-公开
简体标题：化学机械研磨修整器及其制法
公开(公告)号：TW201434584A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102109201
申请日：2013-03-15
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 鄭忠義 , CHENG, CHUNG YI
IPC分类号： B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017 , B24B53/12 , B24D7/18
摘要：本發明係有關於一種化學機械研磨修整器及其製法，包括：一平面基板，係具有一平坦表面；一結合層，係設置於該平面基板之表面；以及複數個研磨顆粒，係埋設於該結合層表面，並藉由該結合層使其固定於該平面基板之表面；其中，該平面基板係藉由一非平面基板在結合層硬化期間之變形補償而形成，使該些研磨顆粒之尖端具有一平坦化高度。藉此，本發明可有效改善化學機械研磨修整器之基板在加熱硬化過程中所造成之熱變形問題，進而提升化學機械研磨修整器之表面平坦度。
简体摘要：本发明系有关于一种化学机械研磨修整器及其制法，包括：一平面基板，系具有一平坦表面；一结合层，系设置于该平面基板之表面；以及复数个研磨颗粒，系埋设于该结合层表面，并借由该结合层使其固定于该平面基板之表面；其中，该平面基板系借由一非平面基板在结合层硬化期间之变形补偿而形成，使该些研磨颗粒之尖端具有一平坦化高度。借此，本发明可有效改善化学机械研磨修整器之基板在加热硬化过程中所造成之热变形问题，进而提升化学机械研磨修整器之表面平坦度。

9. 发明专利

TWI530361B 化學機械研磨修整器及其製法有权
简体标题：化学机械研磨修整器及其制法
公开(公告)号：TWI530361B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW101141305
申请日：2012-11-07
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 張凱翔 , CHANG, KAI HSIANG , 鄭忠義 , CHENG, CHUNG YI , 廖文仁 , LIAO, WEN JEN
IPC分类号： B24B37/20
CPC分类号： B24B53/017 , B24D18/0009

10. 发明专利

TW201538277A 可控制研磨深度之化學機械研磨修整器审中-公开
简体标题：可控制研磨深度之化学机械研磨修整器
公开(公告)号：TW201538277A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103113392
申请日：2014-04-11
申请人：中國砂輪企業股份有限公司 , KINIK COMPANY
发明人：周瑞麟 , CHOU, JUI LIN , 王嘉群 , WANG, CHIA CHUN , 邱家豐 , CHIU, CHIA FENG , 鄭忠義 , CHENG, CHUNG YI
IPC分类号： B24B53/12 , B24B49/18
CPC分类号： B24B53/017
摘要：本發明係有關於一種可控制研磨深度之化學機械研磨修整器，包括：一底部基板；一結合層，設置於底部基板上；複數個研磨單元，設置於結合層上，每一研磨單元具有一研磨層及一研磨單元基板，研磨層為利用化學氣相沉積法所形成之鑽石鍍膜，且具有複數個研磨尖端；以及複數個研磨終止單元，設置於結合層上，；其中，該些研磨尖端係高出於該些研磨終止單元表面，且研磨單元及研磨終止單元之間具有一突出高度，並藉由該突出高度以控制被研磨工件的研磨深度。
简体摘要：本发明系有关于一种可控制研磨深度之化学机械研磨修整器，包括：一底部基板；一结合层，设置于底部基板上；复数个研磨单元，设置于结合层上，每一研磨单元具有一研磨层及一研磨单元基板，研磨层为利用化学气相沉积法所形成之钻石镀膜，且具有复数个研磨尖端；以及复数个研磨终止单元，设置于结合层上，；其中，该些研磨尖端系高出于该些研磨终止单元表面，且研磨单元及研磨终止单元之间具有一突出高度，并借由该突出高度以控制被研磨工件的研磨深度。

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