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1. 发明专利

TW544984B 半導體裝置的製法有权
简体标题：半导体设备的制法
公开(公告)号：TW544984B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091112060
申请日：2002-06-05
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：谷村純二 , 田代賀久 , 阿部真司 , 笠井信之 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 八木哲哉
IPC分类号： H01L , H01S
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製法，係包含有：在半導體基板1上設置第1半導體層2的步驟；在該第1半導體層2上設置量子井層180的步驟；在該量子井層180上設置合計膜厚小於500nm的第2半導體層6的步驟；在該第2半導體層6上設置SiO膜7的步驟；以使至少由前述第2半導體層6到前述量子井層180為止的區域中的Si峰值濃度值小於l×1019cm-3的方式，進行由前述SiO膜7上注入Si離子的步驟；以及在進行離子注入步驟之後，進行熱退火，而將位於膜厚方向的量子井層180的部分或是全部無序化的步驟。即使在其有任意的層構造，且上覆蓋層的厚度小於500nm的半導體裝置中，也能夠控制結晶缺陷的產生，並實現量子井層的無序化。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制法，系包含有：在半导体基板1上设置第1半导体层2的步骤；在该第1半导体层2上设置量子井层180的步骤；在该量子井层180上设置合计膜厚小于500nm的第2半导体层6的步骤；在该第2半导体层6上设置SiO膜7的步骤；以使至少由前述第2半导体层6到前述量子井层180为止的区域中的Si峰值浓度值小于l×1019cm-3的方式，进行由前述SiO膜7上注入Si离子的步骤；以及在进行离子注入步骤之后，进行热退火，而将位于膜厚方向的量子井层180的部分或是全部无序化的步骤。即使在其有任意的层构造，且上覆盖层的厚度小于500nm的半导体设备中，也能够控制结晶缺陷的产生，并实现量子井层的无序化。

2. 发明专利

TW535335B 半導體裝置之製造方法(二) 失效
简体标题：半导体设备之制造方法(二)
公开(公告)号：TW535335B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW091105186
申请日：2002-03-19
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：川津善平 , 八木哲哉
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L21/30612
摘要：一種半導體裝置之製作方法。一異質接合結構包含有一AlxGa1-xAs(0
简体摘要：一种半导体设备之制作方法。一异质接合结构包含有一AlxGa1-xAs(0

3. 发明专利

TW465154B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW465154B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089114813
申请日：2000-07-25
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：川津善平 , 宮下宗治 , 八木哲哉
IPC分类号： H01S
摘要：本發明係關於一種臨限電流低、電流-光輸出特性之溫度特性惡化少的半導體雷射裝置，由於其包含有:當使用矽(Si)作為基板之n型摻質(dopant)，使用鋅(Zn)作為基板之p型摻質時，將矽雜質濃度設為O.lx10^17cm¯3以上1.5 X10^18cm¯3以下的砷化鎵(GaAs)半導體基板l;配設於該基板上之非摻雜之A10.15Ga0.85As的主動層4;該主動層4上之n-AI0.48Ga0.52As的第一個上包覆層5;以及該第一個上包覆層5上之n-A10.55Ga0.45As的電流塊層7，所以可因降低基板l與n側電極ll之接觸電阻，而防止鋅從第一個上包覆層5擴散至主動層4中，且可有效地進行對主動層之載體封閉，以減少內部損失。
简体摘要：本发明系关于一种临限电流低、电流-光输出特性之温度特性恶化少的半导体激光设备，由于其包含有:当使用硅(Si)作为基板之n型掺质(dopant)，使用锌(Zn)作为基板之p型掺质时，将硅杂质浓度设为O.lx10^17cm¯3以上1.5 X10^18cm¯3以下的砷化镓(GaAs)半导体基板l;配设于该基板上之非掺杂之A10.15Ga0.85As的主动层4;该主动层4上之n-AI0.48Ga0.52As的第一个上包覆层5;以及该第一个上包覆层5上之n-A10.55Ga0.45As的电流块层7，所以可因降低基板l与n侧电极ll之接触电阻，而防止锌从第一个上包覆层5扩散至主动层4中，且可有效地进行对主动层之载体封闭，以减少内部损失。

4. 发明专利

TW200947813A 半導體雷射元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：半导体激光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200947813A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097148161
申请日：2008-12-11
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：八木哲哉
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/028 , H01S5/0202 , H01S5/0282
摘要：【課題】本發明係有關一種利用簡易的方法減低半導體雷射（共振器）與塗膜之交界面的交界面能級之半導體雷射元件及其製造方法，以提供能夠抑制以半導體雷射之光輸出為起因的瞬時光學損傷（COD）之半導體雷射元件及其製造方法為目的。【解決手段】本發明之特徵係為在半導體雷射的劈開面形成由鋰薄膜或鈹薄膜構成的懸鍵終端膜。進一步，在該懸鍵終端膜上形成塗膜。
简体摘要：【课题】本发明系有关一种利用简易的方法减低半导体激光（共振器）与涂膜之交界面的交界面能级之半导体激光组件及其制造方法，以提供能够抑制以半导体激光之光输出为起因的瞬时光学损伤（COD）之半导体激光组件及其制造方法为目的。【解决手段】本发明之特征系为在半导体激光的噼开面形成由锂薄膜或铍薄膜构成的悬键终端膜。进一步，在该悬键终端膜上形成涂膜。

5. 发明专利

TW544983B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW544983B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091109024
申请日：2002-04-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 八木哲哉 , 宮下宗治 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 笠井信之 , 田代賀久 , 谷村純二
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/34
摘要： ﹝課題﹞
獲得具有採用量子阱構造無秩序化程序之窗構造區域的半導體雷射裝置，且可獲得充分高的可靠性、優越溫度特性的半導體雷射裝置。﹝解決手段﹞
半導體雷射裝置係具有窗構造區域，利用矽離子植入、及其後的熱處理而將量子阱構造之活性層無秩序化，藉此而所形成，其中在上述窗構造區域10a及其附近(上覆蓋層9a)均實質的未存在差排環。因此可防止隨差排環所產生的半導體雷射裝置劣化，而可改善半導體雷射裝置的可靠性。
简体摘要： ﹝课题﹞ 获得具有采用量子阱构造无秩序化进程之窗构造区域的半导体激光设备，且可获得充分高的可靠性、优越温度特性的半导体激光设备。﹝解决手段﹞ 半导体激光设备系具有窗构造区域，利用硅离子植入、及其后的热处理而将量子阱构造之活性层无秩序化，借此而所形成，其中在上述窗构造区域10a及其附近(上覆盖层9a)均实质的未存在差排环。因此可防止随差排环所产生的半导体激光设备劣化，而可改善半导体激光设备的可靠性。

6. 发明专利

TW492235B 半導體雷射裝置及其製造方法(一) 失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法(一)
公开(公告)号：TW492235B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090114284
申请日：2001-06-13
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：田代賀久 , 川津善平 , 西口晴美 , 八木哲哉 , 島顯洋
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/162 , H01S2302/00
摘要： [課題]本發明係提供一種對於COD(catastrophic optical damage)劣化搖擺不穩定少的信賴性高的半導體雷射裝置。[解決手段]在振盪波長是770~810nm的半導體雷射10中，將不純物導入半導體雷射端面近旁的MQW活性層16中而形成當作是窗層20的無秩序化領域，然後以勵起光(pumped light)照射該窗層20，並測定該窗層20的光冷光(photo luminescence)的波長λdp1(nm)，然後將當以勵起光照射該活性層16時所發生的光冷光的波長λap1(nm)和當以勵起光照射該窗層20所發生的光冷光的波長λdp1(nm)的差用以當作是藍偏移量(blue shift amount)λb1(nm)，然後經由該藍偏移量λb1來預測在製程途中的步驟之製品的 COD程度。
简体摘要： [课题]本发明系提供一种对于COD(catastrophic optical damage)劣化摇摆不稳定少的信赖性高的半导体激光设备。[解决手段]在振荡波长是770~810nm的半导体激光10中，将不纯物导入半导体激光端面近旁的MQW活性层16中而形成当作是窗层20的无秩序化领域，然后以励起光(pumped light)照射该窗层20，并测定该窗层20的光冷光(photo luminescence)的波长λdp1(nm)，然后将当以励起光照射该活性层16时所发生的光冷光的波长λap1(nm)和当以励起光照射该窗层20所发生的光冷光的波长λdp1(nm)的差用以当作是蓝偏移量(blue shift amount)λb1(nm)，然后经由该蓝偏移量λb1来预测在制程途中的步骤之制品的 COD程度。

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