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2. 发明专利

TW201413978A 形成多晶矽膜之方法、包含多晶矽膜之薄膜電晶體及包含多晶矽膜之顯示裝置审中-公开
简体标题：形成多晶硅膜之方法、包含多晶硅膜之薄膜晶体管及包含多晶硅膜之显示设备
公开(公告)号：TW201413978A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102129085
申请日：2013-08-14
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：孫榕德 , SON, YONG-DUCK , 李基龍 , LEE, KI-YONG , 徐晉旭 , SEO, JIN-WOOK , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE , 李卓泳 , LEE, TAK-YOUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/78672 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L51/52
摘要：一種形成多晶矽膜之方法包含形成非晶矽膜於基板上；於非晶矽膜上吸附金屬催化劑；藉由熱處理製程結晶化非晶矽膜以形成多晶矽膜，多晶矽膜包含晶內區以及殘留有金屬催化劑之晶界；提供相對於晶內區與晶界具有不同氧化選擇性之蝕刻劑；以及藉由蝕刻劑蝕刻多晶矽膜的表面以移除殘留於晶界上之金屬催化劑。
简体摘要：一种形成多晶硅膜之方法包含形成非晶硅膜于基板上；于非晶硅膜上吸附金属催化剂；借由热处理制程结晶化非晶硅膜以形成多晶硅膜，多晶硅膜包含晶内区以及残留有金属催化剂之晶界；提供相对于晶内区与晶界具有不同氧化选择性之蚀刻剂；以及借由蚀刻剂蚀刻多晶硅膜的表面以移除残留于晶界上之金属催化剂。

3. 发明专利

TWI523075B 使矽層結晶之方法及使用該方法形成薄膜電晶體之方法有权
简体标题：使硅层结晶之方法及使用该方法形成薄膜晶体管之方法
公开(公告)号：TWI523075B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100119265
申请日：2011-06-01
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：鄭胤謀 , CHUNG, YUN-MO , 李基龍 , LEE, KI-YONG , 徐晉旭 , SEO, JIN-WOOK , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE , 孫榕德 , SON, YONG-DUCK , 蘇炳洙 , SO, BYUNG-SOO , 朴承圭 , PARK, SEUNG-KYU , 朴炳建 , PARK, BYOUNG-KEON , 李東炫 , LEE, DONG-HYUN , 李吉遠 , LEE, KIL-WON , 李卓泳 , LEE, TAK-YOUNG , 朴種力 , PARK, JONG-RYUK
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/331
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L27/1277

5. 发明专利

TWI436484B 製造薄膜電晶體之活性層之方法有权
简体标题：制造薄膜晶体管之活性层之方法
公开(公告)号：TWI436484B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100100240
申请日：2011-01-04
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：孫榕德 , SON, YONG-DUCK , 李基龍 , LEE, KI-YONG , 徐晉旭 , SEO, JIN-WOOK , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE , 蘇炳洙 , SO, BYUNG-SOO , 朴承圭 , PARK, SEUNG-KYU , 李吉遠 , LEE, KIL-WON , 鄭胤謨 , CHUNG, YUN-MO , 朴炳建 , PARK, BYOUNG-KEON , 李東炫 , LEE, DONG-HYUN , 朴鐘力 , PARK, JONG-RYUK , 李卓泳 , LEE, TAK-YOUNG , 鄭在琓 , JUNG, JAE-WAN
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696

6. 发明专利

TWI433254B 加熱單元及具有其之基板處理設備有权
简体标题：加热单元及具有其之基板处理设备
公开(公告)号：TWI433254B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099125695
申请日：2010-08-03
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：洪鍾元 , HONG, JONG-WON , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE , 羅興烈 , NA, HEUNG-YEOL , 姜有珍 , KANG, EU-GENE , 張錫洛 , CHANG, SEOK-RAK
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46

8. 发明专利

TW201301395A 薄膜電晶體、其製造方法、具有該薄膜電晶體之顯示裝置及製造該顯示裝置之方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管、其制造方法、具有该薄膜晶体管之显示设备及制造该显示设备之方法
公开(公告)号：TW201301395A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101119647
申请日：2012-05-31
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：孫榕德 , SON, YONG-DUCK , 李基龍 , LEE, KI-YONG , 徐晉旭 , SEO, JIN-WOOK , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE , 李卓泳 , LEE, TAK-YOUNG
IPC分类号： H01L21/322 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/66757
摘要：薄膜電晶體包含主動層，其位於基板上，由於金屬觸媒之作用，透過晶體生長而結晶；閘極絕緣層圖樣，其位於主動層之一部分上；閘極電極，其位於閘極絕緣層圖樣之一部分上；抗蝕刻層圖樣，形成於閘極絕緣層圖樣上以覆蓋閘極電極，抗蝕刻層圖樣係與閘極絕緣層圖樣共同延伸；源極電極及汲極電極，其位於主動層及抗蝕刻層圖樣上；以及吸氣層圖樣，其位於主動層、源極電極及汲極電極之間，及位於抗蝕刻層圖樣、源極電極及汲極電極之間，以減少用於主動層之結晶作用之金屬觸媒，吸氣層圖樣係與源極電極及汲極電極共同延伸。
简体摘要：薄膜晶体管包含主动层，其位于基板上，由于金属触媒之作用，透过晶体生长而结晶；闸极绝缘层图样，其位于主动层之一部分上；闸极电极，其位于闸极绝缘层图样之一部分上；抗蚀刻层图样，形成于闸极绝缘层图样上以覆盖闸极电极，抗蚀刻层图样系与闸极绝缘层图样共同延伸；源极电极及汲极电极，其位于主动层及抗蚀刻层图样上；以及吸气层图样，其位于主动层、源极电极及汲极电极之间，及位于抗蚀刻层图样、源极电极及汲极电极之间，以减少用于主动层之结晶作用之金属触媒，吸气层图样系与源极电极及汲极电极共同延伸。

9. 发明专利

TW201734612A 顯示設備审中-公开
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TW201734612A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106107106
申请日：2017-03-03
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：朴京淳 , PARK, GYUNG-SOON , 金一坤 , KIM, IL-GON , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE
IPC分类号： G02F1/136 , H01L27/32 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/3293 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
摘要：一種顯示設備，其包括基板；位於基板之上的複數個顯示單元，而各顯示單元包括薄膜電晶體、鈍化層以及顯示裝置，薄膜電晶體包括至少一無機層，鈍化層位於薄膜電晶體之上，顯示裝置電性連接薄膜電晶體；以及分別封裝複數個顯示單元之複數個封裝層。基板包括複數個分隔區、複數個連接單元及複數個穿通孔，複數個分隔區彼此隔開及複數個連接單元連接複數個分隔區，複數個穿通孔穿透複數個連接單元之間的基板。複數個顯示單元分別位於複數個分隔區之上。至少一無機層及鈍化層於複數個連接單元之上延伸。鈍化層包括暴露至少一無機層之溝槽。封裝層透過溝槽接觸至少一無機層的暴露部分。
简体摘要：一种显示设备，其包括基板；位于基板之上的复数个显示单元，而各显示单元包括薄膜晶体管、钝化层以及显示设备，薄膜晶体管包括至少一无机层，钝化层位于薄膜晶体管之上，显示设备电性连接薄膜晶体管；以及分别封装复数个显示单元之复数个封装层。基板包括复数个分隔区、复数个连接单元及复数个穿通孔，复数个分隔区彼此隔开及复数个连接单元连接复数个分隔区，复数个穿通孔穿透复数个连接单元之间的基板。复数个显示单元分别位于复数个分隔区之上。至少一无机层及钝化层于复数个连接单元之上延伸。钝化层包括暴露至少一无机层之沟槽。封装层透过沟槽接触至少一无机层的暴露部分。

10. 发明专利

TWI576451B 用於濺鍍之分離靶裝置及使用其之濺鍍方法有权
简体标题：用于溅镀之分离靶设备及使用其之溅镀方法
公开(公告)号：TWI576451B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW101114282
申请日：2012-04-20
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：鄭胤謨 , CHUNG, YUN-MO , 李基龍 , LEE, KI-YONG , 鄭珉在 , JEONG, MIN-JAE
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/08 , H01J37/3402 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3423

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