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1. 发明专利

TW202010810A 黏著性膜及電子裝置的製造方法审中-公开
简体标题：黏着性膜及电子设备的制造方法
公开(公告)号：TW202010810A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107132296
申请日：2018-09-13
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗原宏嘉 , KURIHARA, HIROYOSHI , 五十嵐康二 , IGARASHI, KOUJI
IPC分类号： C09J7/29 , C09J133/06 , C09J133/14 , B32B7/12 , H01L21/56 , H01L21/683
摘要：本發明的黏著性膜（50）是當於電子裝置的製造步驟中利用密封材將電子零件密封時，為了將所述電子零件暫時固定而使用的黏著性膜，其包括用以將所述電子零件暫時固定的黏著性樹脂層（A）、為了貼附於支持基板而使用且藉由外部刺激而黏著力降低的黏著性樹脂層（B）、以及設置於黏著性樹脂層（A）與黏著性樹脂層（B）之間的中間層（C），中間層（C）的120℃下的儲存彈性係數E'為1.0×105Pa以上、8.0×106Pa以下，且中間層（C）的120℃下的損耗正切（tanδ）為0.1以下。
简体摘要：本发明的黏着性膜（50）是当于电子设备的制造步骤中利用密封材将电子零件密封时，为了将所述电子零件暂时固定而使用的黏着性膜，其包括用以将所述电子零件暂时固定的黏着性树脂层（A）、为了贴附于支持基板而使用且借由外部刺激而黏着力降低的黏着性树脂层（B）、以及设置于黏着性树脂层（A）与黏着性树脂层（B）之间的中间层（C），中间层（C）的120℃下的存储弹性系数E'为1.0×105Pa以上、8.0×106Pa以下，且中间层（C）的120℃下的损耗正切（tanδ）为0.1以下。

2. 发明专利

TWI682845B 二軸延伸乙烯聚合物膜及包裝體有权
简体标题：二轴延伸乙烯聚合物膜及包装体
公开(公告)号：TWI682845B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104129716
申请日：2015-09-09
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：天満哲司 , TENMA, TETSUJI , 窪田勉 , KUBOTA, TSUTOMU
IPC分类号： B29C55/12 , B29K23/00 , B29L7/00 , B29L9/00

3. 发明专利

TW201841299A 零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法审中-公开
简体标题：零件制造用膜、零件制造用具及零件制造方法
公开(公告)号：TW201841299A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103045
申请日：2018-01-29
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI , 高橋宏和 , TAKAHASHI, HIROKAZU , 福良和秀 , FUKURA, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/683 , B32B27/36 , B32B15/08 , C09J7/20 , H01L21/301
摘要：本發明的目的在於提供一種具有可於不同的步驟間共用的通用性、且於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台的零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法，本膜1具有第1區域S1與包圍區域S1而配置的第2區域S2，區域S1是由基層11與設於其一面側的黏著材層12形成，區域S2是由基層11及黏著材層12、與貼附於層12上的附加層13形成，於溫度190℃以下的範圍下，附加層13的拉伸彈性係數為基層11的拉伸彈性係數以上。本方法具備零件固定步驟、以區域S1與區域S2的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式載置的膜載置步驟、吸附步驟以及加熱步驟。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种具有可于不同的步骤间共享的通用性、且于加热环境下可确实地吸附于吸盘台的零件制造用膜、零件制造用具及零件制造方法，本膜1具有第1区域S1与包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1是由基层11与设於其一面侧的黏着材层12形成，区域S2是由基层11及黏着材层12、与贴附于层12上的附加层13形成，于温度190℃以下的范围下，附加层13的拉伸弹性系数为基层11的拉伸弹性系数以上。本方法具备零件固定步骤、以区域S1与区域S2的界限位于吸盘台的较端缘更靠内侧的方式载置的膜载置步骤、吸附步骤以及加热步骤。

4. 发明专利

TW201840791A 黏著性積層膜及結構體审中-公开
简体标题：黏着性积层膜及结构体
公开(公告)号：TW201840791A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107110937
申请日：2018-03-29
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：池沼広樹 , IKENUMA, HIROKI , 栗田恭三 , KURITA, KYOZO
IPC分类号： C09J133/20 , C09J133/08 , C09J7/30 , B32B27/30 , B32B7/12
摘要：本發明的黏著性積層膜（50）為用於保護銦錫氧化物（ITO）膜表面的黏著性積層膜，包括基材層（10）、及設置於基材層（10）的其中一個表面的黏著性樹脂層（20），且黏著性樹脂層（20）包含源自(甲基)丙烯腈的構成單元。
简体摘要：本发明的黏着性积层膜（50）为用于保护铟锡氧化物（ITO）膜表面的黏着性积层膜，包括基材层（10）、及设置于基材层（10）的其中一个表面的黏着性树脂层（20），且黏着性树脂层（20）包含源自(甲基)丙烯腈的构成单元。

5. 发明专利

TWI624526B 半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体晶圆保护用膜及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI624526B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103118654
申请日：2014-05-28
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：森本哲光 , MORIMOTO, AKIMITSU , 片岡真 , KATAOKA, MAKOTO , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： C09J7/02

6. 发明专利

TWI624525B 積層膜的製造方法有权
简体标题：积层膜的制造方法
公开(公告)号：TWI624525B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103111264
申请日：2014-03-26
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： C09J7/02 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B3/10 , H01L21/301 , H01L21/683 , H01L21/67

8. 发明专利

TW201802925A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201802925A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110090
申请日：2017-03-27
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗原宏嘉 , KURIHARA, HIROYOSHI , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。（A）準備包括具有電路形成面的半導體晶圓、貼合於所述半導體晶圓的所述電路形成面側的黏著性膜（100）的結構體的步驟；（B）對所述半導體晶圓的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨的步驟；（C）對黏著性膜（100）照射紫外線後從所述半導體晶圓上去除黏著性膜（100）的步驟。作為黏著性膜（100），使用包括基材層（10）、設置於基材層（10）的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層（20）的黏著性膜。而且，於黏著性膜（100）中，黏著性樹脂層（20）包含紫外線硬化型黏著性樹脂，利用特定的方法來測定的紫外線硬化後的黏著性樹脂層（20）的表面的飽和區域電壓V1為2.0 kV以下。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下的3个步骤。（A）准备包括具有电路形成面的半导体晶圆、贴合于所述半导体晶圆的所述电路形成面侧的黏着性膜（100）的结构体的步骤；（B）对所述半导体晶圆的与所述电路形成面侧为相反侧的面进行背面研磨的步骤；（C）对黏着性膜（100）照射紫外线后从所述半导体晶圆上去除黏着性膜（100）的步骤。作为黏着性膜（100），使用包括基材层（10）、设置于基材层（10）的其中一面侧的紫外线硬化型的黏着性树脂层（20）的黏着性膜。而且，于黏着性膜（100）中，黏着性树脂层（20）包含紫外线硬化型黏着性树脂，利用特定的方法来测定的紫外线硬化后的黏着性树脂层（20）的表面的饱和区域电压V1为2.0 kV以下。

9. 发明专利

TW201739619A 外觀性能佳的製程用離型薄膜，其用途，及使用其的樹脂封裝半導體的製造方法审中-公开
简体标题：外观性能佳的制程用离型薄膜，其用途，及使用其的树脂封装半导体的制造方法
公开(公告)号：TW201739619A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105139941
申请日：2016-12-02
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：清水勝 , SHIMIZU, MASARU , 志摩健二 , SHIMA, KENJI
IPC分类号： B32B27/30 , B29C33/68 , B29C45/02 , B29C45/14 , B29C45/17 , B29C70/70 , H01L21/56
摘要：提供一種製程用離型薄膜，係能將樹脂封裝後的成形品，不會因金屬模構造或離型劑量的影響而能夠容易離型，且能夠得到沒有皺折或缺陷等的外觀不良的成形品。上述課題藉由：一種製程用離型薄膜，係包含離型層1A、耐熱樹脂層1B、適其需要的離型層1A’的層積薄膜，其中，前述離型層1A(及存在時的離型層1A’)相對於水的接觸角為90°到130°；前述層積薄膜的在120℃的拉伸彈性率為75MPa到500MPa，或者，前述層積薄膜的在170℃的拉伸彈性率為75MPa到500MPa。一種製程用離型薄膜，係包含上述製程用離型薄膜、或離型層2A、耐熱樹脂層2B、適其需要的離型層2A’的層積薄膜，其中，前述離型層2A(及存在時的離型層2A’)的相對於水的接觸角為90°到130°，前述耐熱樹脂層2B，包含含有高分子系抗靜電劑的層2B1，前述層積薄膜的在120℃的拉伸彈性率為75MPa到500MPa，或者，前述層積薄膜的在170℃的拉伸彈性率為75MPa到500MPa來解決。
简体摘要：提供一种制程用离型薄膜，系能将树脂封装后的成形品，不会因金属模构造或离型剂量的影响而能够容易离型，且能够得到没有皱折或缺陷等的外观不良的成形品。上述课题借由：一种制程用离型薄膜，系包含离型层1A、耐热树脂层1B、适其需要的离型层1A’的层积薄膜，其中，前述离型层1A(及存在时的离型层1A’)相对于水的接触角为90°到130°；前述层积薄膜的在120℃的拉伸弹性率为75MPa到500MPa，或者，前述层积薄膜的在170℃的拉伸弹性率为75MPa到500MPa。一种制程用离型薄膜，系包含上述制程用离型薄膜、或离型层2A、耐热树脂层2B、适其需要的离型层2A’的层积薄膜，其中，前述离型层2A(及存在时的离型层2A’)的相对于水的接触角为90°到130°，前述耐热树脂层2B，包含含有高分子系抗静电剂的层2B1，前述层积薄膜的在120℃的拉伸弹性率为75MPa到500MPa，或者，前述层积薄膜的在170℃的拉伸弹性率为75MPa到500MPa来解决。

10. 发明专利

TWI597298B 太陽電池模組有权
简体标题：太阳电池模块
公开(公告)号：TWI597298B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW102117408
申请日：2013-05-16
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：室伏貴信 , MUROFUSHI, TAKANOBU
IPC分类号： C08F210/02 , C08K5/00 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0481 , C08K5/134 , C08K5/3475 , C08L23/08 , H01L31/048 , H01L31/049 , H02S20/23 , Y02B10/12 , Y02E10/50

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