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1. 发明专利

TWI624526B 半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体晶圆保护用膜及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI624526B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103118654
申请日：2014-05-28
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：森本哲光 , MORIMOTO, AKIMITSU , 片岡真 , KATAOKA, MAKOTO , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： C09J7/02

2. 发明专利

TW201802925A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201802925A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110090
申请日：2017-03-27
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗原宏嘉 , KURIHARA, HIROYOSHI , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。（A）準備包括具有電路形成面的半導體晶圓、貼合於所述半導體晶圓的所述電路形成面側的黏著性膜（100）的結構體的步驟；（B）對所述半導體晶圓的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨的步驟；（C）對黏著性膜（100）照射紫外線後從所述半導體晶圓上去除黏著性膜（100）的步驟。作為黏著性膜（100），使用包括基材層（10）、設置於基材層（10）的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層（20）的黏著性膜。而且，於黏著性膜（100）中，黏著性樹脂層（20）包含紫外線硬化型黏著性樹脂，利用特定的方法來測定的紫外線硬化後的黏著性樹脂層（20）的表面的飽和區域電壓V1為2.0 kV以下。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下的3个步骤。（A）准备包括具有电路形成面的半导体晶圆、贴合于所述半导体晶圆的所述电路形成面侧的黏着性膜（100）的结构体的步骤；（B）对所述半导体晶圆的与所述电路形成面侧为相反侧的面进行背面研磨的步骤；（C）对黏着性膜（100）照射紫外线后从所述半导体晶圆上去除黏着性膜（100）的步骤。作为黏着性膜（100），使用包括基材层（10）、设置于基材层（10）的其中一面侧的紫外线硬化型的黏着性树脂层（20）的黏着性膜。而且，于黏着性膜（100）中，黏着性树脂层（20）包含紫外线硬化型黏着性树脂，利用特定的方法来测定的紫外线硬化后的黏着性树脂层（20）的表面的饱和区域电压V1为2.0 kV以下。

3. 发明专利

TW201446933A 半導體晶圓保護用膜及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆保护用膜及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201446933A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103118654
申请日：2014-05-28
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：森本哲光 , MORIMOTO, AKIMITSU , 片岡真 , KATAOKA, MAKOTO , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/30 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C09J7/29 , C09J133/10 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , H01L21/02057 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , C08F2220/1858 , C08F2220/1808 , C08F2220/325 , C08F220/14
摘要：半導體晶圓保護用膜具有：基材層(A)、及形成於所述基材層(A)上的黏著層(C)，所述基材層(A)包含聚合物，所述聚合物的藉由范．克雷維倫法而求出的溶解參數為9以上。
简体摘要：半导体晶圆保护用膜具有：基材层(A)、及形成于所述基材层(A)上的黏着层(C)，所述基材层(A)包含聚合物，所述聚合物的借由范．克雷维伦法而求出的溶解参数为9以上。

4. 发明专利

TW201800527A 半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备制造用黏着性膜及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201800527A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106110417
申请日：2017-03-29
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：五十嵐康二 , IGARASHI, KOUJI , 森本哲光 , MORIMOTO, AKIMITSU , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/04 , C09J201/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/56 , C09J7/20 , C09J133/04 , C09J201/00
摘要：本發明的半導體裝置製造用黏著性膜（50）是當於半導體裝置的製造步驟中利用密封材（60）將電子零件（70）密封時，為了將電子零件（70）暫時固定而使用的黏著性膜，並且包括基材層（10）、以及設置於基材層（10）的第1面（10A）側且用以將電子零件（70）暫時固定的黏著性樹脂層（A）。而且，黏著性樹脂層（A）表面的表面自由能量為38.0 mN/m以下。
简体摘要：本发明的半导体设备制造用黏着性膜（50）是当于半导体设备的制造步骤中利用密封材（60）将电子零件（70）密封时，为了将电子零件（70）暂时固定而使用的黏着性膜，并且包括基材层（10）、以及设置于基材层（10）的第1面（10A）侧且用以将电子零件（70）暂时固定的黏着性树脂层（A）。而且，黏着性树脂层（A）表面的表面自由能量为38.0 mN/m以下。

5. 发明专利

TW201826364A 半導體晶圓加工用黏著性膜审中-公开
简体标题：半导体晶圆加工用黏着性膜
公开(公告)号：TW201826364A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106109980
申请日：2017-03-24
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：栗原宏嘉 , KURIHARA, HIROYOSHI , 福本英樹 , FUKUMOTO, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66 , C09J7/02
摘要：本發明的半導體晶圓加工用黏著性膜（100）包括基材層（10）、設置於基材層（10）的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層（20），為了保護半導體晶圓的表面或者固定半導體晶圓而使用。而且，黏著性膜（100）中，黏著性樹脂層（20）包含紫外線硬化型黏著性樹脂，且利用下述方法來測定的紫外線硬化後的黏著性樹脂層（20）的飽和區域電壓V1為2.0 kV以下。（方法）對於黏著性樹脂層（20），於25℃的環境下使用高壓水銀燈，以照射強度100 mW/cm2、紫外線量1080 mJ/cm2來照射主波長為365 nm的紫外線，使黏著性樹脂層（20）進行光硬化。繼而，於施加電壓為10 kV、試樣與電極的距離為20 mm、25℃、50%RH的條件下，對黏著性樹脂層（20）的表面進行30秒的電壓施加，依據JIS L1094來算出黏著性樹脂層（20）的表面的飽和區域電壓（V1）。
简体摘要：本发明的半导体晶圆加工用黏着性膜（100）包括基材层（10）、设置于基材层（10）的其中一面侧的紫外线硬化型的黏着性树脂层（20），为了保护半导体晶圆的表面或者固定半导体晶圆而使用。而且，黏着性膜（100）中，黏着性树脂层（20）包含紫外线硬化型黏着性树脂，且利用下述方法来测定的紫外线硬化后的黏着性树脂层（20）的饱和区域电压V1为2.0 kV以下。（方法）对于黏着性树脂层（20），于25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100 mW/cm2、紫外线量1080 mJ/cm2来照射主波长为365 nm的紫外线，使黏着性树脂层（20）进行光硬化。继而，于施加电压为10 kV、试样与电极的距离为20 mm、25℃、50%RH的条件下，对黏着性树脂层（20）的表面进行30秒的电压施加，依据JIS L1094来算出黏着性树脂层（20）的表面的饱和区域电压（V1）。

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