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1. 发明专利

TW201735220A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201735220A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106109627
申请日：2017-03-23
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/301 , B32B7/12 , C09J7/02
CPC分类号： G01R31/26
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下4個步驟。（A）準備結構體（100）的步驟，所述結構體（100）包括具有放射線硬化型的黏著性樹脂層（30）的黏著性膜（50）、貼附於黏著性樹脂層（30）上的1個或2個以上的半導體晶片（70）；（B）對黏著性膜（50）照射放射線，使黏著性樹脂層（30）進行交聯的步驟；（C）於步驟（B）之後，以貼附於黏著性樹脂層（30）上的狀態，確認半導體晶片（70）的動作的步驟；以及（D）於步驟（C）之後，從黏著性樹脂層（30）上拾取半導體晶片（70）的步驟。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下4个步骤。（A）准备结构体（100）的步骤，所述结构体（100）包括具有放射线硬化型的黏着性树脂层（30）的黏着性膜（50）、贴附于黏着性树脂层（30）上的1个或2个以上的半导体芯片（70）；（B）对黏着性膜（50）照射放射线，使黏着性树脂层（30）进行交联的步骤；（C）于步骤（B）之后，以贴附于黏着性树脂层（30）上的状态，确认半导体芯片（70）的动作的步骤；以及（D）于步骤（C）之后，从黏着性树脂层（30）上十取半导体芯片（70）的步骤。

2. 发明专利

TW201841299A 零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法审中-公开
简体标题：零件制造用膜、零件制造用具及零件制造方法
公开(公告)号：TW201841299A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103045
申请日：2018-01-29
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI , 高橋宏和 , TAKAHASHI, HIROKAZU , 福良和秀 , FUKURA, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/683 , B32B27/36 , B32B15/08 , C09J7/20 , H01L21/301
摘要：本發明的目的在於提供一種具有可於不同的步驟間共用的通用性、且於加熱環境下可確實地吸附於吸盤台的零件製造用膜、零件製造用具及零件製造方法，本膜1具有第1區域S1與包圍區域S1而配置的第2區域S2，區域S1是由基層11與設於其一面側的黏著材層12形成，區域S2是由基層11及黏著材層12、與貼附於層12上的附加層13形成，於溫度190℃以下的範圍下，附加層13的拉伸彈性係數為基層11的拉伸彈性係數以上。本方法具備零件固定步驟、以區域S1與區域S2的界限位於吸盤台的較端緣更靠內側的方式載置的膜載置步驟、吸附步驟以及加熱步驟。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种具有可于不同的步骤间共享的通用性、且于加热环境下可确实地吸附于吸盘台的零件制造用膜、零件制造用具及零件制造方法，本膜1具有第1区域S1与包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1是由基层11与设於其一面侧的黏着材层12形成，区域S2是由基层11及黏着材层12、与贴附于层12上的附加层13形成，于温度190℃以下的范围下，附加层13的拉伸弹性系数为基层11的拉伸弹性系数以上。本方法具备零件固定步骤、以区域S1与区域S2的界限位于吸盘台的较端缘更靠内侧的方式载置的膜载置步骤、吸附步骤以及加热步骤。

3. 发明专利

TWI624525B 積層膜的製造方法有权
简体标题：积层膜的制造方法
公开(公告)号：TWI624525B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103111264
申请日：2014-03-26
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： C09J7/02 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B3/10 , H01L21/301 , H01L21/683 , H01L21/67

4. 发明专利

TW201701375A 半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法审中-公开
简体标题：半导体零件制造用膜及半导体零件的制造方法、以及电子零件制造用膜及电子零件的制造方法
公开(公告)号：TW201701375A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105119094
申请日：2016-06-17
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： C09J7/255 , C09J7/20 , C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J133/12 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2433/00 , C09J2467/006 , C09J2477/006 , H01L21/6836 , H01L21/78
摘要：本發明提供一種可通用地進行伴有溫度變化的評價步驟、分割步驟及拾取步驟的半導體零件製造用膜，半導體零件的製造方法，半導體零件及評價方法。即，半導體零件製造用膜1具備基層11及設於其一面側的黏著材層12，基層11的160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）之比RE （＝E'（160）/E'（-40））為RE ≧0.01並且E'（-40）為10 MPa以上且小於1000 MPa。本方法包括：於形成有電路的半導體晶圓的背面上貼附黏著材層12的步驟、將半導體晶圓分割而獲得半導體零件的步驟、及將半導體零件自黏著材層12分離的拾取步驟，且於拾取步驟之前，包括進行半導體晶圓或半導體零件的評價的步驟。
简体摘要：本发明提供一种可通用地进行伴有温度变化的评价步骤、分割步骤及十取步骤的半导体零件制造用膜，半导体零件的制造方法，半导体零件及评价方法。即，半导体零件制造用膜1具备基层11及设於其一面侧的黏着材层12，基层11的160℃下的弹性系数E'（160）与-40℃下的弹性系数E'（-40）之比RE （＝E'（160）/E'（-40））为RE ≧0.01并且E'（-40）为10 MPa以上且小于1000 MPa。本方法包括：于形成有电路的半导体晶圆的背面上贴附黏着材层12的步骤、将半导体晶圆分割而获得半导体零件的步骤、及将半导体零件自黏着材层12分离的十取步骤，且于十取步骤之前，包括进行半导体晶圆或半导体零件的评价的步骤。

5. 发明专利

TWI383442B 半導體晶圓表面保護片及使用該保護片的半導體晶圓保護方法與半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体晶圆表面保护片及使用该保护片的半导体晶圆保护方法与半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI383442B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW100119404
申请日：2011-06-02
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI , 才本芳久 , SAIMOTO, YOSHIHISA , 片岡真 , KATAOKA, MAKOTO , 尾崎勝敏 , OZAKI, KATSUTOSHI , 酒井充 , SAKAI, MITSURU
IPC分类号： H01L21/304 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T428/1471

6. 发明专利

TWI680517B 半導體零件製造用膜及半導體零件的製造方法、以及電子零件製造用膜及電子零件的製造方法有权
简体标题：半导体零件制造用膜及半导体零件的制造方法、以及电子零件制造用膜及电子零件的制造方法
公开(公告)号：TWI680517B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW105119094
申请日：2016-06-17
申请人：日商三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/58

7. 发明专利

TW201316393A 半導體裝置的製造方法及該方法中所使用之半導體晶圓表面保護用膜、半導體晶圓壓制裝置及半導體晶圓安裝裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及该方法中所使用之半导体晶圆表面保护用膜、半导体晶圆压制设备及半导体晶圆安装设备
公开(公告)号：TW201316393A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101128832
申请日：2012-08-09
申请人：三井化學股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS, INC. , 三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI , 尾崎勝敏 , OZAKI, KATSUTOSHI , 酒井充 , SAKAI, MITSURU , 森本哲光 , MORIMOTO, AKIMITSU , 小野博之 , ONO, HIROYUKI , 國重仁志 , KUNISHIGE, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C08F220/18 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2457/14 , C08F222/1006 , C09J7/29 , C09J133/14 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , C08F2220/1858 , C08F2220/1808 , C08F2220/325 , C08F220/14 , C08F2222/104 , C08F2222/1046
摘要：本發明提供一種即便對於硬且脆的半導體晶圓，亦可無破損地進行背面研磨的半導體晶圓表面保護用膜。具體而言，本發明提供包括：在150℃的儲存彈性模數GA（150）為1MPa以上的基材層（A），以及在120℃~180℃的任意溫度的儲存彈性模數GB（120~180）為0.05MPa以下、且在40℃的儲存彈性模數GB（40）為10MPa以上的軟化層（B）的半導體晶圓表面保護用膜。
简体摘要：本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶圆，亦可无破损地进行背面研磨的半导体晶圆表面保护用膜。具体而言，本发明提供包括：在150℃的存储弹性模数GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃~180℃的任意温度的存储弹性模数GB（120~180）为0.05MPa以下、且在40℃的存储弹性模数GB（40）为10MPa以上的软化层（B）的半导体晶圆表面保护用膜。

8. 发明专利

TW201802904A 半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备制造用黏着性膜及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201802904A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110711
申请日：2017-03-30
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02
CPC分类号： B32B27/00 , C09J7/20
摘要：本發明的半導體裝置製造用黏著性膜（50）為至少包括以下的步驟（A）～步驟（C）的半導體裝置的製造方法中的黏著性膜，且依次具有耐溶劑性樹脂層（10）、凹凸吸收性樹脂層（20）及黏著性樹脂層（30），黏著性樹脂層（30）以成為半導體晶圓（60）的第2電路面（65B）側的方式使用。（A）準備結構體（100）的步驟，所述結構體（100）包括：半導體晶圓（60），具有包含第1電路圖案（63A）的第1電路面（65A）及第1電路面（65A）的相反側的包含第2電路圖案（63B）的第2電路面（65B）；支撐構件（80），於半導體晶圓（60）的第1電路面（65A）側介隔接著劑層（70）而設置；以及黏著性膜（50），貼合於半導體晶圓（60）的第2電路面（65B）側。（B）將支撐構件（80）自結構體（100）去除的步驟。（C）藉由溶劑將半導體晶圓（60）的第1電路面（65A）側的接著劑層（70）的殘渣去除的步驟。
简体摘要：本发明的半导体设备制造用黏着性膜（50）为至少包括以下的步骤（A）～步骤（C）的半导体设备的制造方法中的黏着性膜，且依次具有耐溶剂性树脂层（10）、凹凸吸收性树脂层（20）及黏着性树脂层（30），黏着性树脂层（30）以成为半导体晶圆（60）的第2电路面（65B）侧的方式使用。（A）准备结构体（100）的步骤，所述结构体（100）包括：半导体晶圆（60），具有包含第1电路图案（63A）的第1电路面（65A）及第1电路面（65A）的相反侧的包含第2电路图案（63B）的第2电路面（65B）；支撑构件（80），于半导体晶圆（60）的第1电路面（65A）侧介隔接着剂层（70）而设置；以及黏着性膜（50），贴合于半导体晶圆（60）的第2电路面（65B）侧。（B）将支撑构件（80）自结构体（100）去除的步骤。（C）借由溶剂将半导体晶圆（60）的第1电路面（65A）侧的接着剂层（70）的残渣去除的步骤。

9. 发明专利

TW201801161A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201801161A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106110642
申请日：2017-03-30
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/67 , H01L21/683 , B32B27/00
CPC分类号： B32B27/00 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要：本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下的4個步驟。（A）準備結構體（100）的步驟，所述結構體（100）包括依次具有耐熱性樹脂層（10）、柔軟性樹脂層（20）及黏著性樹脂層（30）的黏著性積層膜（50），以及貼附於黏著性樹脂層（30）上的1個或2個以上的半導體晶片（70）；（B）以貼附於黏著性樹脂層（30）上的狀態，確認半導體晶片（70）的動作的步驟；（C）於步驟（B）之後，將耐熱性樹脂層（10）從黏著性積層膜（50）上剝離的步驟；以及（D）於步驟（C）之後，從黏著性樹脂層（30）上拾取半導體晶片（70）的步驟。
简体摘要：本发明的半导体设备的制造方法至少包括以下的4个步骤。（A）准备结构体（100）的步骤，所述结构体（100）包括依次具有耐热性树脂层（10）、柔软性树脂层（20）及黏着性树脂层（30）的黏着性积层膜（50），以及贴附于黏着性树脂层（30）上的1个或2个以上的半导体芯片（70）；（B）以贴附于黏着性树脂层（30）上的状态，确认半导体芯片（70）的动作的步骤；（C）于步骤（B）之后，将耐热性树脂层（10）从黏着性积层膜（50）上剥离的步骤；以及（D）于步骤（C）之后，从黏着性树脂层（30）上十取半导体芯片（70）的步骤。

10. 发明专利

TW201743375A 零件製造用膜及零件的製造方法审中-公开
简体标题：零件制造用膜及零件的制造方法
公开(公告)号：TW201743375A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106109435
申请日：2017-03-22
申请人：三井化學東賽璐股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
发明人：林下英司 , HAYASHISHITA, EIJI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L25/07 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/683 , C09J7/20 , C09J201/00
摘要：本發明提供一種即便於在伴有溫度變化的環境下使用的情形時，亦可於吸附停止後容易地自載台面取下且使與載台面的密接狀態穩定的半導體零件製造用膜及電子零件製造用膜。進而，本發明提供一種使用此種半導體零件製造用膜的半導體零件的製造方法、及使用此種電子零件製造用膜的電子零件的製造方法。本零件製造用膜1是用於半導體零件或電子零件的製造方法中的膜，且具備基層11及設於其一面11a側的黏著材層12，基層的未設有黏著材層的一面的表面的Ra（μm）為0.1～2.0，Rz（μm）為1.0～15。本方法使用零件製造用膜1，包括分割步驟與拾取步驟，且於拾取步驟之前包括評價步驟。
简体摘要：本发明提供一种即便于在伴有温度变化的环境下使用的情形时，亦可于吸附停止后容易地自载台面取下且使与载台面的密接状态稳定的半导体零件制造用膜及电子零件制造用膜。进而，本发明提供一种使用此种半导体零件制造用膜的半导体零件的制造方法、及使用此种电子零件制造用膜的电子零件的制造方法。本零件制造用膜1是用于半导体零件或电子零件的制造方法中的膜，且具备基层11及设於其一面11a侧的黏着材层12，基层的未设有黏着材层的一面的表面的Ra（μm）为0.1～2.0，Rz（μm）为1.0～15。本方法使用零件制造用膜1，包括分割步骤与十取步骤，且于十取步骤之前包括评价步骤。

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