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1. 发明专利

TW201305321A 研磨用組成物及使用該組成物之研磨方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及使用该组成物之研磨方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201305321A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101110822
申请日：2012-03-28
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED , 美國福吉米股份有限公司 , FUJIMI CORPORATION
发明人：米勒安妮 , MILLER, ANNE , 齋藤千晶 , SAITO, CHIAKI , 福田果樹子 , FUKUDA, KANAKO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , H01L21/461 , H01L21/7684
摘要：本發明之研磨用組成物係含有氧化劑及下述一般式(1)或(2)所表示之刮痕抑制劑：式中，X1及X2各自獨立，表示氫原子、羥基、羧基、磷酸基、烷基、芳香基、烷基多胺基、烷基多磷酸基、烷基多羧基、烷基多胺基多磷酸基、或烷基多胺基多羧基。
简体摘要：本发明之研磨用组成物系含有氧化剂及下述一般式(1)或(2)所表示之刮痕抑制剂：式中，X1及X2各自独立，表示氢原子、羟基、羧基、磷酸基、烷基、芳香基、烷基多胺基、烷基多磷酸基、烷基多羧基、烷基多胺基多磷酸基、或烷基多胺基多羧基。

2. 发明专利

TW202030050A 研磨墊、研磨工具及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨垫、研磨工具及研磨方法
公开(公告)号：TW202030050A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108132943
申请日：2019-09-12
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：天髙恭祐 , TENKOU, KYOUSUKE , 菱田翔太 , HISHIDA, SHOTA , 安井大祐 , YASUI, DAISUKE , 長谷英治 , HASE, HIDEHARU , 堀田和利 , HOTTA, KAZUTOSHI
IPC分类号： B24B37/26 , B24B37/24 , B24D13/14 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：提供一種研磨墊，對於各種的曲率的曲面研磨面皆可追從，可進行研磨對象物所具有的曲面狀的被研磨面的研磨，可將曲面狀的被研磨面的起伏除去。研磨墊(10)，是由具備：具有研磨面(10a)的研磨層(1)、及由彈性體所構成且將研磨層(1)支撐的支撐層(2)，的疊層體所構成。在比研磨層(1)的外緣更內側的領域中，形成有由厚度方向貫通研磨層(1)的貫通部(1a)。進一步，研磨層(1)，是由JIS K6253-3：2012所規定的硬度計硬度A型為30以上的材料所形成。
简体摘要：提供一种研磨垫，对于各种的曲率的曲面研磨面皆可追从，可进行研磨对象物所具有的曲面状的被研磨面的研磨，可将曲面状的被研磨面的起伏除去。研磨垫(10)，是由具备：具有研磨面(10a)的研磨层(1)、及由弹性体所构成且将研磨层(1)支撑的支撑层(2)，的叠层体所构成。在比研磨层(1)的外缘更内侧的领域中，形成有由厚度方向贯通研磨层(1)的贯通部(1a)。进一步，研磨层(1)，是由JIS K6253-3：2012所规定的硬度计硬度A型为30以上的材料所形成。

3. 发明专利

TWI688646B 研磨用組成物及研磨用組成物套組有权
简体标题：研磨用组成物及研磨用组成物套组
公开(公告)号：TWI688646B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW106129665
申请日：2017-08-31
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED , 日商東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI , 浅田真希 , ASADA, MAKI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/16

4. 发明专利

TWI686365B 熔射用材料與附熔射皮膜構件有权
简体标题：熔射用材料与附熔射皮膜构件
公开(公告)号：TWI686365B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106136291
申请日：2017-10-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：長山将之 , NAGAYAMA, NOBUYUKI , 伊部博之 , IBE, HIROYUKI , 益田敬也 , MASUDA, TAKAYA
IPC分类号： C04B35/553 , C23C4/04 , C23C4/10 , H01L21/3065 , H01L21/67

5. 发明专利

TWI683895B 矽晶圓研磨用組成物及研磨方法有权
简体标题：硅晶圆研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TWI683895B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105103288
申请日：2016-02-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 百田怜史 , MOMOTA, SATOSHI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B1/00 , H01L21/304

6. 发明专利

TWI665275B 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法有权
简体标题：研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TWI665275B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107130386
申请日：2014-03-19
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 丹所久典 , TANSHO, HISANORI , 市坪大輝 , ICHITSUBO, TAIKI
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304

7. 发明专利

TW201918548A 表面處理組合物及使用此組合物之表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理组合物及使用此组合物之表面处理方法
公开(公告)号：TW201918548A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107125307
申请日：2018-07-23
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：石田康登 , ISHIDA, YASUTO , 吉野努 , YOSHINO, TSUTOMU , 大西正悟 , ONISHI, SHOGO
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/36 , H01L21/304
CPC分类号： C11D7/3245 , C11D3/378 , C11D7/265 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02065 , H01L21/02068 , H01L21/31053
摘要：本發明之表面處理組合物，含有含2個以上的氮原子之羧酸化合物、離子性分散劑及水，且pH小於6，且能夠使用於處理具有含鎢的層之研磨完畢的研磨對象物表面。
简体摘要：本发明之表面处理组合物，含有含2个以上的氮原子之羧酸化合物、离子性分散剂及水，且pH小于6，且能够使用于处理具有含钨的层之研磨完毕的研磨对象物表面。

8. 发明专利

TW201840839A 表面處理組成物及其製造方法，以及使用表面處理組成物之表面處理方法及半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：表面处理组成物及其制造方法，以及使用表面处理组成物之表面处理方法及半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201840839A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107106965
申请日：2018-03-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：石田康登 , ISHIDA, YASUTO , 吉野努 , YOSHINO, TSUTOMU , 大西正悟 , ONISHI, SHOGO , 吉﨑幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU
IPC分类号： C11D1/12 , C11D3/37 , C11D11/00 , H01L21/304
摘要：本發明之目的在於提供可充分去除殘留於研磨過研磨對象物表面之殘渣的手段。　　一種表面處理組成物，其含有具有自由磺酸(鹽)基、磷酸(鹽)基、膦酸(鹽)基及胺基所成群中選擇之至少1種離子性官能基之高分子化合物、及水，且pH未達7，前述高分子化合物之pKa為3以下，且離子性官能基密度超過10%。
简体摘要：本发明之目的在于提供可充分去除残留于研磨过研磨对象物表面之残渣的手段。　　一种表面处理组成物，其含有具有自由磺酸(盐)基、磷酸(盐)基、膦酸(盐)基及胺基所成群中选择之至少1种离子性官能基之高分子化合物、及水，且pH未达7，前述高分子化合物之pKa为3以下，且离子性官能基密度超过10%。

9. 发明专利

TW201840835A 表面處理組合物、其製造方法以及使用此組合物的表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理组合物、其制造方法以及使用此组合物的表面处理方法
公开(公告)号：TW201840835A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103446
申请日：2018-01-31
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：吉幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU , 坂部晃一 , SAKABE, KOICHI , 鎗田哲 , YARITA, SATORU , 古本健一 , KOMOTO, KENICHI
IPC分类号： C11D1/04 , C11D1/12 , C11D1/34 , C11D3/04 , C11D3/22 , C11D3/26 , C11D3/34 , C11D11/00 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種在將利用含氧化鈰的研磨用組合物進行研磨後所得到的研磨完畢研磨對象物中，能夠良好地減低氧化鈰殘渣之同時，亦能夠充分地抑制有機物殘渣之手段。本發明係有關於一種表面處理組合物，其係用以將利用含氧化鈰的研磨用組合物研磨後所得到的研磨完畢研磨對象物進行表面處理之表面處理組合物，含有：具備源自具有羧基或其鹽的基的單體之結構單元之含羧基的(共)聚合物；具有SOx或NOy(其中x及y為各自獨立且為1~5的實數)表示之部分構造之含SOx或NOy部分構造的化合物；及分散介質；而且pH為1以上且8以下。
简体摘要：本发明系提供一种在将利用含氧化铈的研磨用组合物进行研磨后所得到的研磨完毕研磨对象物中，能够良好地减低氧化铈残渣之同时，亦能够充分地抑制有机物残渣之手段。本发明系有关于一种表面处理组合物，其系用以将利用含氧化铈的研磨用组合物研磨后所得到的研磨完毕研磨对象物进行表面处理之表面处理组合物，含有：具备源自具有羧基或其盐的基的单体之结构单元之含羧基的(共)聚合物；具有SOx或NOy(其中x及y为各自独立且为1~5的实数)表示之部分构造之含SOx或NOy部分构造的化合物；及分散介质；而且pH为1以上且8以下。

10. 发明专利

TW201840478A 二氧化矽溶膠的製造方法审中-公开
简体标题：二氧化硅溶胶的制造方法
公开(公告)号：TW201840478A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105173
申请日：2018-02-13
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：芦髙圭史 , ASHITAKA, KEIJI
IPC分类号： C01B33/145
摘要： [課題] 本發明係提供一種可獲得不產生膠狀物、且高度締合之二氧化矽粒子之二氧化矽溶膠的製造方法。　　[解決手段] 一種二氧化矽溶膠的製造方法，其係包含，於包含鹼觸媒、水、第1有機溶劑及締合用二氧化矽粒子之液(A)中，混合包含四甲氧矽烷及其縮合物之至少一者以及第2有機溶劑之液(B)，以製作反應液的步驟，於前述混合時，前述液(B)的添加速度係相對前述液(A)中所含的水1mol，為以矽原子換算為8.5×10-4~5.6×10-3mol/min。
简体摘要： [课题] 本发明系提供一种可获得不产生胶状物、且高度缔合之二氧化硅粒子之二氧化硅溶胶的制造方法。　　[解决手段] 一种二氧化硅溶胶的制造方法，其系包含，于包含碱触媒、水、第1有机溶剂及缔合用二氧化硅粒子之液(A)中，混合包含四甲氧硅烷及其缩合物之至少一者以及第2有机溶剂之液(B)，以制作反应液的步骤，于前述混合时，前述液(B)的添加速度系相对前述液(A)中所含的水1mol，为以硅原子换算为8.5×10-4~5.6×10-3mol/min。

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