基本信息:
- 专利标题： 研磨用組成物及使用該組成物之研磨方法及半導體裝置之製造方法
- 专利标题（英）：Polishing composition and polishing method and semiconductor device manufacturing method using the same
- 专利标题（中）：研磨用组成物及使用该组成物之研磨方法及半导体设备之制造方法
- 申请号：TW101110822 申请日：2012-03-28
- 公开(公告)号：TW201305321A 公开(公告)日：2013-02-01
- 发明人： 米勒 安妮 , MILLER, ANNE , 齋藤千晶 , SAITO, CHIAKI , 福田果樹子 , FUKUDA, KANAKO
- 申请人： 福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED , 美國福吉米股份有限公司 , FUJIMI CORPORATION
- 专利权人： 福吉米股份有限公司,FUJIMI INCORPORATED,美國福吉米股份有限公司,FUJIMI CORPORATION
- 当前专利权人： 福吉米股份有限公司,FUJIMI INCORPORATED,美國福吉米股份有限公司,FUJIMI CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 61/469,354 20110330
- 主分类号： C09K3/14
- IPC分类号： C09K3/14 ; H01L21/304
摘要：
本發明之研磨用組成物係含有氧化劑及下述一般式(1)或(2)所表示之刮痕抑制劑： 式中，X1及X2各自獨立，表示氫原子、羥基、羧基、磷酸基、烷基、芳香基、烷基多胺基、烷基多磷酸基、烷基多羧基、烷基多胺基多磷酸基、或烷基多胺基多羧基。
摘要（中）：
本发明之研磨用组成物系含有氧化剂及下述一般式(1)或(2)所表示之刮痕抑制剂： 式中，X1及X2各自独立，表示氢原子、羟基、羧基、磷酸基、烷基、芳香基、烷基多胺基、烷基多磷酸基、烷基多羧基、烷基多胺基多磷酸基、或烷基多胺基多羧基。
摘要（英）：
The polishing composition of the present invention comprises an oxidizer and an agent for reducing scratching represented by the following general formula (1) or (2). In the formulas, X1 and X2 are each independently a hydrogen atom or a hydroxyl, carboxyl, phosphoric acid, alkyl, aryl, alkyl polyamine, alkyl polyphosphoric acid, alkyl polycarboxylic acid, alkyl polyaminopolyphosphoric acid, or alkyl polyaminopolycarboxylic acid group.
公开/授权文献:
- TWI567180B 研磨用組成物及使用該組成物之研磨方法及半導體裝置之製造方法 公开/授权日：2017-01-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
| ------C09K3/00 | 不包含在其他类目中的材料 |
| --------C09K3/14 | .防滑材料；研磨材料 |