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    • 2. 发明专利
    • 半導體的封裝方法
    • 半导体的封装方法
    • TW279255B
    • 1996-06-21
    • TW084105059
    • 1995-05-20
    • 日本朋諾股份有限公司台灣通用器材股份有限公司
    • 山村勳稻垣彰宏
    • H01L
    • C08G59/68H01L23/293H01L2924/0002H01L2924/00
    • 一種封裝半導體的方法,其包括:
      將半導體封裝在可固化之環氧樹脂組合物中,該組合物包含
      (A)液體環氧樹脂或可固化液體混合物,其包含環氧樹脂和稀釋劑;
      (B)無機填料;
      (C)如式(I)或(II)所表示之__鹽化合物CC (I)CC (II)
      其中E為硫、氮或磷;Ar為芳環;當a為2,R1為相同或不同之經取代或未經取代之單價烴基、羥基、烷氧基、硝基、氰基或鹵素原子;每個R2和R3分別為氫原子或甲基;R4為相同或不同之經取代或未經取代之單價烴基;R5為經取代或未經取代之呲啶__基;a為0至2的整數;且當E為硫時b為2,或當E為氮或磷時b為3;和
      (D)內部脫模劑,
      且實質上不含有固化劑,其後模製上述組合物。
    • 一种封装半导体的方法,其包括: 将半导体封装在可固化之环氧树脂组合物中,该组合物包含 (A)液体环氧树脂或可固化液体混合物,其包含环氧树脂和稀释剂; (B)无机填料; (C)如式(I)或(II)所表示之__盐化合物CC (I)CC (II) 其中E为硫、氮或磷;Ar为芳环;当a为2,R1为相同或不同之经取代或未经取代之单价烃基、羟基、烷氧基、硝基、氰基或卤素原子;每个R2和R3分别为氢原子或甲基;R4为相同或不同之经取代或未经取代之单价烃基;R5为经取代或未经取代之呲啶__基;a为0至2的整数;且当E为硫时b为2,或当E为氮或磷时b为3;和 (D)内部脱模剂, 且实质上不含有固化剂,其后模制上述组合物。
    • 4. 发明专利
    • 縮合反應型矽氧烷組成物及硬化物
    • 缩合反应型硅氧烷组成物及硬化物
    • TW201736515A
    • 2017-10-16
    • TW106101293
    • 2017-01-13
    • 朋諾股份有限公司PELNOX, LTD.
    • 佐藤憲一郎SATO, KENICHIRO矢口雄太YAGUCHI, YUTA小川雄史OGAWA, YUJI
    • C08L83/06C08G77/16C08G77/18C09J183/06H01L23/29H01L23/31H01L33/56
    • C08G77/14C08K5/5419C08L83/04
    • 本發明的課題為提供一種縮合反應型矽氧烷組成物,其可供給初始硬化性優異,同時具有強韌性佳的接著性,且耐龜裂性、耐氣泡性及耐熱性良好的硬化物。本發明為一種縮合反應型矽氧烷組成物,含有:(A)在室溫下為固體狀的聚倍半矽氧烷,其含有由R1SiO3/2(式中,R1表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一者)所示三矽烷氧基單元(TA),且具有羥基;(B)在室溫下為液狀的聚倍半矽氧烷,其含有由R2SiO3/2(式中,R2表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一者)所示三矽烷氧基單元(TB),且具有-OR2(式中,R2表示選自於由碳數1~15的烷基、苯基及苄基所構成群組中之一者);及(C)縮合反應觸媒。
    • 本发明的课题为提供一种缩合反应型硅氧烷组成物,其可供给初始硬化性优异,同时具有强韧性佳的接着性,且耐龟裂性、耐气泡性及耐热性良好的硬化物。本发明为一种缩合反应型硅氧烷组成物,含有:(A)在室温下为固体状的聚倍半硅氧烷,其含有由R1SiO3/2(式中,R1表示选自于由碳数1~15的烷基、苯基及苄基所构成群组中之一者)所示三硅烷氧基单元(TA),且具有羟基;(B)在室温下为液状的聚倍半硅氧烷,其含有由R2SiO3/2(式中,R2表示选自于由碳数1~15的烷基、苯基及苄基所构成群组中之一者)所示三硅烷氧基单元(TB),且具有-OR2(式中,R2表示选自于由碳数1~15的烷基、苯基及苄基所构成群组中之一者);及(C)缩合反应触媒。