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1. 发明专利

TW279255B 半導體的封裝方法失效
简体标题：半导体的封装方法
公开(公告)号：TW279255B
公开(公告)日：1996-06-21
申请号：TW084105059
申请日：1995-05-20
申请人：日本朋諾股份有限公司 , 台灣通用器材股份有限公司
发明人：山村勳 , 稻垣彰宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C08G59/68 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種封裝半導體的方法，其包括：
將半導體封裝在可固化之環氧樹脂組合物中，該組合物包含
(A)液體環氧樹脂或可固化液體混合物，其包含環氧樹脂和稀釋劑；
(B)無機填料；
(C)如式(I)或(II)所表示之__鹽化合物CC (I)CC (II)
其中E為硫、氮或磷；Ar為芳環；當a為2，R1為相同或不同之經取代或未經取代之單價烴基、羥基、烷氧基、硝基、氰基或鹵素原子；每個R2和R3分別為氫原子或甲基；R4為相同或不同之經取代或未經取代之單價烴基；R5為經取代或未經取代之呲啶__基；a為0至2的整數；且當E為硫時b為2，或當E為氮或磷時b為3；和
(D)內部脫模劑，
且實質上不含有固化劑，其後模製上述組合物。
简体摘要：一种封装半导体的方法，其包括：将半导体封装在可固化之环氧树脂组合物中，该组合物包含 (A)液体环氧树脂或可固化液体混合物，其包含环氧树脂和稀释剂； (B)无机填料； (C)如式(I)或(II)所表示之__盐化合物CC (I)CC (II) 其中E为硫、氮或磷；Ar为芳环；当a为2，R1为相同或不同之经取代或未经取代之单价烃基、羟基、烷氧基、硝基、氰基或卤素原子；每个R2和R3分别为氢原子或甲基；R4为相同或不同之经取代或未经取代之单价烃基；R5为经取代或未经取代之呲啶__基；a为0至2的整数；且当E为硫时b为2，或当E为氮或磷时b为3；和 (D)内部脱模剂，且实质上不含有固化剂，其后模制上述组合物。

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