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1. 发明专利

TW200839233A 氫氣感測器审中-公开
简体标题：氢气传感器
公开(公告)号：TW200839233A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW097103979
申请日：2008-02-01
申请人：群是股份有限公司 GUNZE LIMITED
发明人：羽根友子 HANE, TOMOKO , 清原章夫 KIYOHARA, AKIO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N27/4074 , G01N33/005 , H01M4/8605 , H01M4/8825 , H01M4/8867 , H01M4/8871 , H01M4/90 , H01M4/9075 , H01M8/02
摘要：本發明係提供一種不進行清除操作、且具備良好之氫氣選擇性同時亦比較廉價地構成之氫氣感測器。本發明之氫氣感測器,係於固體高分子電解質、或於固體高分子電解質中分散有碳材料之含碳的固體高分子電解質而成的基材之一側面,藉由形成以與氫氣接觸俾具有觸媒功能之觸媒層3以構成檢測部。
简体摘要：本发明系提供一种不进行清除操作、且具备良好之氢气选择性同时亦比较廉价地构成之氢气传感器。本发明之氢气传感器,系于固体高分子电解质、或于固体高分子电解质中分散有碳材料之含碳的固体高分子电解质而成的基材之一侧面,借由形成以与氢气接触俾具有触媒功能之触媒层3以构成检测部。

2. 发明专利

TW201531702A 負氫離子之檢出方法审中-公开
简体标题：负氢离子之检出方法
公开(公告)号：TW201531702A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103132023
申请日：2014-09-17
申请人： TAANE股份有限公司 , TAANE CO., LTD.
发明人：及川胤昭 , OIKAWA, TANEAKI
IPC分类号： G01N31/00 , C25B1/04
CPC分类号： G01N27/42 , G01N33/005 , Y02E60/366
摘要：本發明之目的為提供檢出水中負氫離子存在的方法。本發明之檢出水中負氫離子存在的方法，藉由電解負氫離子(H-)電離化之水以及檢測從陽極以及陰極產生之氫氣，可檢出水中有負氫離子(H-)的存在。負氫離子(H-)電離化之水包含H++H-之離子、或者常溫常壓之氫電漿(H2OH++H-)。
简体摘要：本发明之目的为提供检出水中负氢离子存在的方法。本发明之检出水中负氢离子存在的方法，借由电解负氢离子(H-)电离化之水以及检测从阳极以及阴极产生之氢气，可检出水中有负氢离子(H-)的存在。负氢离子(H-)电离化之水包含H++H-之离子、或者常温常压之氢等离子(H2OH++H-)。

3. 发明专利

TWI449908B 氫殘量感測器有权
简体标题：氢残量传感器
公开(公告)号：TWI449908B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW097102778
申请日：2008-01-25
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：藤田泰宏 , YASUHIRO FUJITA , 河原崎芳德 , YOSHINORI KAWAHARAZAKI , 大脇康志 , YASUSHI OWAKI , 林義彥 , YOSHIHIKO HAYASHI , 岩本隆志 , TAKASHI IWAMOTO
IPC分类号： G01N33/20 , C01B3/00 , C22C33/04
CPC分类号： G01N33/005 , Y02E60/324

4. 发明专利

TW200831894A 氫殘量感測器审中-公开
简体标题：氢残量传感器
公开(公告)号：TW200831894A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW097102778
申请日：2008-01-25
申请人：日本製鋼所股份有限公司 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：藤田泰宏 YASUHIRO FUJITA , 河原崎芳德 YOSHINORI KAWAHARAZAKI , 大康志 YASUSHI OWAKI , 林義彥 YOSHIHIKO HAYASHI , 岩本隆志 TAKASHI IWAMOTO
IPC分类号： G01N , C01B , C22C
CPC分类号： G01N33/005 , Y02E60/324
摘要：本發明之氫殘量感測器係配置於藉由主要氫吸藏合金而進行氫之吸收釋出的空間中的氫殘量感測器,具備填充有感測器用氫吸藏合金,並製成可進行上述氫之內外移動的容器形狀之感測器本體。另外,該感測器本體係設置有應變計,其係於一部份具有隨著上述感測器用氫吸藏合金之氫吸收釋放而容易產生應變之易應變部,並測定該易應變部之應變。因此,根據本發明之氫殘量感測器,可準確檢測在主要氫吸藏合金中之氫的殘量。
简体摘要：本发明之氢残量传感器系配置于借由主要氢吸藏合金而进行氢之吸收发佈的空间中的氢残量传感器,具备填充有传感器用氢吸藏合金,并制成可进行上述氢之内外移动的容器形状之传感器本体。另外,该传感器本体系设置有应变计,其系于一部份具有随着上述传感器用氢吸藏合金之氢吸收释放而容易产生应变之易应变部,并测定该易应变部之应变。因此,根据本发明之氢残量传感器,可准确检测在主要氢吸藏合金中之氢的残量。

5. 发明专利

TW573120B 適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法有权
简体标题：适用于高温操作之氢气传感器及其制法
公开(公告)号：TW573120B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW091135484
申请日：2002-12-06
申请人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：劉文超 , 陳慧英 , 林坤緯
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N33/005
摘要：一種適用於高溫操作之氫氣感測器及其製法，此氫氣感測器結構成長在半絕緣型半導體基板上，其磊晶結構包含未摻雜之砷化鎵半導體緩衝層，以及n型磷化銦鎵半導體薄膜。在磊晶成長之後接著利用真空蒸鍍的技術於n型磷化銦鎵薄膜層表面蒸鍍一層金-鍺-鎳合金做為二極體式氫氣感測器之歐姆式接觸陰極電極，接著在n型半導體薄膜層表面上成長一層很薄之氧化層，並在此氧化層上蒸鍍鈀或鉑金屬，作為二極式氫氣感測器之肖特基接觸式陽極電極。由於鈀或鉑金屬對氫氣具有良好的觸媒活性，當氫氣分子吸附於鈀或鉑金屬表面時，會被解離為氫原子，而大部分氫原子將會擴散穿透鈀或鉑金屬層，並於鈀或鉑金屬與氧化層薄膜介面造成極化作用，形成偶極短層，此一偶極短層將改變鈀或鉑金屬與氧化層介面之電場，進而降低了金屬-半導體肖特基能障高度。因此，當接觸氫氣後，將可改變元件之電流-電壓特性，進而達成感測氫氣之目的。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿一＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
10 氫氣感測器 12 半絕緣型砷化鎵基板
14 未摻雜型砷化鎵緩衝層
16 n型磷化銦鎵層 18 歐姆性接觸金屬層
20 薄氧化層 22 肖特基接觸金屬
简体摘要：一种适用于高温操作之氢气传感器及其制法，此氢气传感器结构成长在半绝缘型半导体基板上，其磊晶结构包含未掺杂之砷化镓半导体缓冲层，以及n型磷化铟镓半导体薄膜。在磊晶成长之后接着利用真空蒸镀的技术于n型磷化铟镓薄膜层表面蒸镀一层金-锗-镍合金做为二极管式氢气传感器之欧姆式接触阴极电极，接着在n型半导体薄膜层表面上成长一层很薄之氧化层，并在此氧化层上蒸镀钯或铂金属，作为二极式氢气传感器之肖特基接触式阳极电极。由于钯或铂金属对氢气具有良好的触媒活性，当氢气分子吸附于钯或铂金属表面时，会被解离为氢原子，而大部分氢原子将会扩散穿透钯或铂金属层，并于钯或铂金属与氧化层薄膜界面造成极化作用，形成偶极短层，此一偶极短层将改变钯或铂金属与氧化层界面之电场，进而降低了金属-半导体肖特基能障高度。因此，当接触氢气后，将可改变组件之电流-电压特性，进而达成传感氢气之目的。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿一＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 10 氢气传感器 12 半绝缘型砷化镓基板 14 未掺杂型砷化镓缓冲层 16 n型磷化铟镓层 18 欧姆性接触金属层 20 薄氧化层 22 肖特基接触金属

6. 发明专利

TW546476B 用來檢測氫氣、氨氣及含硫氣體之微加工薄膜感測器陣列,暨製造及使用其之方法失效
简体标题：用来检测氢气、氨气及含硫气体之微加工薄膜传感器数组,暨制造及使用其之方法
公开(公告)号：TW546476B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091106712
申请日：2002-04-03
申请人：尖端科技材料公司
发明人：小佛蘭克迪梅歐
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N27/12 , G01N21/59 , G01N21/783 , G01N27/128 , G01N33/0014 , G01N33/005 , G01N2291/02863 , Y10T436/175383 , Y10T436/22
摘要：本發明提供一種氫氣感測器，其包括利用金屬有機化學蒸氣沈積(MOCVD)或物理蒸氣沈積(PVD)形成於微電熱板結構上之薄膜感測器元件。薄膜感測器元件包括與氫可逆地交互作用，而提供相對於在不存在氫時之薄膜之反應特性相應改變之反應特性，諸如光學透射率、電導、電阻、電容、磁電阻、光電導性等等之氫氣交互作用金屬薄膜的薄膜。可將氫氣交互作用金屬薄膜覆蓋可透過氫之障壁層薄膜，以保護氫氣交互作用薄膜不致與非氫物種的有害交互作用。可透過氫之障壁可包括將氧及其他類似物種清除的物種。可將本發明之氫氣感測器有用地利用於檢測易受氫氣侵入或產生之環境中之氫氣，且可方便地將其構造成為手持裝置。
简体摘要：本发明提供一种氢气传感器，其包括利用金属有机化学蒸气沉积(MOCVD)或物理蒸气沉积(PVD)形成于微电热板结构上之薄膜传感器组件。薄膜传感器组件包括与氢可逆地交互作用，而提供相对于在不存在氢时之薄膜之反应特性相应改变之反应特性，诸如光学透射率、电导、电阻、电容、磁电阻、光电导性等等之氢气交互作用金属薄膜的薄膜。可将氢气交互作用金属薄膜覆盖可透过氢之障壁层薄膜，以保护氢气交互作用薄膜不致与非氢物种的有害交互作用。可透过氢之障壁可包括将氧及其他类似物种清除的物种。可将本发明之氢气传感器有用地利用于检测易受氢气侵入或产生之环境中之氢气，且可方便地将其构造成为手持设备。

7. 发明专利

TW546474B 一種藉由離子移動光譜測定法測量氮中氫及甲烷之濃度的方法失效
简体标题：一种借由离子移动光谱测定法测量氮中氢及甲烷之浓度的方法
公开(公告)号：TW546474B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091107487
申请日：2002-04-12
申请人：沙斯格特斯有限公司
发明人：露卡布斯特拉 , 瑪可蘇奚
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N27/622 , G01N33/0047 , G01N33/005 , Y10T436/21 , Y10T436/214 , Y10T436/22 , Y10T436/24 , Y10T436/25125 , Y10T436/255 , Y10T436/25875
摘要：本發明係揭示一種藉由離子移動光譜測定法定量分析氮中氫及甲烷之含量的方法，其包括a)在待檢驗之氮中進行視氫濃度的測量；b)在已除去所有雜質(但甲烷除外)之相同氮試樣氣流中進行視氫濃度的測量，及c)比較此兩個測量。同時，本發明亦係揭示一種進行該方法之系統。
简体摘要：本发明系揭示一种借由离子移动光谱测定法定量分析氮中氢及甲烷之含量的方法，其包括a)在待检验之氮中进行视氢浓度的测量；b)在已除去所有杂质(但甲烷除外)之相同氮试样气流中进行视氢浓度的测量，及c)比较此两个测量。同时，本发明亦系揭示一种进行该方法之系统。

8. 发明专利

TWI351761B 氫氣感測器及其製造方法失效
简体标题：氢气传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI351761B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW097101222
申请日：2008-01-11
申请人：國立成功大學
发明人：陳慧英 , 劉文超 , 林金田
IPC分类号： H01L , G01N
CPC分类号： H01L29/7787 , G01N27/4141 , G01N33/005
摘要：本發明係關於一種氫氣感測器及其製造方法，該氫氣感測器包括一半導體基底、一半導體緩衝層、一半導體主動層、一半導體蕭特基接觸層、一半導體帽層、一歐姆金屬接觸電極層、做為汲極與源極電極及做為閘極電極之蕭特基金屬接觸電極層以形成一金屬－半導體三端式電晶體結構之氫氣感測器；本發明提供之氫氣感測器製造方法係將無電鍍技術融合於一般半導體製程中，該蕭特基金屬接觸電極層係以無電鍍技術鍍覆於該半導體蕭特基接觸層上，以減少費米能階釘住效應，並強化該氫氣感測器之電性。
简体摘要：本发明系关于一种氢气传感器及其制造方法，该氢气传感器包括一半导体基底、一半导体缓冲层、一半导体主动层、一半导体萧特基接触层、一半导体帽层、一欧姆金属接触电极层、做为汲极与源极电极及做为闸极电极之萧特基金属接触电极层以形成一金属－半导体三端式晶体管结构之氢气传感器；本发明提供之氢气传感器制造方法系将无电镀技术融合于一般半导体制程中，该萧特基金属接触电极层系以无电镀技术镀覆于该半导体萧特基接触层上，以减少费米能阶钉住效应，并强化该氢气传感器之电性。

9. 发明专利

TW201135225A 氣體感測器 GAS SENSOR 审中-公开
简体标题：气体传感器 GAS SENSOR
公开(公告)号：TW201135225A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099147266
申请日：2010-12-31
申请人：應用奈米科技控股股份有限公司
发明人：帕夫洛夫斯基伊格爾
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N33/005
摘要：具有瞬時反應的氣體感測器使用一或更多振盪器，同時不涉及化學反應或其他材料變更。感測器可用於任何應用中來測量氣體濃度的百分比範圍，或被吸收的氣體之質量。
简体摘要：具有瞬时反应的气体传感器使用一或更多振荡器，同时不涉及化学反应或其他材料变更。传感器可用于任何应用中来测量气体浓度的百分比范围，或被吸收的气体之质量。

10. 发明专利

TW200732660A 氫感測器 HYDROGEN SENSOR 失效
简体标题：氢传感器 HYDROGEN SENSOR
公开(公告)号：TW200732660A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095135220
申请日：2006-09-22
申请人：奈米專賣股份有限公司 NANO-PROPRIETARY, INC.
发明人：伊格爾帕夫洛夫斯基 PAVLOVSKY, IGOR
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N33/005 , F01N2560/02 , G01N29/022 , G01N29/036 , G01N29/30 , G01N2291/021 , G01N2291/02809 , G01N2291/0426 , G01N2291/0427
摘要：一種能立即反應的氫感測器(100),使用一或多個石英音叉(101, 102),同時不涉及化學反應或其它的材料改變。感測器(100)可用於任何用途,用以測量氫濃度的百分比範圍。
简体摘要：一种能立即反应的氢传感器(100),使用一或多个石英音叉(101, 102),同时不涉及化学反应或其它的材料改变。传感器(100)可用于任何用途,用以测量氢浓度的百分比范围。

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