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81. 发明专利

TW201617171A 使用傾向引導流體於噴灑主體下方且前往入口埠之流體出口的拋光墊清理系統及其方法审中-公开
简体标题：使用倾向引导流体于喷洒主体下方且前往入口端口之流体出口的抛光垫清理系统及其方法
公开(公告)号：TW201617171A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104126604
申请日：2015-08-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴特菲爾德保羅D , BUTTERFIELD, PAUL D. , 張壽松 , CHANG, SHOU SUNG , 金泛稙 , KIM, BUM JICK
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/34
CPC分类号： B24B53/017 , B24B1/00 , B24B53/02
摘要：本案揭示使用傾向引導流體於噴灑主體下方且前往入口埠之流體出口的拋光墊清理系統及其相關方法。結合漿料之拋光墊接觸基板以使基板之表面平面化且移除基板缺陷，同時產生碎屑。噴灑系統從拋光墊移除碎屑以防止基板損壞並改良效率。藉由引導流體於噴灑主體下方到達拋光墊且前往入口埠，可將碎屑攜帶在流體中並將碎屑引導至噴灑主體之內氣室中。隨後，經由出口埠從內氣室中移除流體所攜帶之碎屑。以此方式，碎屑移除可減少基板缺陷，改良設施清潔度，且改良拋光墊效率。
简体摘要：本案揭示使用倾向引导流体于喷洒主体下方且前往入口端口之流体出口的抛光垫清理系统及其相关方法。结合浆料之抛光垫接触基板以使基板之表面平面化且移除基板缺陷，同时产生碎屑。喷洒系统从抛光垫移除碎屑以防止基板损坏并改良效率。借由引导流体于喷洒主体下方到达抛光垫且前往入口端口，可将碎屑携带在流体中并将碎屑引导至喷洒主体之内气室中。随后，经由出口端口从内气室中移除流体所携带之碎屑。以此方式，碎屑移除可减少基板缺陷，改良设施清洁度，且改良抛光垫效率。

82. 发明专利

TW201615798A 用於降低腐蝕的化學機械拋光漿料及其使用方法审中-公开
简体标题：用于降低腐蚀的化学机械抛光浆料及其使用方法
公开(公告)号：TW201615798A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104135151
申请日：2015-10-26
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：路布雷克 J , LEW, BLAKE J. , 慕雷拉克里希納 P , MURELLA, KRISHNA P. , 格雷夫馬爾康 , GRIEF, MALCOLM , 史曉波 , SHI, XIAOBO , 坦波利迪昂奈許向魯康德 , TAMBOLI, DNYANESH CHANDRAKANT , 歐尼爾馬克李納德 , O'NEILL, MARK LEONARD
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/302 , B24B29/02 , B24B37/04
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/14 , C09K3/1436 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , C09K13/00 , C23F1/26 , C23F1/38 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要：本文描述的是用於半導體晶圓上含鎢膜的化學機械平坦化(CMP)的漿料及相關方法和系統。該等漿料包含研磨料、含活化劑粒子、過氧氧化劑(peroxygen oxidizer)、pH調節劑，而且其餘部分為水。該等漿料具有在4至10範圍中的pH；較佳為5至9；更佳為6至8。
简体摘要：本文描述的是用于半导体晶圆上含钨膜的化学机械平坦化(CMP)的浆料及相关方法和系统。该等浆料包含研磨料、含活化剂粒子、过氧氧化剂(peroxygen oxidizer)、pH调节剂，而且其余部分为水。该等浆料具有在4至10范围中的pH；较佳为5至9；更佳为6至8。

83. 实用新型

TWM515931U 晶圓研磨裝置有权
简体标题：晶圆研磨设备
公开(公告)号：TWM515931U
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW104213691
申请日：2015-08-24
申请人：尚源股份有限公司
发明人：劉國強
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304

84. 发明专利

TWI518157B 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法有权
简体标题：具有可调介电质研磨选择性之浆液组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI518157B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100135705
申请日：2011-10-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213

85. 发明专利

TWI517935B 氣體添加硏磨液的供應系統及其方法有权
简体标题：气体添加研磨液的供应系统及其方法
公开(公告)号：TWI517935B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102113466
申请日：2013-04-16
申请人：國立台灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳炤彰 , CHEN, CHAO CHANG , 周炳伸 , CHOU, PING SHEN , 杜維剛 , TU, WEI KANG
IPC分类号： B24B37/04 , B24C3/08
CPC分类号： B24B57/00 , B24B37/34

86. 发明专利

TWI516340B 用於化學機械平坦化之拋光墊及／或其他拋光方法有权
简体标题：用于化学机械平坦化之抛光垫及／或其他抛光方法
公开(公告)号：TWI516340B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW099100535
申请日：2010-01-11
申请人：諾發沛拉納科技公司 , NOVAPLANAR TECHNOLOGY INC.
发明人：奧立佛麥可R , OLIVER, MICHAEL R.
IPC分类号： B24D3/28 , C08L83/04 , C08J5/14 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/24

87. 发明专利

TW201600231A 拋光研磨裝置及其方法审中-公开
简体标题：抛光研磨设备及其方法
公开(公告)号：TW201600231A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103120697
申请日：2014-06-16
申请人：捷斯奧企業有限公司
发明人：李政民 , 譚安宏
IPC分类号： B24B37/04
摘要：本發明係揭露一種拋光研磨裝置及其方法。此拋光研磨裝置包含一基座組件及一砂輪組件。基座組件係包含一第一基座及一第二基座，第一基座及第二基座分別設有至少一通孔。砂輪組件係設置於第一基座與第二基座之間，砂輪組件包含設有複數個孔隙之一第一砂輪及一第二砂輪，且第一砂輪及第二砂輪分別係連接第一基座及第二基座，第一砂輪及第二砂輪係夾合一工件，以對工件之表面進行拋光研磨作業。其中，於執行拋光研磨作業時，至少一通孔係提供液體或氣體進入，並經由第一砂輪及第二砂輪之複數個孔隙流通至工件之表面。
简体摘要：本发明系揭露一种抛光研磨设备及其方法。此抛光研磨设备包含一基座组件及一砂轮组件。基座组件系包含一第一基座及一第二基座，第一基座及第二基座分别设有至少一通孔。砂轮组件系设置于第一基座与第二基座之间，砂轮组件包含设有复数个孔隙之一第一砂轮及一第二砂轮，且第一砂轮及第二砂轮分别系连接第一基座及第二基座，第一砂轮及第二砂轮系夹合一工件，以对工件之表面进行抛光研磨作业。其中，于运行抛光研磨作业时，至少一通孔系提供液体或气体进入，并经由第一砂轮及第二砂轮之复数个孔隙流通至工件之表面。

88. 发明专利

TWI498954B 磊晶矽晶圓的製造方法有权
简体标题：磊晶硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI498954B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099127773
申请日：2010-08-19
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：緒方晉一 , OGATA, SHINICHI , 高石和成 , TAKAISHI, KAZUSHIGE , 西村弘德 , NISHIMURA, HIRONORI , 奧內茂 , OKUUCHI, SHIGERU , 御廚俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE , 中吉雄一 , NAKAYOSHI, YUICHI
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14 , H01L21/205 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/02024

89. 发明专利

TWI492005B 基板於處理期間之光譜監控的適合度有权
简体标题：基板于处理期间之光谱监控的适合度
公开(公告)号：TWI492005B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098135987
申请日：2009-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大衛傑弗瑞杜魯 , DAVID, JEFFREY DRUE , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 李哈利Q , LEE, HARRY Q.
IPC分类号： G05B19/18 , B24B49/12 , B24B37/04
CPC分类号： H01L22/12 , G01N21/55 , G01N21/9501 , H01L22/26

90. 发明专利

TWI483808B 具有終點偵測視窗的化學機械平坦化墊有权
简体标题：具有终点侦测窗口的化学机械平坦化垫
公开(公告)号：TWI483808B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW097146288
申请日：2008-11-28
申请人：英諾帕德股份有限公司 , INNOPAD, INC.
发明人：萊弗里保羅 , LEFEVRE, PAUL , 徐奧斯卡K , HSU, OSCAR K. , 威爾斯大衛A , WELLS, DAVID ADAM , 艾德伯夫約翰E , ALDEBORGH, JOHN ERIK , 金馬克C , JIN, MARC C.
IPC分类号： B24B37/04 , B24D13/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B29C70/467

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