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81. 发明专利

TW201816831A 藉由使主射頻產生器與邊緣射頻產生器同步以達成與電漿腔室內之邊緣區域有關的預定因子之系統及方法审中-公开
简体标题：借由使主射频产生器与边缘射频产生器同步以达成与等离子腔室内之边缘区域有关的预定因子之系统及方法
公开(公告)号：TW201816831A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124679
申请日：2017-07-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 柯札維奇菲力克斯 , KOZAKEVICH, FELIX , 克拉吉麥可 C , KELLOGG, MICHAEL C. , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 露千西肯尼斯 , LUCCHESI, KENNETH , 容候補呈 , ZHAO, LIN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：描述用以達成與電漿腔室中的邊緣區域有關之預定因子的方法及系統。該等方法其中一者包含：將一RF信號提供至該電漿腔室中的一主電極。該RF信號係基於一第一RF產生器之操作頻率而產生。該方法更包含將另一RF信號提供至該電漿腔室中的一邊緣電極。該另一RF信號係基於該第一RF產生器之操作頻率而產生。該方法包含接收一變數的一第一測量結果、接收該變數的一第二測量結果、及基於該第一測量結果及該第二測量結果而修改該另一RF信號的一相位。該方法包含改變與一第二RF產生器有關的一變數的一強度以達成該預定因子。
简体摘要：描述用以达成与等离子腔室中的边缘区域有关之预定因子的方法及系统。该等方法其中一者包含：将一RF信号提供至该等离子腔室中的一主电极。该RF信号系基于一第一RF产生器之操作频率而产生。该方法更包含将另一RF信号提供至该等离子腔室中的一边缘电极。该另一RF信号系基于该第一RF产生器之操作频率而产生。该方法包含接收一变量的一第一测量结果、接收该变量的一第二测量结果、及基于该第一测量结果及该第二测量结果而修改该另一RF信号的一相位。该方法包含改变与一第二RF产生器有关的一变量的一强度以达成该预定因子。

82. 发明专利

TW201812982A 用以防止電性發弧與點火並改善製程均勻性之具有特徵部的靜電夾頭审中-公开
简体标题：用以防止电性发弧与点火并改善制程均匀性之具有特征部的静电夹头
公开(公告)号：TW201812982A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122460
申请日：2017-07-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬堤育斯金亞歷山大 , MATYUSHKIN, ALEXANDER , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 高夫凱伊斯 , GAFF, KEITH , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：用於基板處理系統的基板支撐件包括底板、設置在底板上的黏合層、與配置在黏合層上的陶瓷層。陶瓷層包括第一區域與位於第一區域徑向外側的第二區域，第一區域具有第一厚度，第二區域具有第二厚度，且第一厚度大於第二厚度。
简体摘要：用于基板处理系统的基板支撑件包括底板、设置在底板上的黏合层、与配置在黏合层上的陶瓷层。陶瓷层包括第一区域与位于第一区域径向外侧的第二区域，第一区域具有第一厚度，第二区域具有第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。

83. 发明专利

TW201812834A 在半導體裝置製造中之錫氧化物薄膜間隔件审中-公开
简体标题：在半导体设备制造中之锡氧化物薄膜间隔件
公开(公告)号：TW201812834A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121182
申请日：2017-06-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 威茲理查 , WISE, RICHARD , 馬侯羅瓦拉阿爾潘 , MAHOROWALA, ARPAN , 凡克林帕派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A. , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/407 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01J37/32091 , H01J37/32862 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341 , H01J2237/3342 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67069
摘要：薄的錫氧化物膜係在半導體元件製造中用作間隔件。在一實施方式中，薄的錫氧化物膜係保形地沉積至一半導體基板之上，該半導體基板具有第一材料（例如矽氧化物或矽氮化物）之曝露層及包含第二材料（例如矽或碳）的複數突出特徵部。舉例而言，10-100 nm厚的錫氧化物層可使用原子層沉積加以沉積。接著，錫氧化物膜係自水平表面加以移除而沒有自突出特徵部的側壁完全移除。接著，突出特徵部的材料係被蝕刻掉，在基板上留下錫氧化物間隔件。此係接著蝕刻第一材料之未受保護的部分而沒有移除間隔件。接著，底層係加以蝕刻，及間隔件係加以移除。含錫顆粒可藉由被轉變成揮發性的錫氫化物而自處理腔室加以移除。
简体摘要：薄的锡氧化物膜系在半导体组件制造中用作间隔件。在一实施方式中，薄的锡氧化物膜系保形地沉积至一半导体基板之上，该半导体基板具有第一材料（例如硅氧化物或硅氮化物）之曝露层及包含第二材料（例如硅或碳）的复数突出特征部。举例而言，10-100 nm厚的锡氧化物层可使用原子层沉积加以沉积。接着，锡氧化物膜系自水平表面加以移除而没有自突出特征部的侧壁完全移除。接着，突出特征部的材料系被蚀刻掉，在基板上留下锡氧化物间隔件。此系接着蚀刻第一材料之未受保护的部分而没有移除间隔件。接着，底层系加以蚀刻，及间隔件系加以移除。含锡颗粒可借由被转变成挥发性的锡氢化物而自处理腔室加以移除。

84. 发明专利

TW201812082A 為改善晶圓邊緣之方位角厚度均勻性而施行的晶圓在凹槽內之定心审中-公开
简体标题：为改善晶圆边缘之方位角厚度均匀性而施行的晶圆在凹槽内之定心
公开(公告)号：TW201812082A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123739
申请日：2017-07-17
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴爾達塞羅尼克洛伊 , BALDASSERONI, CHLOE , 明歇爾愛德蒙 B , MINSHALL, EDMUND B. , 帕斯果法蘭克L , PASQUALE, FRANK L. , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6875 , C23C16/45525 , C23C16/4583 , C23C16/4585 , C23C16/50 , C23C16/54 , H01L21/0228 , H01L21/67748 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/68771
摘要：一種在膜沉積期間減少晶圓滑動的方法，包含在晶圓係在升降銷或承載環上加以支撐的同時汞抽處理腔室，及在膜沉積期間將晶圓降低在配置成最小化晶圓滑動的支座構件上。多工作站式處理腔室（諸如用於原子層沉積的處理腔室）可包含在具有晶圓支座之各工作站的無夾頭基座，該等晶圓支座係配置成防止晶圓移動偏離中心超過400微米。為了使晶圓下方的氣墊最小化，晶圓支座可在晶圓的背側及該基座之面向晶圓的表面之間提供至少2密耳的間隙。
简体摘要：一种在膜沉积期间减少晶圆滑动的方法，包含在晶圆系在升降销或承载环上加以支撑的同时汞抽处理腔室，及在膜沉积期间将晶圆降低在配置成最小化晶圆滑动的支座构件上。多任务作站式处理腔室（诸如用于原子层沉积的处理腔室）可包含在具有晶圆支座之各工作站的无夹头基座，该等晶圆支座系配置成防止晶圆移动偏离中心超过400微米。为了使晶圆下方的气垫最小化，晶圆支座可在晶圆的背侧及该基座之面向晶圆的表面之间提供至少2密耳的间隙。

85. 发明专利

TW201810357A 用以產生電漿系統中之統計值的方法及系統审中-公开
简体标题：用以产生等离子系统中之统计值的方法及系统
公开(公告)号：TW201810357A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106144705
申请日：2013-12-13
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馮安德魯 S , FONG,ANDREW S. , 微寇爾小約翰 C , VALCORE,JOHN C. JR.
IPC分类号： H01J37/32 , G06F17/10
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要：本發明敘述用於精簡統計資料之系統及方法。該方法包括：自射頻（RF）系統接收變數；將該變數傳遞通過RF系統之模型；以及針對該變數來計算模型之輸出，以產生總數。該方法更包括：判斷總數是否滿足總數臨界值；在確定總數滿足總數臨界值之後，於模型之輸出處產生該變數的統計值；以及將統計值傳送到RF系統，以調整該變數。
简体摘要：本发明叙述用于精简统计数据之系统及方法。该方法包括：自射频（RF）系统接收变量；将该变量传递通过RF系统之模型；以及针对该变量来计算模型之输出，以产生总数。该方法更包括：判断总数是否满足总数临界值；在确定总数满足总数临界值之后，于模型之输出处产生该变量的统计值；以及将统计值发送到RF系统，以调整该变量。

86. 发明专利

TWI613317B 雙相清洗腔室及具有此腔室之組件有权
简体标题：双相清洗腔室及具有此腔室之组件
公开(公告)号：TWI613317B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW101126330
申请日：2012-07-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：雅維言亞門 , AVOYAN, ARMEN , 庫克斯克里夫拉 , CROIX, CLIFF LA , 侍宏 , SHIH, HONG
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B3/00 , B08B3/02 , H01J21/00 , H01J37/32532 , H01L21/00

87. 发明专利

TWI612855B 利用基於阻抗之電力及頻率調整的電漿處理方法有权
简体标题：利用基于阻抗之电力及频率调整的等离子处理方法
公开(公告)号：TWI612855B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW106113387
申请日：2013-02-21
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE,JOHN C. JR. , 琳戴克布萊佛J , LYNDAKER,BRADFORD J.
IPC分类号： H05H7/02
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , H01J37/3299

88. 发明专利

TW201803027A 用以在高性能積體電路中整合鍺化物的方法审中-公开
简体标题：用以在高性能集成电路中集成锗化物的方法
公开(公告)号：TW201803027A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110245
申请日：2017-03-28
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：貝瑟保羅雷蒙 , BESSER, PAUL RAYMOND , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/2855 , H01L21/823412 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/42392 , H01L29/66651 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要：一種用以製作積體電路的方法，包含（a）提供一基板，該基板包括n型金屬氧化物半導體場效電晶體（NMOSFET）及p型金屬氧化物半導體場效電晶體（PMOSFET），其中NMOSFET及PMOSFET的通道區域包括鍺；（b）沉積並圖案化遮罩層，以遮蓋PMOSFET的通道區域，但不遮蓋NMOSFET的通道區域；（c）使基板的曝露表面鈍化；（d）移除遮罩層；及（e）在NMOSFET及PMOSFET上皆沉積金屬接觸層。
简体摘要：一种用以制作集成电路的方法，包含（a）提供一基板，该基板包括n型金属氧化物半导体场效应管（NMOSFET）及p型金属氧化物半导体场效应管（PMOSFET），其中NMOSFET及PMOSFET的信道区域包括锗；（b）沉积并图案化遮罩层，以遮盖PMOSFET的信道区域，但不遮盖NMOSFET的信道区域；（c）使基板的曝露表面钝化；（d）移除遮罩层；及（e）在NMOSFET及PMOSFET上皆沉积金属接触层。

89. 发明专利

TW201803009A 用於邊角移除之卡盤及用於邊角移除前之晶圓定心方法审中-公开
简体标题：用于边角移除之卡盘及用于边角移除前之晶圆定心方法
公开(公告)号：TW201803009A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110459
申请日：2017-03-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：拉布里亞倫路易斯 , LABRIE, AARON LOUIS , 布倫德羅伯特林登 , BRAENDLE, ROBERT LYNDEN , 斯威尼奇安歐文 , SWEENEY, CIAN OWEN
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/02041 , H01L21/6708 , H01L21/68728
摘要：一種在邊角移除(EBR)製程期間支撐晶圓用的卡盤包含：一可旋轉的中心轂，其具有自該可旋轉的中心轂向外延伸的複數支撐臂；複數支撐銷，位於該複數支撐臂的複數末端上；複數氣體通道，延伸通過該複數支撐銷的複數上表面；及該複數支撐臂中的複數氣體管，該複數氣體管係用以將氣體供給至該複數氣體通道或將真空供給至該複數氣體通道。該複數支撐臂可包含複數對準凸輪，該複數對準凸輪可自遠離該晶圓之一外圍的一外非對準位置旋轉至晶圓受到定心處的一內對準位置。為了供給氣體至或施加真空力至該複數支撐銷中的該複數氣體出口，該可旋轉的中心轂可具有一氣體入口及與該複數支撐臂中之該複數氣體輸送管流體交流的複數氣體輸送接口。氣體可藉由連接至該氣體入口的一加壓氣體源而被供給至該複數氣體出口且吸力可藉由連接至該氣體入口的一真空源而被施加至該複數氣體出口。在定心期間，該晶圓係漂浮在一氣體墊上降低該複數支撐銷的磨損。
简体摘要：一种在边角移除(EBR)制程期间支撑晶圆用的卡盘包含：一可旋转的中心毂，其具有自该可旋转的中心毂向外延伸的复数支撑臂；复数支撑销，位于该复数支撑臂的复数末端上；复数气体信道，延伸通过该复数支撑销的复数上表面；及该复数支撑臂中的复数气体管，该复数气体管系用以将气体供给至该复数气体信道或将真空供给至该复数气体信道。该复数支撑臂可包含复数对准凸轮，该复数对准凸轮可自远离该晶圆之一外围的一外非对准位置旋转至晶圆受到定心处的一内对准位置。为了供给气体至或施加真空力至该复数支撑销中的该复数气体出口，该可旋转的中心毂可具有一气体入口及与该复数支撑臂中之该复数气体输送管流体交流的复数气体输送接口。气体可借由连接至该气体入口的一加压气体源而被供给至该复数气体出口且吸力可借由连接至该气体入口的一真空源而被施加至该复数气体出口。在定心期间，该晶圆系漂浮在一气体垫上降低该复数支撑销的磨损。

90. 发明专利

TW201802292A 阻隔板與噴淋頭組件及對應的製造方法审中-公开
简体标题：阻隔板与喷淋头组件及对应的制造方法
公开(公告)号：TW201802292A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111973
申请日：2017-04-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬德森艾瑞克羅素 , MADSEN, ERIC RUSSELL , 迪布達爾蘭斯 , DYRDAHL, LANCE
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32 , B23K20/12
CPC分类号： H01J37/3244 , B23K20/127 , C23C16/45565 , C23C16/45591 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32633 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要：一種阻隔板組件，其包括阻隔板、環及支撐構件。阻隔板具有一外徑，並且配置成將氣體分佈通過基板處理系統之噴淋頭組件的噴淋頭。氣體係接收自噴淋頭組件的桿部。環具有一內徑，並且配置成設置在噴淋頭組件的環形通道之中。該內徑大於阻隔板的外徑。支撐構件自阻隔板延伸至環。環及支撐構件將阻隔板固持在噴淋頭的頂板與底板之間的位置。
简体摘要：一种阻隔板组件，其包括阻隔板、环及支撑构件。阻隔板具有一外径，并且配置成将气体分布通过基板处理系统之喷淋头组件的喷淋头。气体系接收自喷淋头组件的杆部。环具有一内径，并且配置成设置在喷淋头组件的环形信道之中。该内径大于阻隔板的外径。支撑构件自阻隔板延伸至环。环及支撑构件将阻隔板固持在喷淋头的顶板与底板之间的位置。

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