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1. 发明专利

TW201812830A 藉由奇次諧波混頻以設計離子能量分佈函數之系統及方法审中-公开
简体标题：借由奇次谐波混频以设计离子能量分布函数之系统及方法
公开(公告)号：TW201812830A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121335
申请日：2017-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32678 , H01J2237/327
摘要：揭露控制電漿室內施加至基板之製程的系統及方法。該系統及方法包含產生與供給複數奇次諧波訊號並加總該複數奇次諧波訊號以產生一經加法運算的訊號。該經加法運算的訊號被供給至用以處理基板用之電漿室內的一電極。使用複數奇次諧波訊號促進基板之高深寬比蝕刻。
简体摘要：揭露控制等离子室内施加至基板之制程的系统及方法。该系统及方法包含产生与供给复数奇次谐波信号并加总该复数奇次谐波信号以产生一经加法运算的信号。该经加法运算的信号被供给至用以处理基板用之等离子室内的一电极。使用复数奇次谐波信号促进基板之高深宽比蚀刻。

2. 发明专利

TWI668725B 使用模型化、回授及阻抗匹配之蝕刻速率的控制有权
简体标题：使用模型化、回授及阻抗匹配之蚀刻速率的控制
公开(公告)号：TWI668725B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW103133992
申请日：2014-09-30
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：琳戴克布萊佛J , LYNDAKER, BRADFORD J. , 微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 傑法瑞恩德瑞尼沙伊德賈法 , JAFARIAN-TEHRANI, SEYED JAFAR , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TW201810344A 使用耦合環中之電極以控制邊緣區域中之離子的方向性之系統及方法审中-公开
简体标题：使用耦合环中之电极以控制边缘区域中之离子的方向性之系统及方法
公开(公告)号：TW201810344A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120282
申请日：2017-06-19
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：克拉吉麥可 C , KELLOGG, MICHAEL C. , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 柯札維奇菲力克斯 , KOZAKEVICH, FELIX , 露千西肯尼斯 , LUCCHESI, KENNETH
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32155 , H01J37/1471 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32642
摘要：描述用以控制電漿腔室內之邊緣區域的離子通量之方向性的系統及方法。該等系統其中一者包含：一第一射頻(RF)產生器，用以產生一第一RF信號；一第一阻抗匹配電路，連接至該第一RF產生器用以接收該第一RF信號以產生一第一修改後RF信號；及一電漿腔室。該電漿腔室包含：一邊緣環；及一耦合環，位於該邊緣環下方且連接至該第一阻抗匹配電路以接收該第一修改後RF信號。該耦合環包含一電極，該電極於該電極與該邊緣環之間產生一電容以在接收到該第一修改後RF信號後控制離子通量之方向性。
简体摘要：描述用以控制等离子腔室内之边缘区域的离子通量之方向性的系统及方法。该等系统其中一者包含：一第一射频(RF)产生器，用以产生一第一RF信号；一第一阻抗匹配电路，连接至该第一RF产生器用以接收该第一RF信号以产生一第一修改后RF信号；及一等离子腔室。该等离子腔室包含：一边缘环；及一耦合环，位于该边缘环下方且连接至该第一阻抗匹配电路以接收该第一修改后RF信号。该耦合环包含一电极，该电极于该电极与该边缘环之间产生一电容以在接收到该第一修改后RF信号后控制离子通量之方向性。

4. 发明专利

TW201843763A 無螺栓基板支撐組件审中-公开
简体标题：无螺栓基板支撑组件
公开(公告)号：TW201843763A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107350
申请日：2018-03-06
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：郝芳莉 , HAO, FANGLI , 付越虹 , FU, YUEHONG , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/683
摘要：一種基板支座包含一導電性底板，其係配置以支撐一陶瓷層。該導電性底板包含第一腔穴，該第一腔穴沿著垂直於由該導電性底板所界定之水平面的一軸線延伸。一耦合組件係配置於該第一腔穴內。該耦合組件包含一齒輪，其係配置以繞著該軸線轉動。一銷件係配置於該第一腔穴內，該銷件沿著該軸線延伸通過該齒輪並進入在該導電性底板下方的第二腔穴。該齒輪之轉動使得該銷件相對於該導電性底板而向上或向下移動。當該齒輪被轉動以使該銷件向下移動進入該第二腔穴時，該銷件係固持於該第二腔穴內。
简体摘要：一种基板支座包含一导电性底板，其系配置以支撑一陶瓷层。该导电性底板包含第一腔穴，该第一腔穴沿着垂直于由该导电性底板所界定之水平面的一轴线延伸。一耦合组件系配置于该第一腔穴内。该耦合组件包含一齿轮，其系配置以绕着该轴线转动。一销件系配置于该第一腔穴内，该销件沿着该轴线延伸通过该齿轮并进入在该导电性底板下方的第二腔穴。该齿轮之转动使得该销件相对于该导电性底板而向上或向下移动。当该齿轮被转动以使该销件向下移动进入该第二腔穴时，该销件系固持于该第二腔穴内。

5. 发明专利

TW201842610A 用以降低發弧的氦插塞設計审中-公开
简体标题：用以降低发弧的氦插塞设计
公开(公告)号：TW201842610A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107105728
申请日：2018-02-21
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：郝芳莉 , HAO, FANGLI , 付越虹 , FU, YUEHONG , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要：基板支撐件包括底板、設置在底板上的陶瓷層、設置在底板與陶瓷層之間的第一間隙中之接合層、穿過底板及接合層及陶瓷層而形成的通道、以及設置在通道中的插塞。插塞包括設置在底板中的下部及設置在陶瓷層中的上部。下部包括袋狀部及包圍袋狀部的側壁。上部延伸至陶瓷層及第一間隙之下並進入袋狀部之內，下部的側壁與上部部分重疊，且在上部與下部之間的第二間隙係位在第一間隙下方的下部的袋狀部之中。
简体摘要：基板支撑件包括底板、设置在底板上的陶瓷层、设置在底板与陶瓷层之间的第一间隙中之接合层、穿过底板及接合层及陶瓷层而形成的信道、以及设置在信道中的插塞。插塞包括设置在底板中的下部及设置在陶瓷层中的上部。下部包括袋状部及包围袋状部的侧壁。上部延伸至陶瓷层及第一间隙之下并进入袋状部之内，下部的侧壁与上部部分重叠，且在上部与下部之间的第二间隙系位在第一间隙下方的下部的袋状部之中。

6. 发明专利

TW201816831A 藉由使主射頻產生器與邊緣射頻產生器同步以達成與電漿腔室內之邊緣區域有關的預定因子之系統及方法审中-公开
简体标题：借由使主射频产生器与边缘射频产生器同步以达成与等离子腔室内之边缘区域有关的预定因子之系统及方法
公开(公告)号：TW201816831A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124679
申请日：2017-07-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 柯札維奇菲力克斯 , KOZAKEVICH, FELIX , 克拉吉麥可 C , KELLOGG, MICHAEL C. , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 露千西肯尼斯 , LUCCHESI, KENNETH , 容候補呈 , ZHAO, LIN
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：描述用以達成與電漿腔室中的邊緣區域有關之預定因子的方法及系統。該等方法其中一者包含：將一RF信號提供至該電漿腔室中的一主電極。該RF信號係基於一第一RF產生器之操作頻率而產生。該方法更包含將另一RF信號提供至該電漿腔室中的一邊緣電極。該另一RF信號係基於該第一RF產生器之操作頻率而產生。該方法包含接收一變數的一第一測量結果、接收該變數的一第二測量結果、及基於該第一測量結果及該第二測量結果而修改該另一RF信號的一相位。該方法包含改變與一第二RF產生器有關的一變數的一強度以達成該預定因子。
简体摘要：描述用以达成与等离子腔室中的边缘区域有关之预定因子的方法及系统。该等方法其中一者包含：将一RF信号提供至该等离子腔室中的一主电极。该RF信号系基于一第一RF产生器之操作频率而产生。该方法更包含将另一RF信号提供至该等离子腔室中的一边缘电极。该另一RF信号系基于该第一RF产生器之操作频率而产生。该方法包含接收一变量的一第一测量结果、接收该变量的一第二测量结果、及基于该第一测量结果及该第二测量结果而修改该另一RF信号的一相位。该方法包含改变与一第二RF产生器有关的一变量的一强度以达成该预定因子。

7. 发明专利

TW201812982A 用以防止電性發弧與點火並改善製程均勻性之具有特徵部的靜電夾頭审中-公开
简体标题：用以防止电性发弧与点火并改善制程均匀性之具有特征部的静电夹头
公开(公告)号：TW201812982A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122460
申请日：2017-07-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬堤育斯金亞歷山大 , MATYUSHKIN, ALEXANDER , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 高夫凱伊斯 , GAFF, KEITH , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：用於基板處理系統的基板支撐件包括底板、設置在底板上的黏合層、與配置在黏合層上的陶瓷層。陶瓷層包括第一區域與位於第一區域徑向外側的第二區域，第一區域具有第一厚度，第二區域具有第二厚度，且第一厚度大於第二厚度。
简体摘要：用于基板处理系统的基板支撑件包括底板、设置在底板上的黏合层、与配置在黏合层上的陶瓷层。陶瓷层包括第一区域与位于第一区域径向外侧的第二区域，第一区域具有第一厚度，第二区域具有第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。

8. 发明专利

TWI687963B 具有對稱傳導與射頻傳輸用直立式支撐柱之腔室有权
简体标题：具有对称传导与射频传输用直立式支撑柱之腔室
公开(公告)号：TWI687963B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105111722
申请日：2016-04-15
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：布朗丹尼爾亞瑟 , BROWN, DANIEL ARTHUR , 霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 克拉吉麥可 C , KELLOGG, MICHAEL C. , 塔彭詹姆士 E , TAPPAN, JAMES E. , 翁托利克傑瑞爾 K , ANTOLIK, JERREL K. , 肯沃西意恩 , KENWORTHY, IAN , 帕那格普洛斯席爾 , PANAGOPOULOS, THEO , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46

9. 发明专利

TWI673792B 用於使均勻的射頻功率流過之具有電性導通密合墊片的靜電夾持組件有权
简体标题：用于使均匀的射频功率流过之具有电性导通密合垫片的静电夹持组件
公开(公告)号：TWI673792B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104133439
申请日：2015-10-13
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：肯伯克利斯多夫 , KIMBALL, CHRISTOPHER , 高夫凱伊斯 , GAFF, KEITH , 馬堤育斯金亞歷山大 , MATYUSHKIN, ALEXANDER , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG , 卡門登特凱伊斯 , COMENDANT, KEITH
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/285

10. 发明专利

TW201842620A 具有改良的處理均勻性之基板支撐件审中-公开
简体标题：具有改良的处理均匀性之基板支撑件
公开(公告)号：TW201842620A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107100004
申请日：2018-01-02
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：郝芳莉 , HAO, FANGLI , 付越虹 , FU, YUEHONG , 陳志剛 , CHEN, ZHIGANG
IPC分类号： H01L21/683
摘要：一種基板支撐件，其用以在基板處理系統中支撐基板，該基板支撐件包含一底板、及配置在該底板上方的一陶瓷層。該陶瓷層之外周邊係被一邊緣環所圍繞。該陶瓷層之外半徑係較該邊緣環之內半徑更大，使得該陶瓷層之外邊緣在該邊緣環下方延伸。
简体摘要：一种基板支撑件，其用以在基板处理系统中支撑基板，该基板支撑件包含一底板、及配置在该底板上方的一陶瓷层。该陶瓷层之外周边系被一边缘环所围绕。该陶瓷层之外半径系较该边缘环之内半径更大，使得该陶瓷层之外边缘在该边缘环下方延伸。

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