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1. 发明专利

TW201903833A 具有原子層蝕刻重置之選擇性沉積审中-公开
简体标题：具有原子层蚀刻重置之选择性沉积
公开(公告)号：TW201903833A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112841
申请日：2018-04-16
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞迪卡蒲瑟利西 , REDDY, KAPU SIRISH , 蘭維爾梅利哈格茲德 , RAINVILLE, MELIHA GOZDE , 珊卡納葛 , SHANKAR, NAGRAJ , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 斯瓦哈瑪克里斯南卡爾提克 , SIVARAMAKRISHNAN, KARTHIK , 波特大衛 W , PORTER, DAVID W.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：提供用於藉由在半導體基板上選擇性地沉積材料而在該基板上執行沉積的方法。該基板具有複數基板材料，每一者具有對應於沉積於其上之材料的不同成核延遲。具體而言，根據隨沉積進行而降低的成核延遲差距，與其上欲進行沉積之第一基板材料相關聯的成核延遲小於與其上不欲進行沉積之第二基板材料相關聯的成核延遲。蝕刻所沉積之材料的一部分，以重新建立第一與第二基板材料之間的成核延遲差距。將材料進一步選擇性地沉積在基板上。
简体摘要：提供用于借由在半导体基板上选择性地沉积材料而在该基板上运行沉积的方法。该基板具有复数基板材料，每一者具有对应于沉积于其上之材料的不同成核延迟。具体而言，根据随沉积进行而降低的成核延迟差距，与其上欲进行沉积之第一基板材料相关联的成核延迟小于与其上不欲进行沉积之第二基板材料相关联的成核延迟。蚀刻所沉积之材料的一部分，以重新创建第一与第二基板材料之间的成核延迟差距。将材料进一步选择性地沉积在基板上。

2. 发明专利

TW201812834A 在半導體裝置製造中之錫氧化物薄膜間隔件审中-公开
简体标题：在半导体设备制造中之锡氧化物薄膜间隔件
公开(公告)号：TW201812834A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121182
申请日：2017-06-26
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 威茲理查 , WISE, RICHARD , 馬侯羅瓦拉阿爾潘 , MAHOROWALA, ARPAN , 凡克林帕派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A. , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/407 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01J37/32091 , H01J37/32862 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341 , H01J2237/3342 , H01L21/02175 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67069
摘要：薄的錫氧化物膜係在半導體元件製造中用作間隔件。在一實施方式中，薄的錫氧化物膜係保形地沉積至一半導體基板之上，該半導體基板具有第一材料（例如矽氧化物或矽氮化物）之曝露層及包含第二材料（例如矽或碳）的複數突出特徵部。舉例而言，10-100 nm厚的錫氧化物層可使用原子層沉積加以沉積。接著，錫氧化物膜係自水平表面加以移除而沒有自突出特徵部的側壁完全移除。接著，突出特徵部的材料係被蝕刻掉，在基板上留下錫氧化物間隔件。此係接著蝕刻第一材料之未受保護的部分而沒有移除間隔件。接著，底層係加以蝕刻，及間隔件係加以移除。含錫顆粒可藉由被轉變成揮發性的錫氫化物而自處理腔室加以移除。
简体摘要：薄的锡氧化物膜系在半导体组件制造中用作间隔件。在一实施方式中，薄的锡氧化物膜系保形地沉积至一半导体基板之上，该半导体基板具有第一材料（例如硅氧化物或硅氮化物）之曝露层及包含第二材料（例如硅或碳）的复数突出特征部。举例而言，10-100 nm厚的锡氧化物层可使用原子层沉积加以沉积。接着，锡氧化物膜系自水平表面加以移除而没有自突出特征部的侧壁完全移除。接着，突出特征部的材料系被蚀刻掉，在基板上留下锡氧化物间隔件。此系接着蚀刻第一材料之未受保护的部分而没有移除间隔件。接着，底层系加以蚀刻，及间隔件系加以移除。含锡颗粒可借由被转变成挥发性的锡氢化物而自处理腔室加以移除。

3. 发明专利

TW201903191A 用於負型圖案遮罩之極紫外光圖案化及選擇性沉積审中-公开
简体标题：用于负型图案遮罩之极紫外光图案化及选择性沉积
公开(公告)号：TW201903191A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107113678
申请日：2018-04-23
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 馬侯羅瓦拉阿爾潘 , MAHOROWALA, ARPAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/027
摘要：用於在EUV圖案化之背景下形成負型圖案遮罩的處理及設備利用選擇性沉積處理，以在EUV光阻中所界定的特徵部中沉積金屬氧化物或金屬氮化物薄膜，俾製備用於圖案化的負型圖像。用以產生「負型」圖像之方法並不涉及回蝕步驟，因而能提供小的光阻空間餘裕。形成「負型」圖像的材料係比光阻更為顯著地抗蝕刻，其消除了附加硬遮罩轉移層之需求。
简体摘要：用于在EUV图案化之背景下形成负型图案遮罩的处理及设备利用选择性沉积处理，以在EUV光阻中所界定的特征部中沉积金属氧化物或金属氮化物薄膜，俾制备用于图案化的负型图像。用以产生“负型”图像之方法并不涉及回蚀步骤，因而能提供小的光阻空间余裕。形成“负型”图像的材料系比光阻更为显着地抗蚀刻，其消除了附加硬遮罩转移层之需求。

4. 发明专利

TW201840883A 矽氧化物之選擇性沉積审中-公开
简体标题：硅氧化物之选择性沉积
公开(公告)号：TW201840883A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107104892
申请日：2018-02-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要：在此說明相對於矽氮化物表面而選擇性地將矽氧化物沉積在矽氧化物表面上的方法與設備。方法包含：使用氨及/或氮電漿對基板表面進行前處理；以及在熱原子層沉積反應中，使用胺基矽烷矽前驅物與氧化劑的交替脈衝選擇性地將矽氧化物沉積在矽氧化物表面上，而不將矽氧化物沉積在曝露矽氮化物表面上。
简体摘要：在此说明相对于硅氮化物表面而选择性地将硅氧化物沉积在硅氧化物表面上的方法与设备。方法包含：使用氨及/或氮等离子对基板表面进行前处理；以及在热原子层沉积反应中，使用胺基硅烷硅前驱物与氧化剂的交替脉冲选择性地将硅氧化物沉积在硅氧化物表面上，而不将硅氧化物沉积在曝露硅氮化物表面上。

5. 发明专利

TW201920738A 介電膜之幾何性選擇沉積审中-公开
简体标题：介电膜之几何性选择沉积
公开(公告)号：TW201920738A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128760
申请日：2018-08-17
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M. , 福克斯亞歷山大 R , FOX, ALEXANDER R. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/02
摘要：提出一種在圖案化特徵部之側壁表面上進行材料之選擇沉積之方法。在一些實施例中，該方法涉及，提供基板，基板具有從基板表面凹陷之特徵部。特徵部具有底部及從底部延伸之側壁。使用原子層沉積（ALD）處理以沉積保形膜在特徵部上。藉由使基板暴露至指向性電漿而使沉積在底部上之保形膜進行改質，俾使在底部上之保形膜比在側壁上之保形膜較不緻密。優先對於沉積在特徵部底部上之已改質的保形膜進行蝕刻。亦提出一種在圖案化特徵部之水平表面上進行選擇沉積之方法。
简体摘要：提出一种在图案化特征部之侧壁表面上进行材料之选择沉积之方法。在一些实施例中，该方法涉及，提供基板，基板具有从基板表面凹陷之特征部。特征部具有底部及从底部延伸之侧壁。使用原子层沉积（ALD）处理以沉积保形膜在特征部上。借由使基板暴露至指向性等离子而使沉积在底部上之保形膜进行改质，俾使在底部上之保形膜比在侧壁上之保形膜较不致密。优先对于沉积在特征部底部上之已改质的保形膜进行蚀刻。亦提出一种在图案化特征部之水平表面上进行选择沉积之方法。

6. 发明专利

TW201903829A 矽氮化物之選擇性成長审中-公开
简体标题：硅氮化物之选择性成长
公开(公告)号：TW201903829A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108738
申请日：2018-03-15
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/34
摘要：本文提供用於相對於矽氧化物表面在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物、及相對於矽表面在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物的方法及設備。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽氧化物表面上選擇性地沉積矽氮化物之前，將基板曝露於選擇性地與矽表面反應的烯烴，以藉由在矽表面上形成有機部分而阻擋矽表面。方法涉及在使用熱力式原子層沉積在矽表面上選擇性地沉積矽氮化物之前，將基板曝露於選擇性地與矽氧化物表面反應的烷基矽基鹵化物，以藉由在矽氧化物表面上形成有機部分而阻擋矽氧化物表面。
简体摘要：本文提供用于相对于硅氧化物表面在硅表面上选择性地沉积硅氮化物、及相对于硅表面在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物的方法及设备。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅氧化物表面上选择性地沉积硅氮化物之前，将基板曝露于选择性地与硅表面反应的烯烃，以借由在硅表面上形成有机部分而阻挡硅表面。方法涉及在使用热力式原子层沉积在硅表面上选择性地沉积硅氮化物之前，将基板曝露于选择性地与硅氧化物表面反应的烷基硅基卤化物，以借由在硅氧化物表面上形成有机部分而阻挡硅氧化物表面。

7. 发明专利

TW201903184A 在矽氧化物存在的情況下於矽表面上之矽氧化物或矽氮化物之選擇性成長审中-公开
简体标题：在硅氧化物存在的情况下于硅表面上之硅氧化物或硅氮化物之选择性成长
公开(公告)号：TW201903184A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107982
申请日：2018-03-09
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/314 , H01L21/02
摘要：本文提供用於在對矽氧化物或矽氮化物材料具有選擇性的矽或金屬表面上選擇性地沉積含矽介電材料或含金屬介電材料的方法及設備。方法涉及將基板曝露於醯氯，該醯氯係與沉積不受期望的矽氧化物或矽氮化物材料反應，以在矽氧化物或矽氮化物材料上形成阻擋沉積的酮結構。對醯氯的曝露係在期望之含矽介電材料或含金屬介電材料的沉積之前執行。
简体摘要：本文提供用于在对硅氧化物或硅氮化物材料具有选择性的硅或金属表面上选择性地沉积含硅介电材料或含金属介电材料的方法及设备。方法涉及将基板曝露于酰氯，该酰氯系与沉积不受期望的硅氧化物或硅氮化物材料反应，以在硅氧化物或硅氮化物材料上形成阻挡沉积的酮结构。对酰氯的曝露系在期望之含硅介电材料或含金属介电材料的沉积之前运行。

8. 发明专利

TW201843329A 使用催化控制將矽氮化物選擇性沉積於矽氧化物上审中-公开
简体标题：使用催化控制将硅氮化物选择性沉积于硅氧化物上
公开(公告)号：TW201843329A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107107603
申请日：2018-03-07
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 豪斯曼恩丹尼斯 M , HAUSMANN, DENNIS M.
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/02
摘要：本文提供用於在基板之曝露的矽氧化物表面上相對於曝露的矽表面選擇性地沉積矽氮化物的方法及設備。技術涉及將三甲基鋁提供至基板，以在曝露的矽氧化物表面上形成含鋁的部分、及使用交替之胺基矽烷及聯胺的脈衝在相對於曝露的矽表面之曝露的矽氧化物表面上藉由受含鋁部分催化的熱力式原子層沉積在表面上選擇性地沉積矽氮化物。額外的技術涉及將含過渡金屬的氣體提供至曝露的矽氧化物表面，以在使用交替之胺基矽烷和聯胺之脈衝之矽氮化物的熱力式原子層沉積期間形成作為催化劑之含過渡金屬的部分。
简体摘要：本文提供用于在基板之曝露的硅氧化物表面上相对于曝露的硅表面选择性地沉积硅氮化物的方法及设备。技术涉及将三甲基铝提供至基板，以在曝露的硅氧化物表面上形成含铝的部分、及使用交替之胺基硅烷及联胺的脉冲在相对于曝露的硅表面之曝露的硅氧化物表面上借由受含铝部分催化的热力式原子层沉积在表面上选择性地沉积硅氮化物。额外的技术涉及将含过渡金属的气体提供至曝露的硅氧化物表面，以在使用交替之胺基硅烷和联胺之脉冲之硅氮化物的热力式原子层沉积期间形成作为催化剂之含过渡金属的部分。

9. 发明专利

TW201828458A 整合式直接介質與金屬沉積审中-公开
简体标题：集成式直接介质与金属沉积
公开(公告)号：TW201828458A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106135227
申请日：2017-10-16
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李威廉 T , LEE, WILLIAM T. , 凡史貴凡迪巴頓 J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 丹納克米歇爾 , DANEK, MICHAL , 凡克林帕派崔克 A , VAN CLEEMPUT, PATRICK A. , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH
IPC分类号： H01L27/11526
摘要：在單一工具中或甚至在單一處理室中，當直接沉積具有多層之OMOM堆疊時，高效率的整合式依序沉積介電及導體交替層（例如氧化物/金屬或金屬氮化物，例如SiO2/TiN）可增加產出而不損害品質。本發明可以達成在同一處理工具或處理室中進行至少20對的導體/介電薄膜對的堆疊之導體及介電薄膜沉積、而不破壞該等薄膜沉積之間的真空，俾使在該等導體及介電薄膜對沉積間無實質交叉污染。
简体摘要：在单一工具中或甚至在单一处理室中，当直接沉积具有多层之OMOM堆栈时，高效率的集成式依序沉积介电及导体交替层（例如氧化物/金属或金属氮化物，例如SiO2/TiN）可增加产出而不损害品质。本发明可以达成在同一处理工具或处理室中进行至少20对的导体/介电薄膜对的堆栈之导体及介电薄膜沉积、而不破坏该等薄膜沉积之间的真空，俾使在该等导体及介电薄膜对沉积间无实质交叉污染。

10. 发明专利

TW201634737A 膜均勻性改良用硬體及程序审中-公开
简体标题：膜均匀性改良用硬件及进程
公开(公告)号：TW201634737A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142386
申请日：2015-12-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：庫瑪普魯夏坦 , KUMAR, PURUSHOTTAM , 康虎 , KANG, HU , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 邱奕崇 , CHIU, YI CHUNG , 帕斯果法蘭克 L , PASQUALE, FRANK L. , 錢駿 , QIAN, JUN , 巴爾達塞羅尼克洛伊 , BALDASSERONI, CHLOE , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR , 里瑟卡爾 F , LEESER, KARL F. , 史密斯大衛查爾斯 , SMITH, DAVID CHARLES , 賴維志 , LAI, WEI CHIH
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45561
摘要：本案發明人已構想用於基板處理設備的多步驟處理氣體輸送系統。在某些實施例中，首先可將第一處理氣體輸送到基板處理腔室中的基板。在隨後的時間點，可將第二處理氣體輸送到該基板以幫助該基板的平整配量。第一處理氣體與第二處理氣體的輸送可在相同時間點停止，或在個別的時間點停止。
简体摘要：本案发明人已构想用于基板处理设备的多步骤处理气体输送系统。在某些实施例中，首先可将第一处理气体输送到基板处理腔室中的基板。在随后的时间点，可将第二处理气体输送到该基板以帮助该基板的平整配量。第一处理气体与第二处理气体的输送可在相同时间点停止，或在个别的时间点停止。

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