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61. 发明专利

TW201041029A 包含具有前側與背側之矽單晶基材及沉積在前側上之ＳｉＧｅ層之晶圓之製造方法 A METHOD FOR PRODUCING A WAFER COMPRISING A SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING A FRONT AND A BACK SIDE AND A LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE 审中-公开
简体标题：包含具有前侧与背侧之硅单晶基材及沉积在前侧上之ＳｉＧｅ层之晶圆之制造方法 A METHOD FOR PRODUCING A WAFER COMPRISING A SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING A FRONT AND A BACK SIDE AND A LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE
公开(公告)号：TW201041029A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099107597
申请日：2010-03-16
申请人：世創電子材料公司
发明人：史托克彼得 , 巴士察哈德湯瑪士
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02658 , Y10S438/933
摘要：一種包含具有前側和背側的矽單晶基材和沉積在該前側上之SiGe層之晶圓的製造方法,該方法包含下列順序步驟:同時拋光該矽單晶基材的前側和背側;在該矽單晶基材的背側上沉積一應力補償層;拋光該矽單晶基材的前側;清潔該具有沉積在該背側上之壓力補償層的矽單晶基材;以及在該矽單晶基材的前側上沉積完全或部分鬆弛的SiGe層。
简体摘要：一种包含具有前侧和背侧的硅单晶基材和沉积在该前侧上之SiGe层之晶圆的制造方法,该方法包含下列顺序步骤:同时抛光该硅单晶基材的前侧和背侧;在该硅单晶基材的背侧上沉积一应力补偿层;抛光该硅单晶基材的前侧;清洁该具有沉积在该背侧上之压力补偿层的硅单晶基材;以及在该硅单晶基材的前侧上沉积完全或部分松弛的SiGe层。

62. 发明专利

TWI333003B 支撐生長中半導體材料單結晶之支撐裝置及製造單結晶之方法 SUPPORTING APPARATUS FOR SUPPORTING A GROWING SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL 失效
简体标题：支撑生长中半导体材料单结晶之支撑设备及制造单结晶之方法 SUPPORTING APPARATUS FOR SUPPORTING A GROWING SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI333003B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW095130911
申请日：2006-08-23
申请人：世創電子材料公司
发明人：帝特克諾瑞
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06 , Y10S117/902 , Y10S117/911 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要：本發明之內容係於拉晶設備內支撐半導體材料組成之單結晶8縮細頸部81增粗部分82之支撐裝置1，該拉晶設備係利用左科拉斯基坩堝拉晶法操作，該支撐裝置1在其下部有一具有中心開口之承重裝置121、122，具有一直徑D1之圓(其中心點位於垂直軸16上)在水平面內切該中心開口，且該承重裝置121、122係藉助於一個或多個連接元件132、133、134與至少一個固定元件14相連，該固定元件14係安裝在承重裝置121、122上面，且適合固定在拉晶設備之升降裝置2上，該等連接元件132、133、134在緊靠承重裝置121、122上面之區域內，該連接元件留下一無障礙空間，在該空間內，中心點位於垂直軸16上，直徑D2大於直徑D1可在任何一個預期之水平面內切，其中該支撐裝置1本來就是固定的。
本發明之內容亦與利用該支撐裝置之半導體材料單結晶之製造方法有關。
简体摘要：本发明之内容系于拉晶设备内支撑半导体材料组成之单结晶8缩细颈部81增粗部分82之支撑设备1，该拉晶设备系利用左科拉斯基坩埚拉晶法操作，该支撑设备1在其下部有一具有中心开口之承重设备121、122，具有一直径D1之圆(其中心点位于垂直轴16上)在水平面内切该中心开口，且该承重设备121、122系借助于一个或多个连接组件132、133、134与至少一个固定组件14相连，该固定组件14系安装在承重设备121、122上面，且适合固定在拉晶设备之升降设备2上，该等连接组件132、133、134在紧靠承重设备121、122上面之区域内，该连接组件留下一无障碍空间，在该空间内，中心点位于垂直轴16上，直径D2大于直径D1可在任何一个预期之水平面内切，其中该支撑设备1本来就是固定的。本发明之内容亦与利用该支撑设备之半导体材料单结晶之制造方法有关。

63. 发明专利

TWI330866B 載具內半導體晶圓雙面拋光之方法、載具及由該方法所製造之半導體晶圓 METHOD FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR WAFER ON BOTH SIDES IN A CARRIER, CARRIER AND A SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCED BY THE METHOD 有权
简体标题：载具内半导体晶圆双面抛光之方法、载具及由该方法所制造之半导体晶圆 METHOD FOR MACHINING A SEMICONDUCTOR WAFER ON BOTH SIDES IN A CARRIER, CARRIER AND A SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCED BY THE METHOD
公开(公告)号：TWI330866B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW095126442
申请日：2006-07-19
申请人：世創電子材料公司
发明人：呂帝格西謀奇 , 湯瑪斯布希哈特 , 蓋爾哈德海爾 , 吉斗文斯基
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B37/28 , Y10S438/959
摘要：本發明包括雙面機械加工一半導體晶圓所用之方法及載具(carrier)，其中該半導體晶圓係定位在該載具之切割框內，並藉同時移除該半導體晶圓正面及背面之材料，將該半導體晶圓之厚度減至一標的厚度。在該方法中，係將該半導體晶圓機械加工至較一載具主體(carrier body)薄且較一用以襯墊該載具內之切割框以保護該半導體晶圓之嵌體厚。該載具之特徵是：於該半導體晶圓之整個機械加工期間，該載具主體及該嵌體具有不同之厚度且該載具主體係較該嵌體厚，其厚度差達20至70微米。本發明之另一內容係一雙面業經拋光之半導體晶圓，該晶圓具有一正面、一背面、一邊緣以及一正面上之局部平整度(以區分地段前側區分地段最小平方範圍值SFQRmax表示之)：在邊緣除外範圍為R-2公厘處係低於50奈米及在邊緣除外範圍為R-1公厘處係低於115奈米，且係以區分地段面積為26×8公厘之長方格為基準。
简体摘要：本发明包括双面机械加工一半导体晶圆所用之方法及载具(carrier)，其中该半导体晶圆系定位在该载具之切割框内，并藉同时移除该半导体晶圆正面及背面之材料，将该半导体晶圆之厚度减至一标的厚度。在该方法中，系将该半导体晶圆机械加工至较一载具主体(carrier body)薄且较一用以衬垫该载具内之切割框以保护该半导体晶圆之嵌体厚。该载具之特征是：于该半导体晶圆之整个机械加工期间，该载具主体及该嵌体具有不同之厚度且该载具主体系较该嵌体厚，其厚度差达20至70微米。本发明之另一内容系一双面业经抛光之半导体晶圆，该晶圆具有一正面、一背面、一边缘以及一正面上之局部平整度(以区分地段前侧区分地段最小平方范围值SFQRmax表示之)：在边缘除外范围为R-2公厘处系低于50奈米及在边缘除外范围为R-1公厘处系低于115奈米，且系以区分地段面积为26×8公厘之长方格为基准。

64. 发明专利

TWI330673B 製造具有一定缺陷特性之矽半導體晶圓之方法 PROCESS FOR PRODUCING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER WITH DEFINED DEFECT PROPERTIES 有权
简体标题：制造具有一定缺陷特性之硅半导体晶圆之方法 PROCESS FOR PRODUCING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER WITH DEFINED DEFECT PROPERTIES
公开(公告)号：TWI330673B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW095121131
申请日：2006-06-14
申请人：世創電子材料公司
发明人：維爾弗里德安孟 , 瓦爾特海克勒 , 安德瑞斯胡貝爾 , 吳勒瑞希藍拜爾特
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06
摘要：本發明之內容係一種用以製造矽半導體晶圓之方法，其中利用左科拉斯基法抽拉矽單結晶並將其加工製成半導體晶圓，在抽拉該單結晶期間適度控制拉晶速率V與生長正面軸向溫度梯度G之比例V/G，俾在該單結晶內形成大小超過臨界大小之聚結空位缺陷，在製造電子元件過程中，在與電子元件相關之半導體晶圓區域內，該聚結空位缺陷適度收縮，俾在該區域內之大小不再超過該臨界大小。
本發明之另一內容係一種矽半導體晶圓，在與電子元件相關之區域內，該矽半導體晶圓具有聚結空位缺陷，該聚結空位缺陷具有一內表面(該內表面至少部分無氧化物層)且該聚結空位缺陷之大小低於50奈米。
简体摘要：本发明之内容系一种用以制造硅半导体晶圆之方法，其中利用左科拉斯基法抽拉硅单结晶并将其加工制成半导体晶圆，在抽拉该单结晶期间适度控制拉晶速率V与生长正面轴向温度梯度G之比例V/G，俾在该单结晶内形成大小超过临界大小之聚结空位缺陷，在制造电子组件过程中，在与电子组件相关之半导体晶圆区域内，该聚结空位缺陷适度收缩，俾在该区域内之大小不再超过该临界大小。本发明之另一内容系一种硅半导体晶圆，在与电子组件相关之区域内，该硅半导体晶圆具有聚结空位缺陷，该聚结空位缺陷具有一内表面(该内表面至少部分无氧化物层)且该聚结空位缺陷之大小低于50奈米。

65. 发明专利

TWI327100B 具有成形邊緣之半導體晶圓之製造方法 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE MIT EINER PROFILIERTEN KANTE 失效
简体标题：具有成形边缘之半导体晶圆之制造方法 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE MIT EINER PROFILIERTEN KANTE
公开(公告)号：TWI327100B
公开(公告)日：2010-07-11
申请号：TW096116464
申请日：2007-05-09
申请人：世創電子材料公司
发明人：周齊姆麥茨 , 安東修伯 , 約格摩瑟
IPC分类号： B28D
CPC分类号： H01L21/02021
摘要：本發明係關於一種具成形邊緣之半導體晶圓之製造方法，包括以下步驟：自一晶體分離該半導體晶圓；一邊緣輪廓產生步驟，於其中機械加工該邊緣並使其獲得一相對於目標輪廓為真正比例之輪廓；一機械加工步驟，於其中減少該半導體晶圓之厚度；以及一邊緣輪廓加工步驟，於其中機械加工該邊緣且使其獲得該目標輪廓。
简体摘要：本发明系关于一种具成形边缘之半导体晶圆之制造方法，包括以下步骤：自一晶体分离该半导体晶圆；一边缘轮廓产生步骤，于其中机械加工该边缘并使其获得一相对于目标轮廓为真正比例之轮廓；一机械加工步骤，于其中减少该半导体晶圆之厚度；以及一边缘轮廓加工步骤，于其中机械加工该边缘且使其获得该目标轮廓。

66. 发明专利

TW201025432A 處理半導體晶圓之方法 VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
简体标题：处理半导体晶圆之方法 VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TW201025432A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098141485
申请日：2009-12-04
申请人：世創電子材料公司
发明人：史瓦伯甘特 , 菲糾狄亞哥 , 巴士察哈德湯瑪士 , 路斯漢斯約阿辛 , 索林傑法蘭斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B3/08 , H01L21/02052 , H01L21/67028
摘要：本發明係關於一種處理半導體晶圓(5)之方法,其中:在一至少部分裝有一含氟化氫之溶液(91)之液體容器(11)中處理該半導體晶圓(5),使得位於該半導體晶圓(5)表面之氧化物溶解;自該溶液(91)沿一輸送方向(81)輸出該半導體晶圓(5),並乾燥之;以及乾燥後,以一含臭氧氣體(93)處理該半導體晶圓(5),以氧化該半導體晶圓(5)之表面,其中當半導體晶圓(5)之另一部分表面仍與該溶液(91)接觸時,該半導體晶圓(5)之一部分表面已與該含臭氧氣體(93)接觸,其中係於空間上分隔該溶液(91)及該含臭氧氣體(93)使其不會彼此接觸。
简体摘要：本发明系关于一种处理半导体晶圆(5)之方法,其中:在一至少部分装有一含氟化氢之溶液(91)之液体容器(11)中处理该半导体晶圆(5),使得位于该半导体晶圆(5)表面之氧化物溶解;自该溶液(91)沿一输送方向(81)输出该半导体晶圆(5),并干燥之;以及干燥后,以一含臭氧气体(93)处理该半导体晶圆(5),以氧化该半导体晶圆(5)之表面,其中当半导体晶圆(5)之另一部分表面仍与该溶液(91)接触时,该半导体晶圆(5)之一部分表面已与该含臭氧气体(93)接触,其中系于空间上分隔该溶液(91)及该含臭氧气体(93)使其不会彼此接触。

67. 发明专利

TW201024479A 退火晶圓和製備退火晶圓的方法 ANNEALED WAFER AND METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER 审中-公开
简体标题：退火晶圆和制备退火晶圆的方法 ANNEALED WAFER AND METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER
公开(公告)号：TW201024479A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098142849
申请日：2009-12-15
申请人：世創電子材料公司
发明人：石坂和紀 , 中居克彥 , 福田真行
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/02 , C30B33/02
摘要：本發明涉及一種製備退火晶圓的方法，其在650℃至800℃的溫度下加熱一氮濃度為5×10 14 /立方公分至1×10 16 /立方公分，碳濃度為1×10 15 /立方公分至5×10 16 /立方公分，氧濃度為6×10 17 /立方公分至11×10 17 /立方公分的矽基材4小時或更長的時間；以及在1100℃到1250℃的溫度下對加熱的基材進行氬退火，其中退火之後的內部疊差密度等於或高於5×10 8 /立方公分。
简体摘要：本发明涉及一种制备退火晶圆的方法，其在650℃至800℃的温度下加热一氮浓度为5×10 14 /立方公分至1×10 16 /立方公分，碳浓度为1×10 15 /立方公分至5×10 16 /立方公分，氧浓度为6×10 17 /立方公分至11×10 17 /立方公分的硅基材4小时或更长的时间；以及在1100℃到1250℃的温度下对加热的基材进行氩退火，其中退火之后的内部叠差密度等于或高于5×10 8 /立方公分。

68. 发明专利

TW201017745A 拋光半導體晶圓兩面的方法 VERFAHREN ZUM BEIDSEITIGEN POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
简体标题：抛光半导体晶圆两面的方法 VERFAHREN ZUM BEIDSEITIGEN POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TW201017745A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098136482
申请日：2009-10-28
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德尤爾根
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/461 , Y10T428/24355
摘要：本發明係關於一種拋光半導體晶圓兩面的方法，其包含以下規定順序之步驟：a）在一拋光墊上拋光該半導體晶圓之背面，該拋光墊含有一固定在該拋光墊中之研磨劑，在該拋光步驟期間、在該半導體晶圓之背面和該拋光墊之間引入一不含固體之拋光劑溶液；b）在一拋光墊上材料拋光（stock polishing）該半導體晶圓之正面，該拋光墊含有一固定在該拋光墊中之研磨劑，在該拋光步驟期間、在該半導體晶圓之正面和該拋光墊之間引入一不含固體之拋光劑溶液；c）藉由在一拋光墊上拋光該半導體晶圓之正面而自該半導體晶圓之正面除去微粗糙度和微損傷，在該拋光步驟期間、在該半導體晶圓之正面和該拋光墊之間引入一含有研磨劑之拋光劑懸浮液；d）藉由在一拋光墊上拋光該半導體晶圓之正面而精整拋光（finish polishing）該半導體晶圓之正面，該拋光墊不含有固定在該拋光墊中之研磨劑，在該拋光步驟期間、在該半導體晶圓之正面和該拋光墊之間引入一含有研磨劑之拋光劑懸浮液。
简体摘要：本发明系关于一种抛光半导体晶圆两面的方法，其包含以下规定顺序之步骤：a）在一抛光垫上抛光该半导体晶圆之背面，该抛光垫含有一固定在该抛光垫中之研磨剂，在该抛光步骤期间、在该半导体晶圆之背面和该抛光垫之间引入一不含固体之抛光剂溶液；b）在一抛光垫上材料抛光（stock polishing）该半导体晶圆之正面，该抛光垫含有一固定在该抛光垫中之研磨剂，在该抛光步骤期间、在该半导体晶圆之正面和该抛光垫之间引入一不含固体之抛光剂溶液；c）借由在一抛光垫上抛光该半导体晶圆之正面而自该半导体晶圆之正面除去微粗糙度和微损伤，在该抛光步骤期间、在该半导体晶圆之正面和该抛光垫之间引入一含有研磨剂之抛光剂悬浮液；d）借由在一抛光垫上抛光该半导体晶圆之正面而精整抛光（finish polishing）该半导体晶圆之正面，该抛光垫不含有固定在该抛光垫中之研磨剂，在该抛光步骤期间、在该半导体晶圆之正面和该抛光垫之间引入一含有研磨剂之抛光剂悬浮液。

69. 发明专利

TW201016389A 用於扁平工件之雙面加工之裝置及用於多個半導體晶圓之同時雙面材料移除加工之方法审中-公开
简体标题：用于扁平工件之双面加工之设备及用于多个半导体晶圆之同时双面材料移除加工之方法
公开(公告)号：TW201016389A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098134477
申请日：2009-10-12
申请人：世創電子材料公司 , 彼得華特斯股份有限公司
发明人：柯斯坦麥克 , 皮奇喬治 , 瑞柯法蘭克 , 馮貝托爾斯海姆康拉德 , 慕勒黑格爾
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B7/17 , B24B37/08 , B24B47/12
摘要：本發明係關於一種用於扁平工件(1)之雙面加工的裝置，包含：上一工作盤（4b）及一下工作盤（4a），其中該等工作盤（4a、4b）之至少一者係可藉由一驅動裝置以轉動方式被驅動，且該等工作盤（4a、4b）之間係形成一工作間隙（64），該工作間隙（64）中係設置有至少一承載盤（5），其具有至少一供至少一欲加工之工件（1）用之缺口（25），其中該至少一承載盤（5）在其圓周上具有齒（10），若齒輪或栓環（7a、7b）中之至少一者被轉動，則該承載盤（5）藉由該齒（10）於內、外齒輪或栓環（7a、7b）上滾動，其中該等齒輪或栓環（7a、7b）各具複數個輪齒結構或栓結構，該等承載盤（5）之齒（10）在滾動過程中係與該輪齒結構或該栓結構嚙合，其中該等栓結構之至少一者具有至少一導件（48），其限制該至少一承載盤（5）之邊緣在至少一軸向方向上之移動，其中一導件（48）係由至少一在栓結構之一第一較大直徑與一第二較小直徑之間、繞著該栓結構之圓周延伸之肩部（50）所形成，另一導件（48）係由繞著該栓結構之圓周延伸之至少一凹槽（15）之邊表面（56、58）所形成。
简体摘要：本发明系关于一种用于扁平工件(1)之双面加工的设备，包含：上一工作盘（4b）及一下工作盘（4a），其中该等工作盘（4a、4b）之至少一者系可借由一驱动设备以转动方式被驱动，且该等工作盘（4a、4b）之间系形成一工作间隙（64），该工作间隙（64）中系设置有至少一承载盘（5），其具有至少一供至少一欲加工之工件（1）用之缺口（25），其中该至少一承载盘（5）在其圆周上具有齿（10），若齿轮或栓环（7a、7b）中之至少一者被转动，则该承载盘（5）借由该齿（10）于内、外齿轮或栓环（7a、7b）上滚动，其中该等齿轮或栓环（7a、7b）各具复数个轮齿结构或栓结构，该等承载盘（5）之齿（10）在滚动过程中系与该轮齿结构或该栓结构啮合，其中该等栓结构之至少一者具有至少一导件（48），其限制该至少一承载盘（5）之边缘在至少一轴向方向上之移动，其中一导件（48）系由至少一在栓结构之一第一较大直径与一第二较小直径之间、绕着该栓结构之圆周延伸之肩部（50）所形成，另一导件（48）系由绕着该栓结构之圆周延伸之至少一凹槽（15）之边表面（56、58）所形成。

70. 发明专利

TW200942654A 單晶矽組成之半導體晶圓及其製造方法 HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILICIUM UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
简体标题：单晶硅组成之半导体晶圆及其制造方法 HALBLEITERSCHEIBE AUS EINKRISTALLINEM SILICIUM UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
公开(公告)号：TW200942654A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098107644
申请日：2009-03-10
申请人：世創電子材料公司
发明人：汎亞蒙威爾福萊德
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04
摘要：一種單晶矽組成之半導體晶圓，包含氟且氟濃度為1×10 10 至1×10 16 個原子∕立方公分，且該晶圓沒有直徑大於或等於臨界直徑之團聚的本質點缺陷。一種製造單晶矽組成之半導體晶圓之方法，包含：提供一經氟摻雜之由矽組成之熔體；並以一速率使該熔體結晶，以形成一包含1×10 10 至1×10 16 個原子∕立方公分之氟的單晶，於該速率下，若省略作為摻雜劑之氟，則產生具有臨界直徑或更大直徑之團聚的本質點缺陷；以及自該單晶中分離出半導體晶圓。
简体摘要：一种单晶硅组成之半导体晶圆，包含氟且氟浓度为1×10 10 至1×10 16 个原子∕立方公分，且该晶圆没有直径大于或等于临界直径之团聚的本质点缺陷。一种制造单晶硅组成之半导体晶圆之方法，包含：提供一经氟掺杂之由硅组成之熔体；并以一速率使该熔体结晶，以形成一包含1×10 10 至1×10 16 个原子∕立方公分之氟的单晶，于该速率下，若省略作为掺杂剂之氟，则产生具有临界直径或更大直径之团聚的本质点缺陷；以及自该单晶中分离出半导体晶圆。

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