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1. 发明专利

TWI330673B 製造具有一定缺陷特性之矽半導體晶圓之方法 PROCESS FOR PRODUCING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER WITH DEFINED DEFECT PROPERTIES 有权
简体标题：制造具有一定缺陷特性之硅半导体晶圆之方法 PROCESS FOR PRODUCING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER WITH DEFINED DEFECT PROPERTIES
公开(公告)号：TWI330673B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW095121131
申请日：2006-06-14
申请人：世創電子材料公司
发明人：維爾弗里德安孟 , 瓦爾特海克勒 , 安德瑞斯胡貝爾 , 吳勒瑞希藍拜爾特
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06
摘要：本發明之內容係一種用以製造矽半導體晶圓之方法，其中利用左科拉斯基法抽拉矽單結晶並將其加工製成半導體晶圓，在抽拉該單結晶期間適度控制拉晶速率V與生長正面軸向溫度梯度G之比例V/G，俾在該單結晶內形成大小超過臨界大小之聚結空位缺陷，在製造電子元件過程中，在與電子元件相關之半導體晶圓區域內，該聚結空位缺陷適度收縮，俾在該區域內之大小不再超過該臨界大小。
本發明之另一內容係一種矽半導體晶圓，在與電子元件相關之區域內，該矽半導體晶圓具有聚結空位缺陷，該聚結空位缺陷具有一內表面(該內表面至少部分無氧化物層)且該聚結空位缺陷之大小低於50奈米。
简体摘要：本发明之内容系一种用以制造硅半导体晶圆之方法，其中利用左科拉斯基法抽拉硅单结晶并将其加工制成半导体晶圆，在抽拉该单结晶期间适度控制拉晶速率V与生长正面轴向温度梯度G之比例V/G，俾在该单结晶内形成大小超过临界大小之聚结空位缺陷，在制造电子组件过程中，在与电子组件相关之半导体晶圆区域内，该聚结空位缺陷适度收缩，俾在该区域内之大小不再超过该临界大小。本发明之另一内容系一种硅半导体晶圆，在与电子组件相关之区域内，该硅半导体晶圆具有聚结空位缺陷，该聚结空位缺陷具有一内表面(该内表面至少部分无氧化物层)且该聚结空位缺陷之大小低于50奈米。

2. 发明专利

TWI329344B 調平半導體晶圓之方法及裝置，與平坦度改善之半導體晶圓 METHOD AND APPARATUS FOR LEVELING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH IMPROVED FLATNESS 有权
简体标题：调平半导体晶圆之方法及设备，与平坦度改善之半导体晶圆 METHOD AND APPARATUS FOR LEVELING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH IMPROVED FLATNESS
公开(公告)号：TWI329344B
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW094139084
申请日：2005-11-08
申请人：世創電子材料公司
发明人：特雷西亞包爾 , 羅伯特郝茲勒 , 安德瑞斯胡貝爾 , 藍因侯德瓦利希
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02019 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之內容為一種調平半導體晶圓之方法，其中包括下述步驟：a)測試因位置而異之參數，該參數將該半導體晶圓特徵化，以求出該半導體晶圓整個表面上該參數因位置而異之數值，b)在蝕刻介質作用及同時照明該整個表面之情況下，蝕刻處理該半導體晶圓之整個表面，該蝕刻處理之材料－移除速率視該半導體晶圓表面之光強度而定，且該光強度係以因位置而異之方式，預先調節好，俾在步驟a)內所測試該參數因位置而異之諸值之差異按因位置而異之材料－移除速率縮減。
本發明之內容亦包括平坦度及奈米構形改善之半導體晶圓，層厚均勻性改善之矽絕緣體晶圓及實施本發明方法之裝置。
简体摘要：本发明之内容为一种调平半导体晶圆之方法，其中包括下述步骤：a)测试因位置而异之参数，该参数将该半导体晶圆特征化，以求出该半导体晶圆整个表面上该参数因位置而异之数值，b)在蚀刻介质作用及同时照明该整个表面之情况下，蚀刻处理该半导体晶圆之整个表面，该蚀刻处理之材料－移除速率视该半导体晶圆表面之光强度而定，且该光强度系以因位置而异之方式，预先调节好，俾在步骤a)内所测试该参数因位置而异之诸值之差异按因位置而异之材料－移除速率缩减。本发明之内容亦包括平坦度及奈米构形改善之半导体晶圆，层厚均匀性改善之硅绝缘体晶圆及实施本发明方法之设备。

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