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1. 发明专利

TW201041029A 包含具有前側與背側之矽單晶基材及沉積在前側上之ＳｉＧｅ層之晶圓之製造方法 A METHOD FOR PRODUCING A WAFER COMPRISING A SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING A FRONT AND A BACK SIDE AND A LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE 审中-公开
简体标题：包含具有前侧与背侧之硅单晶基材及沉积在前侧上之ＳｉＧｅ层之晶圆之制造方法 A METHOD FOR PRODUCING A WAFER COMPRISING A SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING A FRONT AND A BACK SIDE AND A LAYER OF SIGE DEPOSITED ON THE FRONT SIDE
公开(公告)号：TW201041029A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099107597
申请日：2010-03-16
申请人：世創電子材料公司
发明人：史托克彼得 , 巴士察哈德湯瑪士
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02658 , Y10S438/933
摘要：一種包含具有前側和背側的矽單晶基材和沉積在該前側上之SiGe層之晶圓的製造方法,該方法包含下列順序步驟:同時拋光該矽單晶基材的前側和背側;在該矽單晶基材的背側上沉積一應力補償層;拋光該矽單晶基材的前側;清潔該具有沉積在該背側上之壓力補償層的矽單晶基材;以及在該矽單晶基材的前側上沉積完全或部分鬆弛的SiGe層。
简体摘要：一种包含具有前侧和背侧的硅单晶基材和沉积在该前侧上之SiGe层之晶圆的制造方法,该方法包含下列顺序步骤:同时抛光该硅单晶基材的前侧和背侧;在该硅单晶基材的背侧上沉积一应力补偿层;抛光该硅单晶基材的前侧;清洁该具有沉积在该背侧上之压力补偿层的硅单晶基材;以及在该硅单晶基材的前侧上沉积完全或部分松弛的SiGe层。

2. 发明专利

TW201513176A 半導體晶圓以及生產半導體晶圓的方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆以及生产半导体晶圆的方法
公开(公告)号：TW201513176A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103132612
申请日：2014-09-22
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG , 依麥克VZW公司 , IMEC VZW
发明人：薩帕沙拉德巴哈德 , THAPA, SARAD BAHADUR , 趙明 , ZHAO, MING , 史托克彼得 , STORCK, PETER , 華納諾伯特 , WERNER, NORBERT
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L29/045 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要：一種半導體晶圓以及一種生產該半導體晶圓的方法。該半導體晶圓包含矽單晶體基材，該矽單晶體基材具有一頂表面和覆蓋該頂表面的堆疊層，該堆疊層包含：一覆蓋矽單晶體基材的頂表面的AlN成核層，其中該矽單晶體基材的頂表面的晶格取向相對於{111}-平面是取向偏離的，該頂表面的法線相對於 -方向、朝向 -方向的傾斜的角度θ不小於0.3°且不大於6°，該傾斜的方位角公差是±0.1°；以及一覆蓋AlN成核並且包含一或多個AlxGa1-xN層的AlGaN緩衝層，其中0
简体摘要：一种半导体晶圆以及一种生产该半导体晶圆的方法。该半导体晶圆包含硅单晶体基材，该硅单晶体基材具有一顶表面和覆盖该顶表面的堆栈层，该堆栈层包含：一覆盖硅单晶体基材的顶表面的AlN成核层，其中该硅单晶体基材的顶表面的晶格取向相对于{111}-平面是取向偏离的，该顶表面的法线相对于<111>-方向、朝向<11-2>-方向的倾斜的角度θ不小于0.3°且不大于6°，该倾斜的方位角公差是±0.1°；以及一覆盖AlN成核并且包含一或多个AlxGa1-xN层的AlGaN缓冲层，其中0

3. 发明专利

TWI470831B 分層半導體基材及其製造方法有权
简体标题：分层半导体基材及其制造方法
公开(公告)号：TWI470831B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101123205
申请日：2012-06-28
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 薩克斯甘特 , 羅薩默尤特 , ROTHAMMER, UTE , 塔帕撒勒巴哈杜爾 , THAPA, SARAD BAHADUR , 徐文克海爾姆特 , SCHWENK, HELMUT , 德瑞爾彼得 , DREIER, PETER , 穆勒法蘭克 , 麥爾胡伯魯道夫 , MAYRHUBER, RUDOLF
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/24

4. 发明专利

TW201423843A 磊晶晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW201423843A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102143188
申请日：2013-11-27
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 華納諾伯特 , WERNER, NORBERT , 弗德衛斯特納馬丁 , VORDERWESTNER, MARTIN , 托欽斯基彼得 , TOLCHINSKY, PETER , 葉布魯克艾文 , YABLOK, IRWIN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/3221 , H01L29/167
摘要：一種磊晶晶圓，其包含一具有第一面和第二面的矽基材晶圓、一沉積在矽基材晶圓的第一面上的矽磊晶層、以及視需要存在於該矽磊晶層頂上的一或多個額外的磊晶層，該矽磊晶層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分(atoms/cm3)或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少，或者該一或多個額外的磊晶層中的至少一層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少，或者該矽磊晶層以及該一或多個額外的磊晶層中的至少一層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少。該磊晶晶圓係於一含有一或多種矽前驅物化合物和一或多種氮前驅物化合物的沉積氣體氣氛存在的情況下，於940℃或更低的沉積溫度下藉由化學氣相沉積(CVD)沉積該矽磊晶層、該一或多個額外的磊晶層中的至少一層、或者該矽磊晶層以及該一或多個額外的磊晶層中的至少一層製造的。
简体摘要：一种磊晶晶圆，其包含一具有第一面和第二面的硅基材晶圆、一沉积在硅基材晶圆的第一面上的硅磊晶层、以及视需要存在于该硅磊晶层顶上的一或多个额外的磊晶层，该硅磊晶层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分(atoms/cm3)或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少，或者该一或多个额外的磊晶层中的至少一层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少，或者该硅磊晶层以及该一或多个额外的磊晶层中的至少一层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少。该磊晶晶圆系于一含有一或多种硅前驱物化合物和一或多种氮前驱物化合物的沉积气体气氛存在的情况下，于940℃或更低的沉积温度下借由化学气相沉积(CVD)沉积该硅磊晶层、该一或多个额外的磊晶层中的至少一层、或者该硅磊晶层以及该一或多个额外的磊晶层中的至少一层制造的。

5. 发明专利

TW201301560A 分層半導體基材及其製造方法审中-公开
简体标题：分层半导体基材及其制造方法
公开(公告)号：TW201301560A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101123205
申请日：2012-06-28
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 薩克斯甘特 , 羅薩默尤特 , ROTHAMMER, UTE , 塔帕撒勒巴哈杜爾 , THAPA, SARAD BAHADUR , 徐文克海爾姆特 , SCHWENK, HELMUT , 德瑞爾彼得 , DREIER, PETER , 穆勒法蘭克 , 麥爾胡伯魯道夫 , MAYRHUBER, RUDOLF
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/24
摘要：本發明涉及一種分層半導體基材，包括：- 一單晶第一層1，包含至少80%的矽並且具有一第一厚度和一第一晶格常數a1，該第一晶格常數a1是由一第一摻雜元素和一第一摻雜濃度來確定；以及- 一單晶第二層2，包含至少80%的矽並且具有一第二厚度和一第二晶格常數a2，該第二晶格常數a2是由一第二摻雜元素和一第二摻雜濃度確定，該第二層2與該第一層1直接接觸；以及- 一由第III族氮化物構成之單晶第三層4，以使得該第二層2位於該第一層1與該第三層4之間；其中該第二晶格常數大於該第一晶格常數，第一層1和第二層2的晶格係晶格匹配，並且該分層半導體基材的彎曲度(bow)範圍為-50微米至50微米。本發明還涉及用於製造該分層半導體基材的方法。
简体摘要：本发明涉及一种分层半导体基材，包括：- 一单晶第一层1，包含至少80%的硅并且具有一第一厚度和一第一晶格常数a1，该第一晶格常数a1是由一第一掺杂元素和一第一掺杂浓度来确定；以及- 一单晶第二层2，包含至少80%的硅并且具有一第二厚度和一第二晶格常数a2，该第二晶格常数a2是由一第二掺杂元素和一第二掺杂浓度确定，该第二层2与该第一层1直接接触；以及- 一由第III族氮化物构成之单晶第三层4，以使得该第二层2位于该第一层1与该第三层4之间；其中该第二晶格常数大于该第一晶格常数，第一层1和第二层2的晶格系晶格匹配，并且该分层半导体基材的弯曲度(bow)范围为-50微米至50微米。本发明还涉及用于制造该分层半导体基材的方法。

6. 发明专利

TWI541864B 磊晶晶圓及其製造方法有权
简体标题：磊晶晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI541864B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW102143188
申请日：2013-11-27
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG , 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 華納諾伯特 , WERNER, NORBERT , 弗德衛斯特納馬丁 , VORDERWESTNER, MARTIN , 托欽斯基彼得 , TOLCHINSKY, PETER , 葉布魯克艾文 , YABLOK, IRWIN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/3221 , H01L29/167

7. 发明专利

TWI411032B 包含具有前側與背側之矽單晶基材及沉積在前側上之ＳｉＧｅ層之晶圓之製造方法有权
简体标题：包含具有前侧与背侧之硅单晶基材及沉积在前侧上之ＳｉＧｅ层之晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI411032B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099107597
申请日：2010-03-16
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 巴士察哈德湯瑪士 , BUSCHHARDT, THOMAS
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02658 , Y10S438/933

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