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41. 发明专利

TW201833997A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201833997A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143864
申请日：2017-12-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/687
摘要：一種基板處理方法，其於基板W之上表面形成處理液之液膜30，對該液膜30噴灑包含低表面張力液之蒸汽之氣體而形成液膜去除區域31，且使該液膜去除區域31擴大，對基板W之下表面供給冷卻液29，一面將液膜30冷卻至低於低表面張力液之沸點之溫度，一面噴灑加熱氣體，選擇性地排除冷卻液29，且藉由加熱氣體加熱已排除冷卻液29之範圍33，將基板W上表面之液膜去除區域31選擇性地加熱至低表面張力液之沸點以上之溫度，且使加熱液膜去除區域31之範圍與液膜去除區域31之擴大同步地擴大。
简体摘要：一种基板处理方法，其于基板W之上表面形成处理液之液膜30，对该液膜30喷洒包含低表面张力液之蒸汽之气体而形成液膜去除区域31，且使该液膜去除区域31扩大，对基板W之下表面供给冷却液29，一面将液膜30冷却至低于低表面张力液之沸点之温度，一面喷洒加热气体，选择性地排除冷却液29，且借由加热气体加热已排除冷却液29之范围33，将基板W上表面之液膜去除区域31选择性地加热至低表面张力液之沸点以上之温度，且使加热液膜去除区域31之范围与液膜去除区域31之扩大同步地扩大。

42. 发明专利

TW201832314A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201832314A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106140562
申请日：2017-11-22
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉冨大地 , YOSHITOMI, DAICHI , 井上一樹 , INOUE, KAZUKI , 安藤幸嗣 , ANDO, KOJI , 藤井定 , FUJII, SADAMU , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，能夠將被供給至基板W的旋轉基座11側之面的處理液附著於基板W之相反側之面的情形予以減輕。複數個夾持銷12的各個係具備：基板握持部20，藉由基板的周端面被按壓而握持前述基板；支柱部18，設置於旋轉基座11，將基板握持部20由旋轉基座11向上側分離並支撐；下游側簷部21，係由基板握持部20延伸至旋轉方向DRr的下游側的部分，係具備朝向旋轉基座11內側的內向表面210S以及朝向作為旋轉基座11側的下側的簷下表面211S。下游側簷部21的簷下表面211S配置於比基板握持部20所握持的基板W的上表面更下側。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备以及基板处理方法，能够将被供给至基板W的旋转基座11侧之面的处理液附着于基板W之相反侧之面的情形予以减轻。复数个夹持销12的各个系具备：基板握持部20，借由基板的周端面被按压而握持前述基板；支柱部18，设置于旋转基座11，将基板握持部20由旋转基座11向上侧分离并支撑；下游侧檐部21，系由基板握持部20延伸至旋转方向DRr的下游侧的部分，系具备朝向旋转基座11内侧的内向表面210S以及朝向作为旋转基座11侧的下侧的檐下表面211S。下游侧檐部21的檐下表面211S配置于比基板握持部20所握持的基板W的上表面更下侧。

43. 发明专利

TW201828393A 對準機構、夾持裝置及貼合裝置审中-公开
简体标题：对准机构、夹持设备及贴合设备
公开(公告)号：TW201828393A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106140746
申请日：2017-11-23
申请人：日商龍雲股份有限公司 , TAZMO CO., LTD.
发明人：田邊雅明 , TANABE, MASAAKI , 才野耕作 , SAINO, KOSAKU
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/687
摘要：本發明之對準機構具備有具有第1旋轉軸61c之旋轉部61、3個動力傳遞機構62、及3個對準作用部63。各動力傳遞機構62具備有第1臂621及第2臂622。第1臂621具有被軸支於3個不同之位置P11~P13中對應之位置之第1端部621a、及位於與該第1端部621a之相反側之第2端部621b。第2臂622具有第2旋轉軸622c，且於與該第2旋轉軸622c不同之位置被軸支於第1臂621之第2端部621b。各對準作用部63係連結於對應之第2臂，第2旋轉軸622c係配置於朝以第1旋轉軸61c為中心之不同之3個方向離開旋轉部61之3個位置P21~P23。
简体摘要：本发明之对准机构具备有具有第1旋转轴61c之旋转部61、3个动力传递机构62、及3个对准作用部63。各动力传递机构62具备有第1臂621及第2臂622。第1臂621具有被轴支于3个不同之位置P11~P13中对应之位置之第1端部621a、及位于与该第1端部621a之相反侧之第2端部621b。第2臂622具有第2旋转轴622c，且于与该第2旋转轴622c不同之位置被轴支于第1臂621之第2端部621b。各对准作用部63系链接于对应之第2臂，第2旋转轴622c系配置于朝以第1旋转轴61c为中心之不同之3个方向离开旋转部61之3个位置P21~P23。

44. 发明专利

TWI629748B 用於薄基板搬運的靜電載體有权
简体标题：用于薄基板搬运的静电载体
公开(公告)号：TWI629748B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW106117956
申请日：2014-07-31
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克斯麥可S , COX, MICHAEL S.
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683

45. 发明专利

TW201824437A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201824437A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106139830
申请日：2017-11-17
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：仲野彰義 , NAKANO, AKIYOSHI
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687
摘要：本發明之目的在於提供一種減少基板之污染且對基板進行溫度調節之技術。本發明之基板處理裝置10具備板構件30，該板構件30具有與旋轉台22之表面22S對向之基部32，且在該基部32配設於旋轉台22與由複數個基板保持構件26保持之基板W之間之狀態下，藉由旋轉驅動部24與旋轉台22一起旋轉。又，基板處理裝置10具備：加熱用流體供給部50及冷卻用流體供給部60，其等將對板構件30進行溫度調節之溫度調節用流體供給至旋轉台22與板構件30之間；及控制部3，其控制來自加熱用流體供給部50及冷卻用流體供給部60之溫度調節用流體之供給。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种减少基板之污染且对基板进行温度调节之技术。本发明之基板处理设备10具备板构件30，该板构件30具有与旋转台22之表面22S对向之基部32，且在该基部32配设于旋转台22与由复数个基板保持构件26保持之基板W之间之状态下，借由旋转驱动部24与旋转台22一起旋转。又，基板处理设备10具备：加热用流体供给部50及冷却用流体供给部60，其等将对板构件30进行温度调节之温度调节用流体供给至旋转台22与板构件30之间；及控制部3，其控制来自加热用流体供给部50及冷却用流体供给部60之温度调节用流体之供给。

46. 发明专利

TWI626701B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI626701B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW104106198
申请日：2015-02-26
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687

47. 发明专利

TW201820476A 雷射照射裝置、雷射照射方法以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：激光照射设备、激光照射方法以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201820476A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106124560
申请日：2017-07-21
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：藤貴洋 , FUJI, TAKAHIRO , 鈴木祐輝 , SUZUKI, YUKI , 三上貴弘 , MIKAMI, TAKAHIRO , 山口芳広 , YAMAGUCHI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687 , B23K26/10
摘要：實施形態之一的雷射照射裝置(1)係一邊使用上浮單元(10)使被處理體(16)上浮並搬運被處理體(16)，一邊對被處理體(16)照射雷射光(15)。上浮單元(10)係具備有精密上浮區域(11a、11b)以及粗糙上浮區域(13a至13j)。精密上浮區域(11a、11b)係以使用氣體的噴出吸引使被處理體(16)上浮之方式所構成，粗糙上浮區域係不使用氣體的吸引而是以使用氣體的噴出使被處理體(16)上浮之方式所構成。
简体摘要：实施形态之一的激光照射设备(1)系一边使用上浮单元(10)使被处理体(16)上浮并搬运被处理体(16)，一边对被处理体(16)照射激光光(15)。上浮单元(10)系具备有精密上浮区域(11a、11b)以及粗糙上浮区域(13a至13j)。精密上浮区域(11a、11b)系以使用气体的喷出吸引使被处理体(16)上浮之方式所构成，粗糙上浮区域系不使用气体的吸引而是以使用气体的喷出使被处理体(16)上浮之方式所构成。

48. 发明专利

TW201816912A 用以處理晶圓狀物件之設備审中-公开
简体标题：用以处理晶圆状对象之设备
公开(公告)号：TW201816912A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125664
申请日：2017-07-31
申请人：奧地利商蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：龔世中 , KON, SHIH-CHUNG , 普利斯卡米蘭 , PLISKA, MILAN , 洛伊德爾貝哈德 , LOIDL, BERNHARD , 布魯格麥可 , BRUGGER, MICHAEL
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要：一種用以處理晶圓狀物件的設備，其包含具有一系列的接觸元件之旋轉卡盤，當晶圓狀物件安裝於旋轉卡盤上時，該系列的接觸元件圍繞該晶圓狀物件。非旋轉板係定位於該系列的接觸元件內側。該板包括配置成供給氣體的氣體供給部，以根據白努利定律支撐晶圓狀物件而不需接觸非旋轉板。
简体摘要：一种用以处理晶圆状对象的设备，其包含具有一系列的接触组件之旋转卡盘，当晶圆状对象安装于旋转卡盘上时，该系列的接触组件围绕该晶圆状对象。非旋转板系定位于该系列的接触组件内侧。该板包括配置成供给气体的气体供给部，以根据白努利定律支撑晶圆状对象而不需接触非旋转板。

49. 发明专利

TW201816174A 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201816174A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125833
申请日：2017-08-01
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：本發明係提供一種對半導體晶圓交互地供應例如原料氣體及反應氣體而依序層積反應生成物來進行成膜處理時，生產性較高之技術。處理容器內之旋轉台係於圓周方向上等間隔地配置有可自轉之載置台。旋轉台的上方區域係藉由等間隔地設置於圓周方向之分離部而被區劃成4個處理區域，並對間隔一個所配置之處理區域供應原料氣體。又，對處理區域供應反應氣體，並使電漿產生。將晶圓載置於各載置台，而依序停止於各處理區域般地來使旋轉台間歇地旋轉，並且當晶圓位在處理區域時，使載置台自轉，來對各晶圓同時進行所謂的ALD處理。
简体摘要：本发明系提供一种对半导体晶圆交互地供应例如原料气体及反应气体而依序层积反应生成物来进行成膜处理时，生产性较高之技术。处理容器内之旋转台系于圆周方向上等间隔地配置有可自转之载置台。旋转台的上方区域系借由等间隔地设置于圆周方向之分离部而被区划成4个处理区域，并对间隔一个所配置之处理区域供应原料气体。又，对处理区域供应反应气体，并使等离子产生。将晶圆载置于各载置台，而依序停止于各处理区域般地来使旋转台间歇地旋转，并且当晶圆位在处理区域时，使载置台自转，来对各晶圆同时进行所谓的ALD处理。

50. 发明专利

TW201816167A 矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：硅氮化膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201816167A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125188
申请日：2017-07-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置，可將具有良好膜質，且具有足夠的乾蝕刻耐受性的矽氮化膜成膜。該矽氮化膜之成膜方法，於被處理基板上，將矽氮化膜成膜，該方法包含如下步驟：對被處理基板，將吸附矽原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該矽原料氣體氮化之處理重複第1次數，以將矽氮化膜成膜的步驟；以及對被處理基板，將吸附含有氯的鈦原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該鈦原料氣體氮化之處理重複第2次數，以將氮化鈦膜成膜的步驟；將上述步驟重複既定次數，使摻雜有既定量的鈦之矽氮化膜成膜。
简体摘要：本发明提供一种硅氮化膜之成膜方法及成膜设备，可将具有良好膜质，且具有足够的干蚀刻耐受性的硅氮化膜成膜。该硅氮化膜之成膜方法，于被处理基板上，将硅氮化膜成膜，该方法包含如下步骤：对被处理基板，将吸附硅原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该硅原料气体氮化之处理重复第1次数，以将硅氮化膜成膜的步骤；以及对被处理基板，将吸附含有氯的钛原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该钛原料气体氮化之处理重复第2次数，以将氮化钛膜成膜的步骤；将上述步骤重复既定次数，使掺杂有既定量的钛之硅氮化膜成膜。

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