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41. 发明专利

TW201143549A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201143549A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099136519
申请日：2010-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山澤陽平 , 齊藤昌司 , 傳寶一樹 , 輿水地鹽 , 山涌純
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
摘要：本發明的課題是在感應耦合型的電漿處理裝置中使方位角方向且徑方向的電漿密度分布的均一性或控制性提升。其解決手段是在此感應耦合型電漿蝕刻裝置中,設於腔室(10)的頂棚的介電質壁(52)上的RF天線(54)具有:一次線圈(62),其係於天線室(56)內離開介電質窗(52)來配置於其上方,連接至來自高頻給電部(58)的RF給電路線(60,68);及二次線圈(64),其係配置於可藉由電磁感應來結合此一次線圈(62)的位置,且比此一次線圈(62)更靠近介電質窗(52)的下面(與處理空間對向的面)。
简体摘要：本发明的课题是在感应耦合型的等离子处理设备中使方位角方向且径方向的等离子密度分布的均一性或控制性提升。其解决手段是在此感应耦合型等离子蚀刻设备中,设于腔室(10)的顶棚的介电质壁(52)上的RF天线(54)具有:一次线圈(62),其系于天线室(56)内离开介电质窗(52)来配置于其上方,连接至来自高频给电部(58)的RF给电路线(60,68);及二次线圈(64),其系配置于可借由电磁感应来结合此一次线圈(62)的位置,且比此一次线圈(62)更靠近介电质窗(52)的下面(与处理空间对向的面)。

42. 发明专利

TW201138560A 射頻供能噴灑頭之偏心接地回路 OFF-CENTER GROUND RETURN FOR RF-POWERED SHOWERHEAD 审中-公开
简体标题：射频供能喷洒头之偏心接地回路 OFF-CENTER GROUND RETURN FOR RF-POWERED SHOWERHEAD
公开(公告)号：TW201138560A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099133092
申请日：2010-09-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：白宗勳 , 朴範洙 , 金亨山
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , Y10T29/49117
摘要： RF阻抗匹配網路(33)之電接地(36)係連接至電漿腔室之接地腔室蓋(18)上的連接區(50)。連接區係朝向工件通道(20)偏離腔室蓋之中心。或者,RF電源(30)具有電接地輸出端(32),其連接至腔室蓋上具有上述偏離之連接區(52)。或者,RF傳送線路(37)具有電接地導體(39),其連接於RF電源之接地輸出端以及腔室蓋上具有上述偏離之連接區(52)之間。
简体摘要： RF阻抗匹配网络(33)之电接地(36)系连接至等离子腔室之接地腔室盖(18)上的连接区(50)。连接区系朝向工件信道(20)偏离腔室盖之中心。或者,RF电源(30)具有电接地输出端(32),其连接至腔室盖上具有上述偏离之连接区(52)。或者,RF发送线路(37)具有电接地导体(39),其连接于RF电源之接地输出端以及腔室盖上具有上述偏离之连接区(52)之间。

43. 发明专利

TW201130391A 電漿電弧偵測、隔離及防止用之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR PLASMA ARC DETECTION, ISOLATION AND PREVENTION 审中-公开
简体标题：等离子电弧侦测、隔离及防止用之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR PLASMA ARC DETECTION, ISOLATION AND PREVENTION
公开(公告)号：TW201130391A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099123844
申请日：2010-07-20
申请人：蘭姆研究公司
发明人：微寇爾小約翰C , 桑多斯愛德
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32935
摘要：一種與RF產生源、第一電極、第二電極以及一元件一起使用的裝置。該RF產生源用以將一RF信號提供至該第一電極並藉以在該第一電極與該第二電極之間產生一電位。該裝置包含一連接部以及一電流沉槽(current sink)。該連接部用以電性連接至該第一電極、該第二電極以及該元件之其中一者。該電流沉槽係與該連接部以及至接地的一路徑電性連接。該電流沉槽包含一電壓閾値。當已電性連接之該第一電極、該第二電極以及該元件之其中一者上的電壓大於該電壓閾値時,該電流沉槽用以將電流從該連接部傳導至接地。
简体摘要：一种与RF产生源、第一电极、第二电极以及一组件一起使用的设备。该RF产生源用以将一RF信号提供至该第一电极并借以在该第一电极与该第二电极之间产生一电位。该设备包含一连接部以及一电流沉槽(current sink)。该连接部用以电性连接至该第一电极、该第二电极以及该组件之其中一者。该电流沉槽系与该连接部以及至接地的一路径电性连接。该电流沉槽包含一电压阈値。当已电性连接之该第一电极、该第二电极以及该组件之其中一者上的电压大于该电压阈値时,该电流沉槽用以将电流从该连接部传导至接地。

44. 发明专利

TW201130031A 具有可調相位線圈組件的雙模式感應耦合電漿反應器 DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：具有可调相位线圈组件的双模式感应耦合等离子反应器 DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY
公开(公告)号：TW201130031A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099121526
申请日：2010-06-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：巴那沙莫 , 托多羅法倫帝N , 柯林肯尼S , 蓋葉安德魯恩 , 薩理納斯馬丁傑夫 , 陳誌剛 , 安格維恩卡 , 包爾阿尼魯德哈 , 王策強 , 羅夫沙西德
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：本發明提供雙模式感應耦合電漿反應器及其使用方法。在一些實施例中，雙模式感應耦合電漿處理系統可包括處理腔室，該處理腔室具有介電質蓋及設置在該介電質蓋上方的電漿源組件。該電漿源組件包括多個線圈，該等線圈配置為將RF能量感應耦合至處理腔室，以在其中形成並維持電漿；相位控制器，其用於調整施加給該多個線圈中每個線圈的RF電流的相對相位；以及RF產生器，其耦合至該相位控制器及該多個線圈。
简体摘要：本发明提供双模式感应耦合等离子反应器及其使用方法。在一些实施例中，双模式感应耦合等离子处理系统可包括处理腔室，该处理腔室具有介电质盖及设置在该介电质盖上方的等离子源组件。该等离子源组件包括多个线圈，该等线圈配置为将RF能量感应耦合至处理腔室，以在其中形成并维持等离子；相位控制器，其用于调整施加给该多个线圈中每个线圈的RF电流的相对相位；以及RF产生器，其耦合至该相位控制器及该多个线圈。

45. 发明专利

TW201116166A 用於控制離子能量分佈的方法和裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING ION ENERGY DISTRIBUTION 审中-公开
简体标题：用于控制离子能量分布的方法和设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING ION ENERGY DISTRIBUTION
公开(公告)号：TW201116166A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099113815
申请日：2010-04-30
申请人：先驅能源工業公司
发明人：黑克曼藍迪 , 布羅克維克多
IPC分类号： H05H , H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/32045 , C23C14/54 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：揭示用於調節一電漿腔室中之離子能量之系統、方法及裝置。一例示性系統包括一離子能量控制部分,且該離子能量控制部分回應於指示轟擊一基板之一表面的離子之能量之一所要分佈之至少一離子能量設定提供至少一離子能量控制信號。一控制器耦接至開關模式電源供應器,且該控制器提供至少兩個驅動控制信號。此外,一開關模式電源供應器耦接至基板支撐件、該離子能量控制部分及該控制器。該開關模式電源供應器包括開關組件,該等開關組件經組態以回應於該等驅動信號及該離子能量控制信號將電力施加至該基板以便實現轟擊該基板之該表面的離子之該等能量之該所要分佈。
简体摘要：揭示用于调节一等离子腔室中之离子能量之系统、方法及设备。一例示性系统包括一离子能量控制部分,且该离子能量控制部分回应于指示轰击一基板之一表面的离子之能量之一所要分布之至少一离子能量设置提供至少一离子能量控制信号。一控制器耦接至开关模式电源供应器,且该控制器提供至少两个驱动控制信号。此外,一开关模式电源供应器耦接至基板支撑件、该离子能量控制部分及该控制器。该开关模式电源供应器包括开关组件,该等开关组件经组态以回应于该等驱动信号及该离子能量控制信号将电力施加至该基板以便实现轰击该基板之该表面的离子之该等能量之该所要分布。

46. 发明专利

TW201108872A 多頻電容耦合電漿蝕刻腔室 MULTIFREQUENCY CAPACITIVELY COUPLED PLASMA ETCH CHAMBER 审中-公开
简体标题：多频电容耦合等离子蚀刻腔室 MULTIFREQUENCY CAPACITIVELY COUPLED PLASMA ETCH CHAMBER
公开(公告)号：TW201108872A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110611
申请日：2010-04-06
申请人：蘭姆研究公司
发明人：瑪瑞塔諾艾力西 , 漢沙羅金德 , 輿石公 , 費雪安德里斯
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/2633 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01J37/32577
摘要：本發明係關於一種電漿處理系統,其偕同一氣體使用。該電漿處理系統包含:一第一電極、一第二電極、一氣體輸入口、一電源以及一被動電路。該氣體輸入口用以在該第一電極與該第二電極之間提供一氣體。該電源用以從該第一電極與該第二電極之間的該氣體激起電漿。該被動電路被耦合至該第二電極,並且用以調整該第二電極之阻抗、電壓電位、以及DC偏壓電位的其中一或多者。該被動無線射頻電路包含一電容器,該電容器與一感應器並聯設置。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理系统,其偕同一气体使用。该等离子处理系统包含:一第一电极、一第二电极、一气体输入口、一电源以及一被动电路。该气体输入口用以在该第一电极与该第二电极之间提供一气体。该电源用以从该第一电极与该第二电极之间的该气体激起等离子。该被动电路被耦合至该第二电极,并且用以调整该第二电极之阻抗、电压电位、以及DC偏压电位的其中一或多者。该被动无线射频电路包含一电容器,该电容器与一感应器并联设置。

47. 发明专利

TW201023695A 雙埠輸入電源之電容耦合式射頻電漿源 CAPACITIVELY COUPLED PLASMA (CCP) GENERATOR WITH TWO INPUT PORTS 审中-公开
简体标题：双端口输入电源之电容耦合式射频等离子源 CAPACITIVELY COUPLED PLASMA (CCP) GENERATOR WITH TWO INPUT PORTS
公开(公告)号：TW201023695A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW097147755
申请日：2008-12-09
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：張志振 , 吳東權 , 羅展興 , 吳慶輝 , 黃振榮 , 梁沐旺 , 張家豪
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32174
摘要：一種電容耦合式射頻電漿源,其係為一種大面積電容耦合式射頻電漿源,其僅使用一射頻電源供應器,而使射頻功率以雙埠之方式輸入,並且每埠之輸入阻抗可以個別調整,用以消除駐波效應,並達成電漿的均勻化。。
简体摘要：一种电容耦合式射频等离子源,其系为一种大面积电容耦合式射频等离子源,其仅使用一射频电源供应器,而使射频功率以双端口之方式输入,并且每端口之输入阻抗可以个别调整,用以消除驻波效应,并达成等离子的均匀化。。

48. 发明专利

TW201001533A 製程處理室中陰極之ＲＦ接地 RF GROUNDING OF CATHODE IN PROCESS CHAMBER 审中-公开
简体标题：制程处理室中阴极之ＲＦ接地 RF GROUNDING OF CATHODE IN PROCESS CHAMBER
公开(公告)号：TW201001533A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098113783
申请日：2005-07-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：懷特約翰M , 泰內羅賓L , 朴範洙 , 白隆尼根溫德T
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174
摘要：一種用以於一製程處理室壁以及一基材支撐件間提供一短RF電流返回電流路徑之設備。該RF接地設備為RF接地並位於基材傳送埠之上，其僅於基材製程期間(例如沉積)與基材支撐件形成電性接觸，以提供RF電流返回電流路徑。該RF接地設備之一實施例至少包含一或多個低阻抗可彎曲幕狀物，其可電性連接至該接地處理室壁，並接至一或多個低阻抗檔體，其於基材製程期間可與該基材支撐件接觸。該RF接地設備之另一實施例包含數個低阻抗可彎曲條體，其可電性連接至該接地處理室壁，並接至一或多個低阻抗檔體，其於基材製程期間可與基材支撐件接觸。該RF接地設備之另一實施例包含數個探針，其可電性連接至該接地處理室壁或由其他裝置作接地，以及數個附有探針之致動器。該等致動器可移動探針以於基材製程期間電性接觸該基材支撐件。
简体摘要：一种用以于一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径之设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材发送端口之上，其仅于基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备之一实施例至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物，其可电性连接至该接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其于基材制程期间可与该基材支撑件接触。该RF接地设备之另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体，其可电性连接至该接地处理室壁，并接至一或多个低阻抗档体，其于基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备之另一实施例包含数个探针，其可电性连接至该接地处理室壁或由其他设备作接地，以及数个附有探针之致动器。该等致动器可移动探针以于基材制程期间电性接触该基材支撑件。

49. 发明专利

TW200944064A 用於電漿腔室之電極的多相射頻電源 MULTIPLE PHASE RF POWER FOR ELECTRODE OF PLASMA CHAMBER 审中-公开
简体标题：用于等离子腔室之电极的多相射频电源 MULTIPLE PHASE RF POWER FOR ELECTRODE OF PLASMA CHAMBER
公开(公告)号：TW200944064A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098103267
申请日：2009-02-02
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：懷特約翰M , 史汀門森布瑞德利O
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , Y10T307/642
摘要：以不同的相位偏移藕合射頻電源至電漿腔室之電極(20-26)的不同射頻連接點(31-34)。較佳地，不同的射頻連接點和相應的相位偏移之數量是至少四個，而且射頻連接點的位置分佈在電極的兩個正交維度（例如，X和Y軸）。較佳地，藉由一個別的射頻電源供應器(41-44)提供每一各自的射頻連接點功率，其中每個電源供應器使其相位與一共同參考射頻振盪器(70)同步化。
简体摘要：以不同的相位偏移藕合射频电源至等离子腔室之电极(20-26)的不同射频连接点(31-34)。较佳地，不同的射频连接点和相应的相位偏移之数量是至少四个，而且射频连接点的位置分布在电极的两个正交维度（例如，X和Y轴）。较佳地，借由一个别的射频电源供应器(41-44)提供每一各自的射频连接点功率，其中每个电源供应器使其相位与一共同参考射频振荡器(70)同步化。

50. 发明专利

TW200930836A 背板支撐件之射頻回傳板 RF RETURN PLATES FOR BACKING PLATE SUPPORT 审中-公开
简体标题：背板支撑件之射频回传板 RF RETURN PLATES FOR BACKING PLATE SUPPORT
公开(公告)号：TW200930836A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097139226
申请日：2008-10-13
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：安瓦蘇華 ANWAR, SUHAIL , 泰內爾羅賓L TINER, ROBIN L. , 懷特約翰M WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/3244
摘要：本發明之實施例一般包括一種用於利用射頻電流之設備中的射頻回傳板。無論背板有多大,皆需要背板支撐結構以預防背板下垂。流動跨越背板並朝向噴氣頭的射頻電流會部分轉向並往上流經支撐結構。往上流經支撐結構的射頻電流會將不期望之偏壓施加在支撐結構上,也會因此降低流至噴氣頭的射頻電流。藉由將射頻電流回傳至來源處,則可降低往上流經支撐結構的射頻電流量。射頻回傳板可以設置在腔室蓋和支撐結構之間,以將任何會往上流經支撐結構的射頻電流重新導引而往下流回至腔室蓋。
简体摘要：本发明之实施例一般包括一种用于利用射频电流之设备中的射频回传板。无论背板有多大,皆需要背板支撑结构以预防背板下垂。流动跨越背板并朝向喷气头的射频电流会部分转向并往上流经支撑结构。往上流经支撑结构的射频电流会将不期望之偏压施加在支撑结构上,也会因此降低流至喷气头的射频电流。借由将射频电流回传至来源处,则可降低往上流经支撑结构的射频电流量。射频回传板可以设置在腔室盖和支撑结构之间,以将任何会往上流经支撑结构的射频电流重新导引而往下流回至腔室盖。

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