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1. 发明专利

TWI553717B 聚焦環及具備該聚焦環之基板處理裝置有权
简体标题：聚焦环及具备该聚焦环之基板处理设备
公开(公告)号：TWI553717B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101100542
申请日：2012-01-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32724

2. 发明专利

TWI542259B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI542259B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100127483
申请日：2011-08-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32623

3. 发明专利

TWI497044B 溫度測定方法及記憶媒體有权
简体标题：温度测定方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI497044B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100134604
申请日：2011-09-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： G01K11/00 , G01B11/06
CPC分类号： G01K11/125 , G01B9/02021 , G01B9/02025 , G01B9/0209 , G01B11/0675

4. 发明专利

TW201521520A 電漿處理裝置的腔室內構件的溫度控制方法，腔室內構件及基板載置台，以及具備彼之電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备的腔室内构件的温度控制方法，腔室内构件及基板载置台，以及具备彼之等离子处理设备
公开(公告)号：TW201521520A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW104105658
申请日：2009-07-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 岩田學 , IWATA, MANABU , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： H05H1/16 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32522 , H01J37/32623
摘要：本發明的課題是在於提供一種可將使用於電漿處理的各種構件的溫度從電漿處理的開始階段且控制成最適的溫度之方法。本發明之腔室內構件的溫度控制方法，係在電漿處理被處理基板的電漿處理裝置內所被使用之腔室內構件的溫度控制方法，其特徵為：在前述腔室內構件設置複數的供電部，經由前述供電部來供給電力，加熱的同時，測定前述腔室內構件的電阻值或比電阻，根據由前述電阻值或比電阻所推測之前述腔室內構件的溫度來控制前述電力。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可将使用于等离子处理的各种构件的温度从等离子处理的开始阶段且控制成最适的温度之方法。本发明之腔室内构件的温度控制方法，系在等离子处理被处理基板的等离子处理设备内所被使用之腔室内构件的温度控制方法，其特征为：在前述腔室内构件设置复数的供电部，经由前述供电部来供给电力，加热的同时，测定前述腔室内构件的电阻值或比电阻，根据由前述电阻值或比电阻所推测之前述腔室内构件的温度来控制前述电力。

5. 发明专利

TWI447364B 溫度測定裝置及溫度測定方法有权
简体标题：温度测定设备及温度测定方法
公开(公告)号：TWI447364B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098107561
申请日：2009-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：阿部淳 , ABE, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： G01K11/32
CPC分类号： G01K11/00 , G01K11/125

6. 发明专利

TW201304032A 基板處理裝置之處理室內構成構件及其溫度測定方法审中-公开
简体标题：基板处理设备之处理室内构成构件及其温度测定方法
公开(公告)号：TW201304032A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101109354
申请日：2012-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/12
CPC分类号： G01K11/14 , G01K5/48 , H01L21/67248
摘要：本發明提供一種基板處理裝置之處理室內構成構件，即便因磨耗等而破壞表面與背面的平行，仍可使用利用低同調光的干涉之溫度測定裝置，施行正確的溫度測定。於真空氣體環境使用並測定溫度之對焦環25，具有：損耗面25a，暴露於電漿產生之損耗氣體環境；非損耗面25b，未暴露於損耗氣體環境；薄壁部25T，具備互為平行的頂面25Ta及底面25Tb；以及包覆構件25d，包覆於薄壁部25T之頂面25Ta；並對薄壁部25T之頂面25Ta與底面25Tb，分別施以鏡面加工。
简体摘要：本发明提供一种基板处理设备之处理室内构成构件，即便因磨耗等而破坏表面与背面的平行，仍可使用利用低同调光的干涉之温度测定设备，施行正确的温度测定。于真空气体环境使用并测定温度之对焦环25，具有：损耗面25a，暴露于等离子产生之损耗气体环境；非损耗面25b，未暴露于损耗气体环境；薄壁部25T，具备互为平行的顶面25Ta及底面25Tb；以及包覆构件25d，包覆于薄壁部25T之顶面25Ta；并对薄壁部25T之顶面25Ta与底面25Tb，分别施以镜面加工。

7. 发明专利

TW201127222A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201127222A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099109479
申请日：2010-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿水地鹽
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32935
摘要：本發明係提高電漿密度乃至電漿處理特性之面內均勻性。本發明之電漿處理裝置係具備有：處理容器，係可於內部對晶圓施以電漿處理；第1高頻電源，係輸出高頻；高頻天線，係於處理容器外部處，將外側線圈、內側線圈及設置於該等之間的n個(n為1以上之整數)中間線圈相對中心軸呈同心狀捲繞所形成；以及介電體窗，係構成處理容器之壁面的一部份，以將從高頻天線所產生之電磁場能量導入該處理容器內。
简体摘要：本发明系提高等离子密度乃至等离子处理特性之面内均匀性。本发明之等离子处理设备系具备有：处理容器，系可于内部对晶圆施以等离子处理；第1高频电源，系输出高频；高频天线，系于处理容器外部处，将外侧线圈、内侧线圈及设置于该等之间的n个(n为1以上之整数)中间线圈相对中心轴呈同心状卷绕所形成；以及介电体窗，系构成处理容器之壁面的一部份，以将从高频天线所产生之电磁场能量导入该处理容器内。

8. 发明专利

TWI630848B 電漿處理裝置及電漿控制方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子控制方法
公开(公告)号：TWI630848B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW100128462
申请日：2011-08-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 傳寶一樹 , DENPOH, KAZUKI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32

9. 发明专利

TWI595808B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI595808B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW099136518
申请日：2010-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 齊藤昌司 , SAITO, MASASHI , 傳寶一樹 , DENPOH, KAZUKI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 飯塚八城 , IIZUKA, HACHISHIRO
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

10. 发明专利

TWI544546B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI544546B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103139546
申请日：2006-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32532

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