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1. 发明专利

TWI634585B 電漿處理裝置及電漿分布調整方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子分布调整方法
公开(公告)号：TWI634585B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW103122763
申请日：2014-07-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 內藤啟 , NAITO, HAJIME
IPC分类号： H01J37/32

2. 发明专利

TWI569693B 電漿處理裝置、電漿生成裝置、天線構造體及電漿生成方法有权
简体标题：等离子处理设备、等离子生成设备、天线构造体及等离子生成方法
公开(公告)号：TWI569693B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102120159
申请日：2013-06-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 伝宝一樹 , DENPOH, KAZUKI , 木村隆文 , KIMURA, TAKAFUMI , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H05H7/02

3. 发明专利

TWI559820B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI559820B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101110672
申请日：2012-03-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32697 , H01J37/02 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32137 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/327 , H01J2237/3341

4. 发明专利

TWI519214B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI519214B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099140277
申请日：2010-11-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 岩崎征英 , IWASAKI, MASAHIDE , 奧西直彥 , OKUNISHI, NAOHIKO
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32522 , H05H1/46

5. 发明专利

TW201440113A 感應耦合電漿處理裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TW201440113A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102140490
申请日：2013-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 里吉務 , SATOYOSHI, TSUTOMU , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32
摘要：〔課題〕提供一種可對大型化之被處理基板，使用金屬窗進行均勻之電漿處理的感應耦合電漿處理裝置。〔解決手段〕一種對矩形狀之基板施予感應耦合電漿處理之感應耦合電漿處理裝置，係具備：處理室，收容基板；高頻天線，用於在配置有處理室內之基板的區域產生感應耦合電漿；及金屬窗，呈矩形狀，被配置於產生有感應耦合電漿之電漿產生區域與高頻天線之間，並對應於基板而設，金屬窗(2)係以電性絕緣的方式分割為包含長邊(2a)之第1區域(201)與包含短邊(2b)之第2區域(202)，且第2區域(202)之徑向的寬度a與第1區域(201)之徑向的寬度b之比a/b係分割為在0.8以上1.2以下的範圍。
简体摘要：〔课题〕提供一种可对大型化之被处理基板，使用金属窗进行均匀之等离子处理的感应耦合等离子处理设备。〔解决手段〕一种对矩形状之基板施予感应耦合等离子处理之感应耦合等离子处理设备，系具备：处理室，收容基板；高频天线，用于在配置有处理室内之基板的区域产生感应耦合等离子；及金属窗，呈矩形状，被配置于产生有感应耦合等离子之等离子产生区域与高频天线之间，并对应于基板而设，金属窗(2)系以电性绝缘的方式分割为包含长边(2a)之第1区域(201)与包含短边(2b)之第2区域(202)，且第2区域(202)之径向的宽度a与第1区域(201)之径向的宽度b之比a/b系分割为在0.8以上1.2以下的范围。

6. 发明专利

TW201403655A 電漿處理裝置、電漿生成裝置、天線構造體、及電漿生成方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备、等离子生成设备、天线构造体、及等离子生成方法
公开(公告)号：TW201403655A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102120155
申请日：2013-06-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 伝宝一樹 , DENPOH, KAZUKI , 木村隆文 , KIMURA, TAKAFUMI , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 內藤啓 , NAITO, HAJIME , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
摘要： [課題]提供能夠簡化裝置的構成且防止電漿之生成效率下降的電漿處理裝置。[解決手段]電漿處理裝置(10)，係具備：腔室(11)；載置台(12)，配置於該腔室(11)內部且載置基板(S)；ICP天線(13)，於腔室(11)之外部，與載置台(12)對向而配置且連接於高頻電源(26)；窗構件(14)，由介於載置台(12)及ICP天線(13)之間的導電體所構成，窗構件(14)係被分割為複數個分割片(27)，複數個分割片(27)係彼此絕緣且以導線(29)或附電容之導線(30)來連接且形成閉合電路(31)。
简体摘要： [课题]提供能够简化设备的构成且防止等离子之生成效率下降的等离子处理设备。[解决手段]等离子处理设备(10)，系具备：腔室(11)；载置台(12)，配置于该腔室(11)内部且载置基板(S)；ICP天线(13)，于腔室(11)之外部，与载置台(12)对向而配置且连接于高频电源(26)；窗构件(14)，由介于载置台(12)及ICP天线(13)之间的导电体所构成，窗构件(14)系被分割为复数个分割片(27)，复数个分割片(27)系彼此绝缘且以导线(29)或附电容之导线(30)来连接且形成闭合电路(31)。

7. 发明专利

TW201301382A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201301382A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101106864
申请日：2012-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/513
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2001/4682
摘要：本發明之課題在於：對感應耦合型電漿處理中在腔室內所生成之甜甜圈狀電漿內之電漿密度分布乃至於基板上之電漿密度分布進行多種類且精細地控制。此感應耦合型電漿處理裝置，於介電質窗上所設之RF天線係於徑向上被分割為內側線圈、中間線圈以及外側線圈。從高頻電源通過RF供電線路、RF天線以及地線而繞至接地電位構件之情況、更極端而言係從第1節點NA至第2節點NB繞有各線圈之高頻分岐傳送路徑的情況，內側線圈以及外側線圈係成為繞逆時鐘方向，相對於此，中間線圈係成為繞順時鐘方向。於第1以及第2節點NA、NB之間在中間以及外側線圈處分別電性串聯有可變之中間以及外側電容器。
简体摘要：本发明之课题在于：对感应耦合型等离子处理中在腔室内所生成之甜甜圈状等离子内之等离子密度分布乃至于基板上之等离子密度分布进行多种类且精细地控制。此感应耦合型等离子处理设备，于介电质窗上所设之RF天线系于径向上被分割为内侧线圈、中间线圈以及外侧线圈。从高频电源通过RF供电线路、RF天线以及地线而绕至接地电位构件之情况、更极端而言系从第1节点NA至第2节点NB绕有各线圈之高频分岐发送路径的情况，内侧线圈以及外侧线圈系成为绕逆时钟方向，相对于此，中间线圈系成为绕顺时钟方向。于第1以及第2节点NA、NB之间在中间以及外侧线圈处分别电性串联有可变之中间以及外侧电容器。

8. 发明专利

TW201127221A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201127221A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099109292
申请日：2010-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：山澤陽平 , 奧西直彥 , 三澤裕文 , 添田秀史
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32697
摘要：本發明關於一種電漿處理裝置及電漿處理方法，其係大幅改善電漿密度分布控制的性能及自由度，並改善電漿密度分布以及製程特性，以確切達成均勻性的提高。此電容耦合型電漿處理裝置，係作為用以控制基座上之電漿密度分布之機構，並在反應室下方空間設置有電漿密度分布控制器。該電漿密度分布控制器具有導體板(第1導體)與導體棒(第2導體)，其中導體板(第1導體)係朝上地配置在基座的背面之所欲部位，而導體棒(第2導體)係於該導體板下方將其予以支撐，且為電接地狀態。導體棒的上端(第1連接部)係固定在導體板下面的任意部位。導體棒的下端(第2連接部)係以固定或接觸之方式裝設在反應室的底壁。
简体摘要：本发明关于一种等离子处理设备及等离子处理方法，其系大幅改善等离子密度分布控制的性能及自由度，并改善等离子密度分布以及制程特性，以确切达成均匀性的提高。此电容耦合型等离子处理设备，系作为用以控制基座上之等离子密度分布之机构，并在反应室下方空间设置有等离子密度分布控制器。该等离子密度分布控制器具有导体板(第1导体)与导体棒(第2导体)，其中导体板(第1导体)系朝上地配置在基座的背面之所欲部位，而导体棒(第2导体)系于该导体板下方将其予以支撑，且为电接地状态。导体棒的上端(第1连接部)系固定在导体板下面的任意部位。导体棒的下端(第2连接部)系以固定或接触之方式装设在反应室的底壁。

9. 发明专利

TWI619139B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI619139B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103139159
申请日：2014-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651

10. 发明专利

TWI569691B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI569691B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW099136416
申请日：2010-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 傳寶一樹 , DENPOH, KAZUKI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 齊藤昌司 , SAITO, MASASHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

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