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41. 发明专利

TW201311381A 從工件切割晶圓的線鋸的具有固定結合磨粒的鋸線的單層捲繞审中-公开
简体标题：从工件切割晶圆的线锯的具有固定结合磨粒的锯线的单层卷绕
公开(公告)号：TW201311381A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101132004
申请日：2012-09-03
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：瓊格約阿希姆 , JUNGE, JOACHIM , 默瑟約克
IPC分类号： B23D57/00 , B24D3/00 , B28D5/04
CPC分类号： B28D5/045 , B23D57/0061
摘要：本發明涉及一種從工件切割晶圓的線鋸的具有固定結合磨粒的鋸線的單層捲繞，其中用於從工件切割晶圓的線鋸的繞線盤，其中一塗布有固定結合磨粒的鋸線以單層方式捲繞至該繞線盤上。本發明既可應用於單切線鋸，也可應用於多線鋸。
简体摘要：本发明涉及一种从工件切割晶圆的线锯的具有固定结合磨粒的锯线的单层卷绕，其中用于从工件切割晶圆的线锯的绕线盘，其中一涂布有固定结合磨粒的锯线以单层方式卷绕至该绕线盘上。本发明既可应用於单切线锯，也可应用于多线锯。

42. 发明专利

TWI386525B 以化學氣相沉積法（ＣＶＤ）在半導體晶圓上沉積一層之方法及實施該方法之室有权
简体标题：以化学气相沉积法（ＣＶＤ）在半导体晶圆上沉积一层之方法及实施该方法之室
公开(公告)号：TWI386525B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098124057
申请日：2009-07-16
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：柏尼杰喬格 , BRENNINGER, GEORG , 艾格那亞羅斯 , AIGNER, ALOIS
IPC分类号： C30B25/14
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/24 , C23C16/45502 , C23C16/481 , Y10T428/24612

43. 发明专利

TW201240757A 利用線鋸切削工件的方法 METHOD FOR CUTTING WORKPIECE WITH WIRE SAW 有权
简体标题：利用线锯切削工件的方法 METHOD FOR CUTTING WORKPIECE WITH WIRE SAW
公开(公告)号：TW201240757A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101109818
申请日：2012-03-22
申请人：世創電子材料公司
发明人：田上誠 , 小島寬規
IPC分类号： B23D
CPC分类号： B28D5/007 , Y02P70/179
摘要：本發明提供了一種利用線鋸切削工件的方法，由此可以在不發生例如破損的任何缺陷的情況下精確且高效地切削大直徑的工件。當切削工件時，將鋸線1如此定位，即，在作為嚙合區域M的兩端的進入/引出點A處，所述鋸線1被設置在磨粒漿6的表面上方，並且未被浸入到所述磨粒漿6內。此外，將鋸線1和工件W浸入到磨粒漿6內，以使磨粒漿6的表面位於鋸線的進入/引出點A和最大彎曲點B之間，鋸線1在所述最大彎曲點B處被沿推動工件的方向彎曲最劇。此外，按這樣的方式定位所有的噴嘴4r和4l，即，供給磨粒漿6的噴灑點P設置在鋸線1的進入/引出點A的外面。
简体摘要：本发明提供了一种利用线锯切削工件的方法，由此可以在不发生例如破损的任何缺陷的情况下精确且高效地切削大直径的工件。当切削工件时，将锯线1如此定位，即，在作为啮合区域M的两端的进入/引出点A处，所述锯线1被设置在磨粒浆6的表面上方，并且未被浸入到所述磨粒浆6内。此外，将锯线1和工件W浸入到磨粒浆6内，以使磨粒浆6的表面位于锯线的进入/引出点A和最大弯曲点B之间，锯线1在所述最大弯曲点B处被沿推动工件的方向弯曲最剧。此外，按这样的方式定位所有的喷嘴4r和4l，即，供给磨粒浆6的喷洒点P设置在锯线1的进入/引出点A的外面。

44. 发明专利

TW201226640A 矽單晶錠的製造方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT 审中-公开
简体标题：硅单晶锭的制造方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
公开(公告)号：TW201226640A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100146161
申请日：2011-12-14
申请人：世創電子材料公司
发明人：加藤英生 , 村上英明
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B35/007
摘要：本發明的目的是提供能夠大幅抑制及實質上避免形成針孔的製造錠的方法。在CZ法的裝填多晶矽的步驟中，不將小尺寸的多晶矽塊S1用作裝入的多晶矽塊S。僅使用中等尺寸的多晶矽塊S2和大尺寸的多晶矽塊S3。此外，在裝填多晶矽的步驟中，將多晶矽塊S隨機地裝入坩堝中。
简体摘要：本发明的目的是提供能够大幅抑制及实质上避免形成针孔的制造锭的方法。在CZ法的装填多晶硅的步骤中，不将小尺寸的多晶硅块S1用作装入的多晶硅块S。仅使用中等尺寸的多晶硅块S2和大尺寸的多晶硅块S3。此外，在装填多晶硅的步骤中，将多晶硅块S随机地装入坩埚中。

45. 发明专利

TW201225170A 用於對至少三個半導體晶圓的兩面同時進行材料去除處理的方法 METHOD FOR THE SIMULTANEOUS MATERIAL-REMOVING PROCESSING OF BOTH SIDES OF AT LEAST THREE SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：用于对至少三个半导体晶圆的两面同时进行材料去除处理的方法 METHOD FOR THE SIMULTANEOUS MATERIAL-REMOVING PROCESSING OF BOTH SIDES OF AT LEAST THREE SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW201225170A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100144146
申请日：2011-12-01
申请人：世創電子材料公司
发明人：皮茲奇喬治
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/02013 , H01L21/02024
摘要：本發明涉及一種在一雙面處理設備的兩個轉動的環形工作盤之間對至少三個半導體晶圓的兩面同時進行材料去除處理的方法,其中,該雙面處理設備具有一滾動裝置,該滾動裝置使至少三個承載器轉動,且每個承載器恰具有一個開口,半導體晶圓分別以可自由移動的方式嵌入該開口中,使得該等半導體晶圓在該等工作盤之間以擺線軌跡移動,且其中該等承載器在該雙面處理設備中的佈置以及該等開口在該等承載器中的佈置滿足以下不等式:R/e‧sin(��/N*)-r/e-1≦1.2 其中,N*表示周角與相鄰承載器以最大距離嵌入該滾動裝置中時之角度的比,r表示用於接收半導體晶圓的開口的半徑;e表示繞著該佈置有開口之承載器之中點的節圓半徑;以及R表示該等承載器藉助於該滾動裝置在該等工作盤之間移動的節圓半徑。
简体摘要：本发明涉及一种在一双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶圆的两面同时进行材料去除处理的方法,其中,该双面处理设备具有一滚动设备,该滚动设备使至少三个承载器转动,且每个承载器恰具有一个开口,半导体晶圆分别以可自由移动的方式嵌入该开口中,使得该等半导体晶圆在该等工作盘之间以摆线轨迹移动,且其中该等承载器在该双面处理设备中的布置以及该等开口在该等承载器中的布置满足以下不等式:R/e‧sin(��/N*)-r/e-1≦1.2 其中,N*表示周角与相邻承载器以最大距离嵌入该滚动设备中时之角度的比,r表示用于接收半导体晶圆的开口的半径;e表示绕着该布置有开口之承载器之中点的节圆半径;以及R表示该等承载器借助于该滚动设备在该等工作盘之间移动的节圆半径。

46. 发明专利

TWI364777B 多層半導體晶圓及其製造方法 MULTILAYERED SEMICONDUCTOR WAFER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：多层半导体晶圆及其制造方法 MULTILAYERED SEMICONDUCTOR WAFER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI364777B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW096131799
申请日：2007-08-28
申请人：世創電子材料公司
发明人：布萊恩莫菲 , 雷恩侯德瓦立奇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明係關於一種用於製備一多層半導體晶圓之方法，該多層半導體晶圓具有一處理晶圓(5)及一含碳化矽(silicon carbide,SiC)之層(40)，該含SiC之層(40)係與該處理晶圓(5)相黏合，該方法包含以下步驟：a)提供一處理晶圓(5)；b)提供一供體晶圓(1)，其包含一供體層(2)及該供體晶圓之一殘留物(3)，該供體層(2)係含有單晶矽；e)將該供體晶圓(1)之供體層(2)與該處理晶圓(5)相黏合；及f)去除該供體晶圓(1)之殘留物(3)從而暴露該供體層(2)，該供體層(2)係仍然保持與該處理晶圓(5)相黏合。本發明方法之特徵更包含以下步驟：c)將一碳離子植入該供體層(2)內以產生一含植入碳之層(4)；及d)熱處理該含植入碳之層(4)之供體層(2)，從而於至少一部分該供體層(2)中形成一SiC供體層(44)。本發明亦關於一具有一處理晶圓(5)及一SiC供體層(44)之多層半導體晶圓，該SiC供體層(44)係與該處理晶圓(5)相黏合，其中，根據一X射線繞射(X－ray diffraction)之測定，該SiC供體層(44)係不含孿晶(twins)及額外之SiC多型。
简体摘要：本发明系关于一种用于制备一多层半导体晶圆之方法，该多层半导体晶圆具有一处理晶圆(5)及一含碳化硅(silicon carbide,SiC)之层(40)，该含SiC之层(40)系与该处理晶圆(5)相黏合，该方法包含以下步骤：a)提供一处理晶圆(5)；b)提供一供体晶圆(1)，其包含一供体层(2)及该供体晶圆之一残留物(3)，该供体层(2)系含有单晶硅；e)将该供体晶圆(1)之供体层(2)与该处理晶圆(5)相黏合；及f)去除该供体晶圆(1)之残留物(3)从而暴露该供体层(2)，该供体层(2)系仍然保持与该处理晶圆(5)相黏合。本发明方法之特征更包含以下步骤：c)将一碳离子植入该供体层(2)内以产生一含植入碳之层(4)；及d)热处理该含植入碳之层(4)之供体层(2)，从而于至少一部分该供体层(2)中形成一SiC供体层(44)。本发明亦关于一具有一处理晶圆(5)及一SiC供体层(44)之多层半导体晶圆，该SiC供体层(44)系与该处理晶圆(5)相黏合，其中，根据一X射线绕射(X－ray diffraction)之测定，该SiC供体层(44)系不含孪晶(twins)及额外之SiC多态。

47. 发明专利

TWI359216B 用於製造單晶的設備和方法、單晶及半導體晶圓 DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：用于制造单晶的设备和方法、单晶及半导体晶圆 DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TWI359216B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW096101793
申请日：2007-01-17
申请人：世創電子材料公司
发明人：萊思洛法布利 , 甘特史翠貝爾 , 漢斯歐克路格
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B35/00 , C30B15/00 , Y10T117/10 , Y10T117/1064
摘要：本發明係關於一種製造半導體材料單晶的設備和方法，該設備係包含一反應室(chamber)以及一設置於該反應室內被坩堝加熱器(crucible heater)包圍之坩堝(crucible)、一用於屏蔽生長中之單晶的輻射罩(radiation shield)，以及一設於該坩堝加熱器與該反應室內壁之間之隔熱材料(thermal insulation)。該設備的特徵在於，其係包含使用一可密封該內壁與該隔熱材料間之縫隙、並且形成氣態鐵羰基化物(gaseous iron carbonyl)向該單晶移動之障礙之彈性密封材料。本發明亦關於一種使用一裝置以製造半導體材料單晶之方法、其所製造之單晶、以及由該單晶切下之半導體晶圓。該單晶及該半導體晶圓之特徵在於具有一邊緣區域，該邊緣區域係從圓周向該單晶或該半導體晶圓內徑向延伸至最多R－5毫米的距離且具有一鐵濃度，其中該邊緣區域之鐵濃度係小於1*109原子數/立方公分(atoms/cm3)。
简体摘要：本发明系关于一种制造半导体材料单晶的设备和方法，该设备系包含一反应室(chamber)以及一设置于该反应室内被坩埚加热器(crucible heater)包围之坩埚(crucible)、一用于屏蔽生长中之单晶的辐射罩(radiation shield)，以及一设于该坩埚加热器与该反应室内壁之间之隔热材料(thermal insulation)。该设备的特征在于，其系包含使用一可密封该内壁与该隔热材料间之缝隙、并且形成气态铁羰基化物(gaseous iron carbonyl)向该单晶移动之障碍之弹性密封材料。本发明亦关于一种使用一设备以制造半导体材料单晶之方法、其所制造之单晶、以及由该单晶切下之半导体晶圆。该单晶及该半导体晶圆之特征在于具有一边缘区域，该边缘区域系从圆周向该单晶或该半导体晶圆内径向延伸至最多R－5毫米的距离且具有一铁浓度，其中该边缘区域之铁浓度系小于1*109原子数/立方公分(atoms/cm3)。

48. 发明专利

TWI358469B 半導體晶圓之蝕刻處理方法及裝置 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE DURCH ATZEN 有权
简体标题：半导体晶圆之蚀刻处理方法及设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE DURCH ATZEN
公开(公告)号：TWI358469B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW096116467
申请日：2007-05-09
申请人：世創電子材料公司
发明人：狄亞歌費胡 , 雷恩侯德瓦立奇 , 奧立佛萊曼史奈德
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於用於處理一半導體晶圓的一方法，該方法包括下列給定順序的步驟：a)以位置相關之方式測量一表徵該半導體晶圓之參數，以測定在該半導體晶圓的整個表面上該參數的位置相關數值；b)將黏度為50毫帕＊秒至2000毫帕＊秒的蝕刻劑施用到該半導體晶圓的整個表面上；c)藉由蝕刻劑之作用以及同時將該半導體晶圓之該整個表面暴露於光照下，蝕刻處理該整個表面，該蝕刻處理的去除速率係取決於該半導體晶圓表面上的光強度，且該光強度係以位置相關的方式界定，從而藉由與位置相關的去除速率以減小步驟a)中所測得該參數的該位置相關數值的差異；及d)從該半導體晶圓的表面去除該蝕刻劑。本發明亦關於用於實施根據本發明方法的一裝置。
简体摘要：本发明关于用于处理一半导体晶圆的一方法，该方法包括下列给定顺序的步骤：a)以位置相关之方式测量一表征该半导体晶圆之参数，以测定在该半导体晶圆的整个表面上该参数的位置相关数值；b)将黏度为50毫帕＊秒至2000毫帕＊秒的蚀刻剂施用到该半导体晶圆的整个表面上；c)借由蚀刻剂之作用以及同时将该半导体晶圆之该整个表面暴露于光照下，蚀刻处理该整个表面，该蚀刻处理的去除速率系取决于该半导体晶圆表面上的光强度，且该光强度系以位置相关的方式界定，从而借由与位置相关的去除速率以减小步骤a)中所测得该参数的该位置相关数值的差异；及d)从该半导体晶圆的表面去除该蚀刻剂。本发明亦关于用于实施根据本发明方法的一设备。

49. 发明专利

TW201207166A 矽晶圓及其製造方法 SILICON WAFER AND PRODUCTION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：硅晶圆及其制造方法 SILICON WAFER AND PRODUCTION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201207166A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100126568
申请日：2011-07-27
申请人：世創電子材料公司
发明人：出合博之 , 高山誠治
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262
摘要：本發明提供一矽晶圓，其包括：一矽基材；位於該矽晶圓之一個面上的第一外延層，其中供體濃度與受體濃度之差的絕對值係設定為等於或大於1×10 18 個原子/立方公分；及位於該第一外延層上的第二外延層，其具有與該第一外延層相同的導電型，其中供體濃度與受體濃度之差的絕對值係設定為等於或小於5×10 17 個原子/立方公分；其中係通過將一調節晶格常數的材料摻雜至該第一外延層中，以控制該第一外延層的晶格常數(a1)相對於一矽單晶的晶格常數(aSi)的變化量((a1-aSi)/aSi)以及該第二外延層的晶格常數(a2)相對於該矽單晶的晶格常數(aSi)的變化量((a2-aSi)/aSi)為小於一臨界晶格錯配度。
简体摘要：本发明提供一硅晶圆，其包括：一硅基材；位于该硅晶圆之一个面上的第一外延层，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值系设置为等于或大于1×10 18 个原子/立方公分；及位于该第一外延层上的第二外延层，其具有与该第一外延层相同的导电型，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值系设置为等于或小于5×10 17 个原子/立方公分；其中系通过将一调节晶格常数的材料掺杂至该第一外延层中，以控制该第一外延层的晶格常数(a1)相对于一硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a1-aSi)/aSi)以及该第二外延层的晶格常数(a2)相对于该硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a2-aSi)/aSi)为小于一临界晶格错配度。

50. 发明专利

TWI354718B 處理半導體晶圓之方法及設備 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE 有权
简体标题：处理半导体晶圆之方法及设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TWI354718B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096117620
申请日：2007-05-17
申请人：世創電子材料公司
发明人：布萊恩莫菲 , 迪雅歌費胡 , 雷恩侯德瓦利克
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , C30B29/06 , C30B33/005 , G01B11/0641 , G01B11/0675 , G01B11/0683 , G01B11/306 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明關於處理半導體晶圓之方法，該方法包含下列步驟：a)進行特徵化該半導體晶圓之參數的位置相依測量，以測定該半導體晶圓整個表面上該參數的位置相依值；b)於氧化劑作用及同時使該整個表面曝光之情況下氧化該半導體晶圓之整個表面，氧化速率和所得之氧化物層之厚度取決於該半導體晶圓表面上之光強度；以及c)去除該氧化物層；其中，於一位置相依方式中預先定義步驟b)中之光強度，從而經由步驟b)中由與位置相依之光強度所導致之與位置相依之氧化速率以及步驟c)中之該氧化物層之隨後去除，而減小步驟a)中測得之該參數的位置相依值間之差異。本發明亦關於用於實施根據本發明方法之裝置。
简体摘要：本发明关于处理半导体晶圆之方法，该方法包含下列步骤：a)进行特征化该半导体晶圆之参数的位置相依测量，以测定该半导体晶圆整个表面上该参数的位置相依值；b)于氧化剂作用及同时使该整个表面曝光之情况下氧化该半导体晶圆之整个表面，氧化速率和所得之氧化物层之厚度取决于该半导体晶圆表面上之光强度；以及c)去除该氧化物层；其中，于一位置相依方式中预先定义步骤b)中之光强度，从而经由步骤b)中由与位置相依之光强度所导致之与位置相依之氧化速率以及步骤c)中之该氧化物层之随后去除，而减小步骤a)中测得之该参数的位置相依值间之差异。本发明亦关于用于实施根据本发明方法之设备。

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