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1. 发明专利

TWI358469B 半導體晶圓之蝕刻處理方法及裝置 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE DURCH ATZEN 有权
简体标题：半导体晶圆之蚀刻处理方法及设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE DURCH ATZEN
公开(公告)号：TWI358469B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW096116467
申请日：2007-05-09
申请人：世創電子材料公司
发明人：狄亞歌費胡 , 雷恩侯德瓦立奇 , 奧立佛萊曼史奈德
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於用於處理一半導體晶圓的一方法，該方法包括下列給定順序的步驟：a)以位置相關之方式測量一表徵該半導體晶圓之參數，以測定在該半導體晶圓的整個表面上該參數的位置相關數值；b)將黏度為50毫帕＊秒至2000毫帕＊秒的蝕刻劑施用到該半導體晶圓的整個表面上；c)藉由蝕刻劑之作用以及同時將該半導體晶圓之該整個表面暴露於光照下，蝕刻處理該整個表面，該蝕刻處理的去除速率係取決於該半導體晶圓表面上的光強度，且該光強度係以位置相關的方式界定，從而藉由與位置相關的去除速率以減小步驟a)中所測得該參數的該位置相關數值的差異；及d)從該半導體晶圓的表面去除該蝕刻劑。本發明亦關於用於實施根據本發明方法的一裝置。
简体摘要：本发明关于用于处理一半导体晶圆的一方法，该方法包括下列给定顺序的步骤：a)以位置相关之方式测量一表征该半导体晶圆之参数，以测定在该半导体晶圆的整个表面上该参数的位置相关数值；b)将黏度为50毫帕＊秒至2000毫帕＊秒的蚀刻剂施用到该半导体晶圆的整个表面上；c)借由蚀刻剂之作用以及同时将该半导体晶圆之该整个表面暴露于光照下，蚀刻处理该整个表面，该蚀刻处理的去除速率系取决于该半导体晶圆表面上的光强度，且该光强度系以位置相关的方式界定，从而借由与位置相关的去除速率以减小步骤a)中所测得该参数的该位置相关数值的差异；及d)从该半导体晶圆的表面去除该蚀刻剂。本发明亦关于用于实施根据本发明方法的一设备。

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