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1. 发明专利

TWI354718B 處理半導體晶圓之方法及設備 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE 有权
简体标题：处理半导体晶圆之方法及设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TWI354718B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096117620
申请日：2007-05-17
申请人：世創電子材料公司
发明人：布萊恩莫菲 , 迪雅歌費胡 , 雷恩侯德瓦利克
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , C30B29/06 , C30B33/005 , G01B11/0641 , G01B11/0675 , G01B11/0683 , G01B11/306 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明關於處理半導體晶圓之方法，該方法包含下列步驟：a)進行特徵化該半導體晶圓之參數的位置相依測量，以測定該半導體晶圓整個表面上該參數的位置相依值；b)於氧化劑作用及同時使該整個表面曝光之情況下氧化該半導體晶圓之整個表面，氧化速率和所得之氧化物層之厚度取決於該半導體晶圓表面上之光強度；以及c)去除該氧化物層；其中，於一位置相依方式中預先定義步驟b)中之光強度，從而經由步驟b)中由與位置相依之光強度所導致之與位置相依之氧化速率以及步驟c)中之該氧化物層之隨後去除，而減小步驟a)中測得之該參數的位置相依值間之差異。本發明亦關於用於實施根據本發明方法之裝置。
简体摘要：本发明关于处理半导体晶圆之方法，该方法包含下列步骤：a)进行特征化该半导体晶圆之参数的位置相依测量，以测定该半导体晶圆整个表面上该参数的位置相依值；b)于氧化剂作用及同时使该整个表面曝光之情况下氧化该半导体晶圆之整个表面，氧化速率和所得之氧化物层之厚度取决于该半导体晶圆表面上之光强度；以及c)去除该氧化物层；其中，于一位置相依方式中预先定义步骤b)中之光强度，从而经由步骤b)中由与位置相依之光强度所导致之与位置相依之氧化速率以及步骤c)中之该氧化物层之随后去除，而减小步骤a)中测得之该参数的位置相依值间之差异。本发明亦关于用于实施根据本发明方法之设备。

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