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2. 发明专利

TW201009137A 以化學氣相沉積法（ＣＶＤ）在半導體晶圓上沉積一層之方法及實施該方法之室审中-公开
简体标题：以化学气相沉积法（ＣＶＤ）在半导体晶圆上沉积一层之方法及实施该方法之室
公开(公告)号：TW201009137A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098124057
申请日：2009-07-16
申请人：世創電子材料公司
发明人：柏尼杰喬格 , 艾格那亞羅斯
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/24 , C23C16/45502 , C23C16/481 , Y10T428/24612
摘要：本發明係關於一種以化學氣相沉積法（CVD）在一半導體晶圓上沉積一層之方法，其中一沉積氣體係通過一頂部以一窗為邊界且底部以一平面E為邊界之通道來引導，該窗能透過熱輻射，待塗覆之該半導體晶圓之表面係位於該平面E中。該沉積氣體之引導速度係變化的，其係由於該平面E與該窗之間的距離D係經選取，使得在該窗之一中心區域及該窗之一邊緣區域中，在外側的距離係大於內側的距離，且在該中心區域與該邊緣區域的交界處，該距離D之徑向分佈的切線與該平面E形成一不小於15°且不大於25°的角度，其中該窗之該中心區域係一覆蓋該半導體晶圓之該窗的內部區域，且該窗之該邊緣區域係一不覆蓋該半導體晶圓之該窗的外部區域。本發明進一步關於一用於以化學氣相沉積法（CVD）在一半導體晶圓上沉積一層之室，以及一包含磊晶層之半導體晶圓。
简体摘要：本发明系关于一种以化学气相沉积法（CVD）在一半导体晶圆上沉积一层之方法，其中一沉积气体系通过一顶部以一窗为边界且底部以一平面E为边界之信道来引导，该窗能透过热辐射，待涂覆之该半导体晶圆之表面系位于该平面E中。该沉积气体之引导速度系变化的，其系由于该平面E与该窗之间的距离D系经选取，使得在该窗之一中心区域及该窗之一边缘区域中，在外侧的距离系大于内侧的距离，且在该中心区域与该边缘区域的交界处，该距离D之径向分布的切线与该平面E形成一不小于15°且不大于25°的角度，其中该窗之该中心区域系一覆盖该半导体晶圆之该窗的内部区域，且该窗之该边缘区域系一不覆盖该半导体晶圆之该窗的外部区域。本发明进一步关于一用于以化学气相沉积法（CVD）在一半导体晶圆上沉积一层之室，以及一包含磊晶层之半导体晶圆。

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