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31. 发明专利

TW201842537A 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201842537A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106142690
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：井上正史 , INOUE, MASAFUMI , 瀧昭彥 , TAKI, AKIHIKO , 谷口寛樹 , TANIGUCHI, HIROKI , 田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 中野佑太 , NAKANO, YUTA
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要：本發明之課題在於提供一種以更短之時間將基板與紫外線照射器之間之空間之環境設為特定環境的基板處理裝置。本發明之基板處理裝置10具備基板保持台1、紫外線照射機構2、筒構件3、及氣體供給機構41、42。紫外線照射機構2以隔著作用空間H1與基板W1對向之方式配置，且朝向基板W1照射紫外線。筒構件3具有包圍基板保持台1之側面1b之內面3a，且於內面3a中與側面1b對向之至少一個位置具有至少一個開口部31a。氣體供給機構42經由至少一個開口部31a對基板保持台1之側面1b與筒構件3之內面3a之間之空間供給氣體。氣體供給機構41對基板W1與紫外線照射機構2之間之作用空間H1供給氣體。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种以更短之时间将基板与紫外线照射器之间之空间之环境设为特定环境的基板处理设备。本发明之基板处理设备10具备基板保持台1、紫外线照射机构2、筒构件3、及气体供给机构41、42。紫外线照射机构2以隔着作用空间H1与基板W1对向之方式配置，且朝向基板W1照射紫外线。筒构件3具有包围基板保持台1之侧面1b之内面3a，且于内面3a中与侧面1b对向之至少一个位置具有至少一个开口部31a。气体供给机构42经由至少一个开口部31a对基板保持台1之侧面1b与筒构件3之内面3a之间之空间供给气体。气体供给机构41对基板W1与紫外线照射机构2之间之作用空间H1供给气体。

32. 发明专利

TW201842244A 用於保持半導體晶圓的基座、用於在半導體晶圓的正面上沉積磊晶層的方法、以及具有磊晶層的半導體晶圓审中-公开
简体标题：用于保持半导体晶圆的基座、用于在半导体晶圆的正面上沉积磊晶层的方法、以及具有磊晶层的半导体晶圆
公开(公告)号：TW201842244A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107129199
申请日：2017-06-08
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：哈伯欽約格 , HABERECHT,JOERG
IPC分类号： C30B25/12 , C30B29/06 , C23C16/458 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：本發明關於一種用於在半導體晶圓的正面上沉積磊晶層期間保持半導體晶圓的基座、用於在半導體晶圓正面使用基座沉積磊晶層的方法、以及具有磊晶層的半導體晶圓。該基座包含基座環和基座底，其中在該基座環的下方，在基座底中以旋轉對稱地分佈的方式設置凹槽。
简体摘要：本发明关于一种用于在半导体晶圆的正面上沉积磊晶层期间保持半导体晶圆的基座、用于在半导体晶圆正面使用基座沉积磊晶层的方法、以及具有磊晶层的半导体晶圆。该基座包含基座环和基座底，其中在该基座环的下方，在基座底中以旋转对称地分布的方式设置凹槽。

33. 发明专利

TW201841292A 縱型晶舟审中-公开
简体标题：纵型晶舟
公开(公告)号：TW201841292A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105732
申请日：2018-02-21
申请人：日商闊斯泰股份有限公司 , COORSTEK KK
发明人：荻津健 , OGITSU, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687
摘要：本發明係關於一種縱型晶舟，其係具有頂板、底板、3根支柱、及晶圓支持部者，且上述支柱包含：第1及第2支柱，其等配置於晶圓插入始端側之左右兩側；及第3支柱，其配置於晶圓插入終端側之中央；且上述晶圓支持部包含自上述第1、第2及第3支柱之側面，分別向水平方向突出之第1、第2及第3晶圓支持部，上述第1晶圓支持部和第1支柱之水平方向之剖面積之合計、及上述第2晶圓支持部和第2支柱之水平方向之剖面積之合計、與上述第3晶圓支持部和第3支柱之水平方向之剖面積之合計具有特定之關係。
简体摘要：本发明系关于一种纵型晶舟，其系具有顶板、底板、3根支柱、及晶圆支持部者，且上述支柱包含：第1及第2支柱，其等配置于晶圆插入始端侧之左右两侧；及第3支柱，其配置于晶圆插入终端侧之中央；且上述晶圆支持部包含自上述第1、第2及第3支柱之侧面，分别向水平方向突出之第1、第2及第3晶圆支持部，上述第1晶圆支持部和第1支柱之水平方向之剖面积之合计、及上述第2晶圆支持部和第2支柱之水平方向之剖面积之合计、与上述第3晶圆支持部和第3支柱之水平方向之剖面积之合计具有特定之关系。

34. 发明专利

TW201838089A 靜電吸盤审中-公开
简体标题：静电吸盘
公开(公告)号：TW201838089A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107107198
申请日：2018-03-05
申请人：日商TOTO股份有限公司 , TOTO LTD.
发明人：上藤淳平 , UEFUJI, JUMPEI , 佐佐木均 , SASAKI, HITOSHI , 山口康介 , YAMAGUCHI, KOSUKE , 前畑健吾 , MAEHATA, KENGO , 吉井雄一 , YOSHII, YUICHI , 糸山哲朗 , ITOYAMA, TETSURO
IPC分类号： H01L21/687
摘要：本發明的課題為其目的是提供一種可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性之靜電吸盤。本發明的解決手段為提供一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的第一主表面；電極層，配設於陶瓷介電質基板，底板，支撐陶瓷介電質基板；以及加熱板，配設於底板與第一主表面之間，加熱板具有：第一加熱器元件，藉由電流流動而發熱；以及第二加熱器元件，藉由電流流動而發熱，在沿著對第一主表面垂直的方向看時，第一加熱器元件的折彎比第二加熱器元件的折彎多，第一加熱器元件具有位於第二加熱器元件的間隙的部分。
简体摘要：本发明的课题为其目的是提供一种可提高处理对象物的面内的温度分布的均匀性之静电吸盘。本发明的解决手段为提供一种静电吸盘，其特征在于包含：陶瓷介电质基板，具有载置处理对象物的第一主表面；电极层，配设于陶瓷介电质基板，底板，支撑陶瓷介电质基板；以及加热板，配设于底板与第一主表面之间，加热板具有：第一加热器组件，借由电流流动而发热；以及第二加热器组件，借由电流流动而发热，在沿着对第一主表面垂直的方向看时，第一加热器组件的折弯比第二加热器组件的折弯多，第一加热器组件具有位于第二加热器组件的间隙的部分。

35. 发明专利

TW201838088A 晶圓卡盤审中-公开
简体标题：晶圆卡盘
公开(公告)号：TW201838088A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107106548
申请日：2018-02-27
申请人：美商梭尼克斯公司 , SONIX, INC.
发明人：萊特麥可 , WRIGHT, MICHAEL LEMLEY
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683
摘要：一種晶圓卡盤，包括支撐結構及真空區，支撐結構具有結構上配置來支撐晶圓的第一側，真空區形成在支撐結構的第一側上。真空區可至少部分地由延伸自支撐結構的第一側的凹陷表面的環劃界。晶圓卡盤還包括設置在真空區中的複數個吸盤，其中，複數個吸盤中的一個或多個吸盤被與延伸通過支撐結構的通道連接。一個或多個真空與通道流體連通，其中，真空結構上配置來經由通道提供吸力。
简体摘要：一种晶圆卡盘，包括支撑结构及真空区，支撑结构具有结构上配置来支撑晶圆的第一侧，真空区形成在支撑结构的第一侧上。真空区可至少部分地由延伸自支撑结构的第一侧的凹陷表面的环划界。晶圆卡盘还包括设置在真空区中的复数个吸盘，其中，复数个吸盘中的一个或多个吸盘被与延伸通过支撑结构的信道连接。一个或多个真空与信道流体连通，其中，真空结构上配置来经由信道提供吸力。

36. 发明专利

TW201838086A 用於晶片之吸附裝置审中-公开
简体标题：用于芯片之吸附设备
公开(公告)号：TW201838086A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106112649
申请日：2017-04-14
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：黃文章 , HUANG, WEN-CHANG , 許英南 , HSU, YING-NAN , 李俊頤 , LEE, JIUNYI
IPC分类号： H01L21/687
摘要：本揭露有關於一種元件吸附裝置，尤其用於吸附晶片。該元件吸附裝置包括一第一部件及一第二部件；其中該第一部件具有貫穿該第一部件之一第一吸附孔，且該第二部件具有貫穿該第二部件之複數個第二吸附孔；又，其中該第一部件設置於該第二部件之上，且以一體成形之方式與第二部件結合，且其中該第一吸附孔係與該等第二吸附孔彼此連通。
简体摘要：本揭露有关于一种组件吸附设备，尤其用于吸附芯片。该组件吸附设备包括一第一部件及一第二部件；其中该第一部件具有贯穿该第一部件之一第一吸附孔，且该第二部件具有贯穿该第二部件之复数个第二吸附孔；又，其中该第一部件设置于该第二部件之上，且以一体成形之方式与第二部件结合，且其中该第一吸附孔系与该等第二吸附孔彼此连通。

37. 发明专利

TW201838084A 基材傳送裝置及其端緣作用器审中-公开
简体标题：基材发送设备及其端缘作用器
公开(公告)号：TW201838084A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106111625
申请日：2017-04-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許雲傑 , HSU, YUN-JIE , 楊盛增 , YANG, SHENG-TSENG , 黃榮吉 , HUANG, JC , 紀元興 , CHI, YUAN-HSIN
IPC分类号： H01L21/687
摘要：一種端緣作用器，其包括吸附構件以及阻擋構件。吸附構件包括用以提供氣流以吸附基材的多個吹氣孔。阻擋構件配置於吸附構件的一側以限制被吸附構件吸附的基材的側向位移，其中阻擋構件包括阻擋部與連接部，連接部連接於阻擋部與吸附構件之間，且連接部沿著三維螺旋路徑延伸。
简体摘要：一种端缘作用器，其包括吸附构件以及阻挡构件。吸附构件包括用以提供气流以吸附基材的多个吹气孔。阻挡构件配置于吸附构件的一侧以限制被吸附构件吸附的基材的侧向位移，其中阻挡构件包括阻挡部与连接部，连接部连接于阻挡部与吸附构件之间，且连接部沿着三维螺旋路径延伸。

38. 发明专利

TW201838067A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201838067A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107115285
申请日：2015-02-26
申请人：日商斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彥 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 小林健司 , KOBAYASHI, KENJI , 奧谷學 , OKUTANI, MANABU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。
简体摘要：基板处理设备包含有：一边支撑基板，一边从下方对基板进行加热的基板加热单元；以及使基板加热单元在水平姿势与倾斜姿势之间进行姿势变更的姿势变更单元。在接着加热基板的基板高温化步骤之后所运行的有机溶剂排除步骤中，借由使基板加热单元姿势变更为倾斜姿势，使基板之上表面倾斜于水平面。

39. 发明专利

TW201834140A 用於半導體元件製造的晶圓邊緣升降銷設計审中-公开
简体标题：用于半导体组件制造的晶圆边缘升降销设计
公开(公告)号：TW201834140A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142863
申请日：2017-12-07
申请人：美商東京威力科創FSI股份有限公司 , TEL FSI, INC.
发明人：漢茲利克愛德華 D , HANZLIK, EDWARD D. , 摩爾肖恩 , MOORE, SEAN
IPC分类号： H01L21/687
摘要：本說明書係描述用於製造半導體元件之設備的晶圓邊緣升降銷。該晶圓邊緣升降銷包含一頂部，該頂部包含一凹槽部分，該凹槽部分具有用以支撐晶圓的一水平朝上表面以及用以橫向限制該晶圓之一垂直傾斜表面，其中該凹槽部分沿著一半徑被水平地掃掠而遠離該晶圓;一基部，位於該頂部下方，該基部的直徑大於橫跨該凹槽部分之該頂部的直徑; 以及一底部，其直徑小於該基部的直徑。該設備包含於其中處理該晶圓之一處理室，於其上裝載該晶圓之一卡盤組件，以及複數個至少三個晶圓邊緣升降銷，用以將該晶圓上下移動。
简体摘要：本说明书系描述用于制造半导体组件之设备的晶圆边缘升降销。该晶圆边缘升降销包含一顶部，该顶部包含一凹槽部分，该凹槽部分具有用以支撑晶圆的一水平朝上表面以及用以横向限制该晶圆之一垂直倾斜表面，其中该凹槽部分沿着一半径被水平地扫掠而远离该晶圆;一基部，位于该顶部下方，该基部的直径大于横跨该凹槽部分之该顶部的直径; 以及一底部，其直径小于该基部的直径。该设备包含于其中处理该晶圆之一处理室，于其上装载该晶圆之一卡盘组件，以及复数个至少三个晶圆边缘升降销，用以将该晶圆上下移动。

40. 发明专利

TW201834103A 基板處理裝置以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201834103A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107102528
申请日：2018-01-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：武明励 , TAKEAKI, REI , 安藤幸嗣 , ANDO, KOJI , 前川直嗣 , MAEGAWA, TADASHI , 石井弘晃 , ISHII, HIROAKI , 安武陽介 , YASUTAKE, YOSUKE
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：基板處理裝置係包含有：基板保持單元，係保持周端的至少一部分作成圓弧狀的基板，且支撐前述基板的中央部並保持前述基板；基板旋轉單元，係使被前述基板保持單元保持的基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直軸線旋轉；各周端高度位置計測單元，係用以計測被前述基板保持單元保持的基板的周方向的各周端位置中之屬於高度位置的各周端高度位置；處理液噴嘴，係朝被前述基板保持單元保持的基板的外周部噴出處理液；處理液供給單元，係對前述處理液噴嘴供給處理液；噴嘴驅動單元，係以前述基板中之處理液的著液位置移動之方式驅動前述處理液噴嘴；以及控制裝置，係控制前述基板旋轉單元，且控制前述噴嘴驅動單元。前述控制裝置係執行：各周端高度位置計測步驟，係藉由前述各周端高度位置計測單元計測前述各周端高度位置；外周部處理步驟，係一邊使前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉一邊從前述處理液噴嘴朝前述基板的外周部噴出處理液，藉此處理前述基板的外周部；以及著液位置往復移動步驟，係與前述外周部處理步驟並行，並以前述基板的外周部中之來自前述處理液噴嘴的處理液之著液位置會追隨配置位置周端的高度位置變化而往復移動之方式驅動前述處理液噴嘴，前述配置位置周端的高度位置變化係前述著液位置與前述基板的周端中之配置有前述處理液噴嘴之屬於周方向位置的周端之配置位置周端之間的間隔會保持一定。
简体摘要：基板处理设备系包含有：基板保持单元，系保持周端的至少一部分作成圆弧状的基板，且支撑前述基板的中央部并保持前述基板；基板旋转单元，系使被前述基板保持单元保持的基板绕着通过前述基板的中央部之铅直轴线旋转；各周端高度位置计测单元，系用以计测被前述基板保持单元保持的基板的周方向的各周端位置中之属于高度位置的各周端高度位置；处理液喷嘴，系朝被前述基板保持单元保持的基板的外周部喷出处理液；处理液供给单元，系对前述处理液喷嘴供给处理液；喷嘴驱动单元，系以前述基板中之处理液的着液位置移动之方式驱动前述处理液喷嘴；以及控制设备，系控制前述基板旋转单元，且控制前述喷嘴驱动单元。前述控制设备系运行：各周端高度位置计测步骤，系借由前述各周端高度位置计测单元计测前述各周端高度位置；外周部处理步骤，系一边使前述基板绕着前述旋转轴线旋转一边从前述处理液喷嘴朝前述基板的外周部喷出处理液，借此处理前述基板的外周部；以及着液位置往复移动步骤，系与前述外周部处理步骤并行，并以前述基板的外周部中之来自前述处理液喷嘴的处理液之着液位置会追随配置位置周端的高度位置变化而往复移动之方式驱动前述处理液喷嘴，前述配置位置周端的高度位置变化系前述着液位置与前述基板的周端中之配置有前述处理液喷嘴之属于周方向位置的周端之配置位置周端之间的间隔会保持一定。

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