基本信息:
- 专利标题： 用於半導體元件製造的晶圓邊緣升降銷設計
- 专利标题（英）：WAFER EDGE LIFT PIN DESIGN FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：用于半导体组件制造的晶圆边缘升降销设计
- 申请号：TW106142863 申请日：2017-12-07
- 公开(公告)号：TW201834140A 公开(公告)日：2018-09-16
- 发明人： 漢茲利克 愛德華 D , HANZLIK, EDWARD D. , 摩爾 肖恩 , MOORE, SEAN
- 申请人： 美商東京威力科創FSI股份有限公司 , TEL FSI, INC.
- 专利权人： 美商東京威力科創FSI股份有限公司,TEL FSI, INC.
- 当前专利权人： 美商東京威力科創FSI股份有限公司,TEL FSI, INC.
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 62/431,175 20161207
- 主分类号： H01L21/687
- IPC分类号： H01L21/687
摘要：
本說明書係描述用於製造半導體元件之設備的晶圓邊緣升降銷。該晶圓邊緣升降銷包含一頂部，該頂部包含一凹槽部分，該凹槽部分具有用以支撐晶圓的一水平朝上表面以及用以橫向限制該晶圓之一垂直傾斜表面，其中該凹槽部分沿著一半徑被水平地掃掠而遠離該晶圓;一基部，位於該頂部下方，該基部的直徑大於橫跨該凹槽部分之該頂部的直徑; 以及一底部，其直徑小於該基部的直徑。 該設備包含於其中處理該晶圓之一處理室，於其上裝載該晶圓之一卡盤組件，以及複數個至少三個晶圓邊緣升降銷，用以將該晶圓上下移動。
摘要（中）：
本说明书系描述用于制造半导体组件之设备的晶圆边缘升降销。该晶圆边缘升降销包含一顶部，该顶部包含一凹槽部分，该凹槽部分具有用以支撑晶圆的一水平朝上表面以及用以横向限制该晶圆之一垂直倾斜表面，其中该凹槽部分沿着一半径被水平地扫掠而远离该晶圆;一基部，位于该顶部下方，该基部的直径大于横跨该凹槽部分之该顶部的直径; 以及一底部，其直径小于该基部的直径。 该设备包含于其中处理该晶圆之一处理室，于其上装载该晶圆之一卡盘组件，以及复数个至少三个晶圆边缘升降销，用以将该晶圆上下移动。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/683 | ..用于支承或夹紧的 |
| ------------H01L21/687 | ...使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子 |