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    • 37. 发明专利
    • 晶片電阻端電極結構
    • 芯片电阻端电极结构
    • TW201637032A
    • 2016-10-16
    • TW104111183
    • 2015-04-08
    • 國立成功大學
    • 李文熙
    • H01C17/00H01C7/00
    • 一種晶片電阻端電極結構,係包括一基板、二形成於該基板正面之正面端電極、二形成於該基板背面之背面端電極、一形成於該基板正面並位於該二正面端電極之間之第一電阻層、一重疊該第一電阻層之上之第一保護層,且該第一保護層之尺寸相異於該第一電阻層之尺寸,使該第一電阻層之兩端部分外露、以及二分別形成於該基板二側面上且分別與同一側邊之正、背面端電極相連接之側面端電極所構成。藉此,利用改變結構方式,使用新結構保護層與電阻層尺寸不同之電流導通路徑,取代傳統結構保護層與電阻層尺寸相同之電流導通路徑,確實可以改善晶片電阻器之電阻值變異性,進而提高窄分佈電阻值之晶片電阻器良率,既可有效提升電阻器電性良率產品,又可大幅降低正面端電極材料成本。
    • 一种芯片电阻端电极结构,系包括一基板、二形成于该基板正面之正面端电极、二形成于该基板背面之背面端电极、一形成于该基板正面并位于该二正面端电极之间之第一电阻层、一重叠该第一电阻层之上之第一保护层,且该第一保护层之尺寸相异于该第一电阻层之尺寸,使该第一电阻层之两端部分外露、以及二分别形成于该基板二侧面上且分别与同一侧边之正、背面端电极相连接之侧面端电极所构成。借此,利用改变结构方式,使用新结构保护层与电阻层尺寸不同之电流导通路径,取代传统结构保护层与电阻层尺寸相同之电流导通路径,确实可以改善芯片电阻器之电阻值变异性,进而提高窄分布电阻值之芯片电阻器良率,既可有效提升电阻器电性良率产品,又可大幅降低正面端电极材料成本。
    • 39. 发明专利
    • 負特性熱阻器及其製造方法
    • 负特性热阻器及其制造方法
    • TW201629994A
    • 2016-08-16
    • TW104137397
    • 2015-11-12
    • 村田製作所股份有限公司MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
    • 鷲見高弘SUMI, TAKAHIRO浅田賢治ASADA, KENJI古戶聖浩KOTO, KIYOHIRO
    • H01C7/04H01C7/18H01C17/00
    • H01C1/142H01C7/04H01C17/28
    • 本發明提供一種難以產生焊料爆裂、外部電極與陶瓷坯體之界面之密接強度較高、且暴露於溫度變化時之電阻值之變化率較小之NTC熱阻器及其製造方法。 本發明負特性熱阻器包括:陶瓷坯體、設置於陶瓷坯體之內部之第1內部電極及第2內部電極、設置於陶瓷坯體之一端面且與第1內部電極電性連接之第1外部電極、及設置於陶瓷坯體之另一端面且與第2內部電極電性連接之第2外部電極,且陶瓷坯體含有Mn3O4,第1及第2內部電極含有貴金屬元素,第1及第2外部電極含有Cu,第1及第2外部電極中所含之Cu之向第1及第2內部電極中之擴散距離為2~20μm。
    • 本发明提供一种难以产生焊料爆裂、外部电极与陶瓷坯体之界面之密接强度较高、且暴露于温度变化时之电阻值之变化率较小之NTC热阻器及其制造方法。 本发明负特性热阻器包括:陶瓷坯体、设置于陶瓷坯体之内部之第1内部电极及第2内部电极、设置于陶瓷坯体之一端面且与第1内部电极电性连接之第1外部电极、及设置于陶瓷坯体之另一端面且与第2内部电极电性连接之第2外部电极,且陶瓷坯体含有Mn3O4,第1及第2内部电极含有贵金属元素,第1及第2外部电极含有Cu,第1及第2外部电极中所含之Cu之向第1及第2内部电极中之扩散距离为2~20μm。