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1. 发明专利

TWI686358B 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊有权
简体标题：厚膜电阻组成物及含有其之厚膜电阻煳
公开(公告)号：TWI686358B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107115451
申请日：2018-05-07
申请人：日商住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：向井哲也 , MUKAI, TETSUYA , 川久保勝弘 , KAWAKUBO, KATSUHIRO
IPC分类号： C01G55/00 , H01C7/00 , H01C17/065 , B05D5/12

2. 发明专利

TW201947617A 晶片電阻器及晶片電阻器之製造方法审中-公开
简体标题：芯片电阻器及芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TW201947617A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108113038
申请日：2019-04-15
申请人：日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：牛山和久 , USHIYAMA, KAZUHISA , 井口夏希 , IGUCHI, NATSUKI , 上條泰弘 , KAMIJO, YASUHIRO , 永田久和 , NAGATA, HISAKAZU
IPC分类号： H01C17/06 , H01C17/242 , H01C7/00 , H01C3/12
摘要：提供一種晶片電阻器，其可提高突波特性，且可高精度地微調整電阻值。晶片電阻器1具有電阻體5，其係以第1彎折部6與第2彎折部7隔著矩形狀之調整部8而連續之方式印刷形成；藉由在調整部8上形成第1修整槽9，而延長電阻體5之電流路徑來提高突波特性，並且以電阻體5之電阻值接近目標電阻值之方式進行粗調整。又，藉由在第2彎折部7中之電流分佈少之區域形成第2修整槽10，從而以隨著第2修整槽10之切入量，電阻體5之電阻值與目標電阻值一致之方式進行微調整。
简体摘要：提供一种芯片电阻器，其可提高突波特性，且可高精度地微调整电阻值。芯片电阻器1具有电阻体5，其系以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状之调整部8而连续之方式印刷形成；借由在调整部8上形成第1修整槽9，而延长电阻体5之电流路径来提高突波特性，并且以电阻体5之电阻值接近目标电阻值之方式进行粗调整。又，借由在第2弯折部7中之电流分布少之区域形成第2修整槽10，从而以随着第2修整槽10之切入量，电阻体5之电阻值与目标电阻值一致之方式进行微调整。

3. 发明专利

TWI679657B 可撓式電阻元件和其製作方法有权
简体标题：可挠式电阻组件和其制作方法
公开(公告)号：TWI679657B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW108101418
申请日：2019-01-14
申请人：光頡科技股份有限公司 , VIKING TECH CORPORATION
发明人：曾冠閔 , ZENG, GUAN-MIN
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/00

4. 发明专利

TW201919147A 形成整合於積體電路裝置中之薄膜電阻器之系統及方法审中-公开
简体标题：形成集成于集成电路设备中之薄膜电阻器之系统及方法
公开(公告)号：TW201919147A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107122752
申请日：2018-07-02
申请人：美商微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：菲思特保羅 , FEST, PAUL
IPC分类号： H01L21/70 , H01L49/02 , H01C17/00 , H01C7/00
摘要：本發明提供一種形成一半導體積體電路裝置中之一整合式薄膜電阻器(TFR)之方法。在包含導電接觸件之一積體電路(IC)結構上沈積一第一介電層；在該第一介電層上方沈積一電阻膜(例如，包括SiCCr、SiCr、CrSiN、TaN、Ta2Si或TiN)；蝕刻該電阻膜以界定該電阻膜之尺寸；及在該電阻膜上方沈積一第二介電層，使得該電阻膜夾置於該第一介電層與該第二介電層之間。可在該第二介電層上方沈積一互連溝渠層且例如使用一單個遮罩蝕刻該互連溝渠層以界定暴露該等IC結構接觸件及該電阻膜之表面之開口。可用例如銅之一導電互連材料填充該等開口以接觸該等導電接觸件及該電阻膜之該等經暴露之表面。
简体摘要：本发明提供一种形成一半导体集成电路设备中之一集成式薄膜电阻器(TFR)之方法。在包含导电接触件之一集成电路(IC)结构上沉积一第一介电层；在该第一介电层上方沉积一电阻膜(例如，包括SiCCr、SiCr、CrSiN、TaN、Ta2Si或TiN)；蚀刻该电阻膜以界定该电阻膜之尺寸；及在该电阻膜上方沉积一第二介电层，使得该电阻膜夹置于该第一介电层与该第二介电层之间。可在该第二介电层上方沉积一互连沟渠层且例如使用一单个遮罩蚀刻该互连沟渠层以界定暴露该等IC结构接触件及该电阻膜之表面之开口。可用例如铜之一导电互连材料填充该等开口以接触该等导电接触件及该电阻膜之该等经暴露之表面。

5. 发明专利

TW201738413A 銅箔及使用方法审中-公开
简体标题：铜箔及使用方法
公开(公告)号：TW201738413A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105144162
申请日：2016-12-30
申请人：長春石油化學股份有限公司 , CHANG CHUN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：鄭桂森 , CHENG, KUEI SEN , 曾士誠 , TSENG, SHIH CHENG , 卓倉進 , JUO, TSANG JIN
IPC分类号： C25D5/14 , C25D7/06 , H01C7/00 , H01C7/02 , B32B15/01
CPC分类号： B32B15/01 , B32B37/10 , B32B37/1284 , B32B37/16 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , B32B2457/00 , C25D1/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/14 , C25D7/0614 , C25D7/0621 , H01C1/1406 , H01C7/008 , H01C7/027 , H01C17/28 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307
摘要：本發明係關於一種鍍鎳銅箔。該經鍍覆之銅箔特別適用於正溫度係數(PTC)元件，且該經鍍覆之銅箔具有自50到200之表面硬度、大於45公斤/平方毫米(kg/mm2)之拉伸強度及不超過2.0微米(μm)之光澤面表面粗糙度(Rz)。該銅箔的粗糙面的表面粗糙度(Rz)係介於6至10微米範圍內，銅粗化粒子(nodules)則係存在於介於銅箔和鎳鍍覆層之間的銅箔粗糙面上。本發明亦揭露製造銅箔及PTC元件的方法。
简体摘要：本发明系关于一种镀镍铜箔。该经镀覆之铜箔特别适用于正温度系数(PTC)组件，且该经镀覆之铜箔具有自50到200之表面硬度、大于45公斤/平方毫米(kg/mm2)之拉伸强度及不超过2.0微米(μm)之光泽面表面粗糙度(Rz)。该铜箔的粗糙面的表面粗糙度(Rz)系介于6至10微米范围内，铜粗化粒子(nodules)则系存在于介于铜箔和镍镀覆层之间的铜箔粗糙面上。本发明亦揭露制造铜箔及PTC组件的方法。

6. 发明专利

TW201614686A 金屬板微電阻审中-公开
简体标题：金属板微电阻
公开(公告)号：TW201614686A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103134188
申请日：2014-10-01
申请人：致強科技股份有限公司
发明人：陳伯僖
IPC分类号： H01C1/084 , H01C7/00
摘要：本發明係為一種金屬板微電阻，包含一金屬板電阻本體，金屬板電阻本體兩端分別以電鑄銅形成一電極，金屬板電阻本體底面利用一導熱性黏著層壓合貼著至少一導熱片，該導熱片可隨金屬板微電阻焊接於PCB電路板之同時焊接於銅箔電路上，使金屬板電阻本體表面溫度可經由導熱片直接傳導至PCB電路板之銅箔電路，以達到良好之散熱。
简体摘要：本发明系为一种金属板微电阻，包含一金属板电阻本体，金属板电阻本体两端分别以电铸铜形成一电极，金属板电阻本体底面利用一导热性黏着层压合贴着至少一导热片，该导热片可随金属板微电阻焊接于PCB电路板之同时焊接于铜箔电路上，使金属板电阻本体表面温度可经由导热片直接传导至PCB电路板之铜箔电路，以达到良好之散热。

7. 发明专利

TW201606811A 電流感測電阻器及其製造方法审中-公开
简体标题：电流传感电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW201606811A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104122644
申请日：2015-07-13
申请人：智慧電子股份有限公司 , SMART ELECTRONICS INC.
发明人：姜斗園 , KANG, DOO WON , 金炫昌 , KIM, HYUN CHANG , 安相玟 , AHN, SANG MIN , 姜泰憲 , KANG, TAE HUN , 文皇帝 , MUN, HWANG JE , 申雅嵐 , SHIN, A LAM
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/06
CPC分类号： H01C1/08 , H01C1/14 , H01C3/00 , H01C17/28
摘要：揭露一種電流感測電阻器及其製造方法。在電阻器板下方及上方設置下板與上板，使得從電阻器板產生的熱能向下消散及向上消散，因此增進散熱效能。具有比下板及上板之寬度更小之寬度的電阻器板確保絕緣空間能容納絕緣膜構件且因此憑藉絕緣膜構件而防止電阻器板被電性連接至外部元件。
简体摘要：揭露一种电流传感电阻器及其制造方法。在电阻器板下方及上方设置下板与上板，使得从电阻器板产生的热能向下消散及向上消散，因此增进散热性能。具有比下板及上板之宽度更小之宽度的电阻器板确保绝缘空间能容纳绝缘膜构件且因此凭借绝缘膜构件而防止电阻器板被电性连接至外部组件。

8. 实用新型

TWM503637U 抗腐蝕薄膜電阻之結構有权
简体标题：抗腐蚀薄膜电阻之结构
公开(公告)号：TWM503637U
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW103211952
申请日：2014-07-04
申请人：魏石龍
发明人：魏石龍
IPC分类号： H01C7/00

9. 实用新型

TWM498371U 金屬板微電阻有权
简体标题：金属板微电阻
公开(公告)号：TWM498371U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103217466
申请日：2014-10-01
申请人：致強科技股份有限公司
发明人：陳伯僖
IPC分类号： H01C1/084 , H01C7/00

10. 实用新型

TWM467153U 環形壓敏電阻器有权
简体标题：环形压敏电阻器
公开(公告)号：TWM467153U
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102212779
申请日：2013-07-05
申请人：曾清隆
发明人：曾清隆
IPC分类号： H01C7/00

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