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1. 发明专利

TWI546825B ＰＴＣ裝置有权
简体标题：ＰＴＣ设备
公开(公告)号：TWI546825B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW101121481
申请日：2012-06-15
申请人：太谷電子日本合同公司 , TYCO ELECTRONICS JAPAN G. K.
发明人：小山洋幸 , KOYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01C7/02 , H01C7/18
CPC分类号： H02H3/08 , H01C7/021

2. 发明专利

TW201802060A 電壓非線性電阻元件及其製法审中-公开
简体标题：电压非线性电阻组件及其制法
公开(公告)号：TW201802060A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106103920
申请日：2017-02-07
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：石川昌樹 , 早瀬徹 , 小林義政 , 森本健司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C14/34 , H01C7/10 , H01C7/18 , H01C17/30 , G01N27/12
CPC分类号： H01C7/18 , C04B35/453 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , C04B2235/75 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01C7/102 , H01C7/112 , H01C17/30 , C04B41/4556 , C04B41/5049 , C04B41/4529 , C04B41/5027
摘要：本發明之課題，係在氧化鋅區域接合其它金屬氧化物區域結構之電壓非線性電阻元件，相較於先前，將電壓非線性指數增大。本發明之解決手段，係提供一種電壓非線性電阻元件10，其包括電壓非線性電阻體(簡稱為電阻體)20、及一對電極14、16夾入上述電阻體20。電阻體20，係將以氧化鋅作為主成分之第1層21、相同地以氧化鋅作為主成分之第2層22及以與氧化鋅不同的金屬氧化物作為主成分之第3層23層積而成之結構。第2層22係接合在第1層21，其厚度較第1層21為薄，其體積電阻率較第1層21為高。第3層23係接合在第2層22。
简体摘要：本发明之课题，系在氧化锌区域接合其它金属氧化物区域结构之电压非线性电阻组件，相较于先前，将电压非线性指数增大。本发明之解决手段，系提供一种电压非线性电阻组件10，其包括电压非线性电阻体(简称为电阻体)20、及一对电极14、16夹入上述电阻体20。电阻体20，系将以氧化锌作为主成分之第1层21、相同地以氧化锌作为主成分之第2层22及以与氧化锌不同的金属氧化物作为主成分之第3层23层积而成之结构。第2层22系接合在第1层21，其厚度较第1层21为薄，其体积电阻率较第1层21为高。第3层23系接合在第2层22。

3. 发明专利

TW201308367A ＰＴＣ裝置审中-公开
简体标题：ＰＴＣ设备
公开(公告)号：TW201308367A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101121481
申请日：2012-06-15
申请人：太谷電子日本合同公司 , TYCO ELECTRONICS JAPAN G. K.
发明人：小山洋幸 , KOYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01C7/02 , H01C7/18
CPC分类号： H02H3/08 , H01C7/021
摘要：本發明提供一種額定電流及/或額定電壓條件大之PTC裝置。PTC裝置具有經由絕緣層堆疊而成之複數個層狀PTC元件，且具有第一端部及第二端部，各PTC元件具有藉由對面之第一主表面及第二主表面所規定，並以該第一端部及該第二端部為終端之PTC要素，以及配置於第一主表面之第一層狀電極及配置於第二主表面之第二層狀電極，PTC裝置在第一端部具有與該複數個PTC元件共用之第一側方電極，此外，在第二端部具有與該複數個PTC元件共用之第二側方電極，各PTC元件之第一層狀電極延伸至第一端部，第二層狀電極延伸至第二端部，結果，複數個PTC元件在第一側方電極與第二側方電極之間並排的連接，複數個PTC元件以一方向之最外部之第一層狀電極作為最外第一電極，並以另一方向之最外部之第二層狀電極作為最外第二電極之方式堆疊，第一導電性要素位於最外第一電極之外側，此外，第二導電性要素位於最外第二電極之外側，第一導電性要素連接於第一側方電極，此外，第二導電性要素連接於第二側方電極。
简体摘要：本发明提供一种额定电流及/或额定电压条件大之PTC设备。PTC设备具有经由绝缘层堆栈而成之复数个层状PTC组件，且具有第一端部及第二端部，各PTC组件具有借由对面之第一主表面及第二主表面所规定，并以该第一端部及该第二端部为终端之PTC要素，以及配置于第一主表面之第一层状电极及配置于第二主表面之第二层状电极，PTC设备在第一端部具有与该复数个PTC组件共享之第一侧方电极，此外，在第二端部具有与该复数个PTC组件共享之第二侧方电极，各PTC组件之第一层状电极延伸至第一端部，第二层状电极延伸至第二端部，结果，复数个PTC组件在第一侧方电极与第二侧方电极之间并排的连接，复数个PTC组件以一方向之最外部之第一层状电极作为最外第一电极，并以另一方向之最外部之第二层状电极作为最外第二电极之方式堆栈，第一导电性要素位于最外第一电极之外侧，此外，第二导电性要素位于最外第二电极之外侧，第一导电性要素连接于第一侧方电极，此外，第二导电性要素连接于第二侧方电极。

4. 发明专利

TWI501272B 陶瓷電子零件有权
简体标题：陶瓷电子零件
公开(公告)号：TWI501272B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100122590
申请日：2011-06-28
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吉田明弘 , YOSHIDA, AKIHIRO
IPC分类号： H01G4/012 , H01G4/30 , H01C7/18
CPC分类号： H01G4/12 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/012 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/0472

5. 发明专利

TWI436388B 陶瓷電子零件有权
简体标题：陶瓷电子零件
公开(公告)号：TWI436388B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100122173
申请日：2011-06-24
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吉田明弘 , YOSHIDA, AKIHIRO
IPC分类号： H01G4/012 , H01G4/30 , H01C7/18
CPC分类号： H01G4/012 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/30

6. 发明专利

TW201812800A 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件审中-公开
简体标题：一种提高多层贴片式变阻器通流面积的制法及其制得的变阻器组件
公开(公告)号：TW201812800A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105140694
申请日：2016-12-08
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐志賢 , XU, ZHI XIAN , 方廷毅 , FANG, TING YI , 許鴻宗 , XU, HONG ZONG
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/112 , H01C7/18
CPC分类号： H01C17/06 , H01C1/14 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/112 , H01C7/18 , H01C17/065 , H01C17/06546 , H01C17/281
摘要：一種多層貼片式變阻器的製法，在製程中，藉提高多層貼片式變阻器各面的表層阻抗，可以實現減薄多層貼片式變阻器的上蓋及下蓋的厚度以及減小內電極兩側的留邊寬度，從而可以實現增加內電極印次層數以及擴大單層內電極的通流面積，最終獲得提高多層貼片式變阻器通流面積的效果。
简体摘要：一种多层贴片式变阻器的制法，在制程中，藉提高多层贴片式变阻器各面的表层阻抗，可以实现减薄多层贴片式变阻器的上盖及下盖的厚度以及减小内电极两侧的留边宽度，从而可以实现增加内电极印次层数以及扩大单层内电极的通流面积，最终获得提高多层贴片式变阻器通流面积的效果。

7. 发明专利

TWI517190B 晶片型電子零件有权
简体标题：芯片型电子零件
公开(公告)号：TWI517190B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW100119296
申请日：2011-06-01
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：東克明 , HIGASHI, KATSUAKI , 松下幸嗣 , MATSUSHITA, KOJI , 櫻田清恭 , SAKURADA, KIYOYASU
IPC分类号： H01G4/232 , H01G4/30 , H01C1/142 , H01C7/18
CPC分类号： H01G4/2325 , H01C1/142 , H01C7/18 , H01G4/30

8. 发明专利

TWI496172B 低電阻之片形電阻器和其製造方法有权
简体标题：低电阻之片形电阻器和其制造方法
公开(公告)号：TWI496172B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW098127711
申请日：2009-08-18
申请人：釜屋電機股份有限公司 , KAMAYA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：松川修 , MATSUKAWA, OSAMU , 平野立樹 , HIRANO, TATSUKI , 戶田篤司 , TODA, ATSUSHI
IPC分类号： H01C7/18
CPC分类号： H01C7/003 , H01C1/148 , H01C17/006 , H05K1/167 , H05K3/285

9. 发明专利

TWI667667B 一種提高多層貼片式變阻器通流面積的製法及其製得的變阻器元件有权
简体标题：一种提高多层贴片式变阻器通流面积的制法及其制得的变阻器组件
公开(公告)号：TWI667667B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW105140694
申请日：2016-12-08
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：連清宏 , LIEN, CHING HOHN , 朱頡安 , ZHU, JIE-AN , 徐志賢 , XU, ZHI XIAN , 方廷毅 , FANG, TING YI , 許鴻宗 , XU, HONG ZONG
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/112 , H01C7/18

10. 发明专利

TWI584309B 負特性熱阻器及其製造方法有权
简体标题：负特性热阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI584309B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104137397
申请日：2015-11-12
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鷲見高弘 , SUMI, TAKAHIRO , 浅田賢治 , ASADA, KENJI , 古戶聖浩 , KOTO, KIYOHIRO
IPC分类号： H01C7/04 , H01C7/18 , H01C17/00
CPC分类号： H01C1/142 , H01C7/04 , H01C17/28

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