专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI689621B 導電性基板、電子裝置及顯示裝置之製造方法有权
简体标题：导电性基板、电子设备及显示设备之制造方法
公开(公告)号：TWI689621B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107125663
申请日：2018-07-25
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：大德高志 , DAITOKU, TAKASHI , 谷口晋 , TANIGUCHI, SUSUMU , 関映子 , SEKI, AKIKO , 佐藤淳 , SATO, ATSUSHI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： C23C18/06 , B29C59/02 , G03F7/00 , C23C18/31 , H05K3/18

2. 发明专利

TWI639368B 佈線零件有权
简体标题：布线零件
公开(公告)号：TWI639368B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW106143750
申请日：2017-12-13
申请人：日商TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 上林義廣 , KANBAYASHI, YOSHIHIRO , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI , 麻生裕文 , ASOU, HIROHUMI , 國塚光祐 , KUNITSUKA, KOSUKE
IPC分类号： H05K3/10 , H05K3/24

3. 发明专利

TW201838109A 半導體封裝之製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装之制造方法
公开(公告)号：TW201838109A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107107052
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/538 , H01L23/522
摘要：本發明之半導體封裝之製造方法係使複數片半導體晶片積層而成之半導體封裝之製造方法，該半導體晶片具有基板、形成於基板上之導電部及形成於導電部之微凸塊，且該製造方法具備：平滑面形成步驟，其係於微凸塊形成平滑面；積層步驟，其係藉由於一半導體晶片之微凸塊重合另一半導體晶片之微凸塊，而積層3片以上之半導體晶片；接合步驟，其係藉由將微凸塊加熱使之熔融，而經由該微凸塊將半導體晶片彼此接合；且於積層步驟中，於一半導體晶片與另一半導體晶片中之至少一者之微凸塊形成平滑面，其中一者之微凸塊於平滑面與另一者之微凸塊接觸。
简体摘要：本发明之半导体封装之制造方法系使复数片半导体芯片积层而成之半导体封装之制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上之导电部及形成于导电部之微凸块，且该制造方法具备：平滑面形成步骤，其系于微凸块形成平滑面；积层步骤，其系借由于一半导体芯片之微凸块重合另一半导体芯片之微凸块，而积层3片以上之半导体芯片；接合步骤，其系借由将微凸块加热使之熔融，而经由该微凸块将半导体芯片彼此接合；且于积层步骤中，于一半导体芯片与另一半导体芯片中之至少一者之微凸块形成平滑面，其中一者之微凸块于平滑面与另一者之微凸块接触。

4. 发明专利

TWI672983B 導電性基板、電子裝置及顯示裝置有权
简体标题：导电性基板、电子设备及显示设备
公开(公告)号：TWI672983B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107125665
申请日：2018-07-25
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：大德高志 , DAITOKU, TAKASHI , 谷口晋 , TANIGUCHI, SUSUMU , 関映子 , SEKI, AKIKO , 佐藤淳 , SATO, ATSUSHI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/38 , H05K3/28 , G02F1/1333 , G06F3/041

5. 发明专利

TWI672782B 半導體晶片之製造方法有权
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI672782B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107107068
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/28

6. 发明专利

TW201910554A 導電性基板、電子裝置及顯示裝置之製造方法审中-公开
简体标题：导电性基板、电子设备及显示设备之制造方法
公开(公告)号：TW201910554A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107125663
申请日：2018-07-25
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：大德高志 , DAITOKU, TAKASHI , 谷口晋 , TANIGUCHI, SUSUMU , 関映子 , SEKI, AKIKO , 佐藤淳 , SATO, ATSUSHI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： C23C18/06 , B29C59/02 , G03F7/00 , C23C18/31 , H05K3/18
摘要：本發明揭示一種製造具有基材及設置於基材之一個主面側之導電圖案的導電性基板之方法。該方法具備如下步驟：藉由壓印法形成具有露出基底層之底面與包含溝槽形成層之表面之側面的溝槽；及使金屬鍍層自露出於溝槽之底面之基底層生長，藉此形成導電圖案層。
简体摘要：本发明揭示一种制造具有基材及设置于基材之一个主面侧之导电图案的导电性基板之方法。该方法具备如下步骤：借由压印法形成具有露出基底层之底面与包含沟槽形成层之表面之侧面的沟槽；及使金属镀层自露出于沟槽之底面之基底层生长，借此形成导电图案层。

7. 发明专利

TW201830610A 電子零件模組及其製造方法审中-公开
简体标题：电子零件模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201830610A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106136342
申请日：2017-10-23
申请人：日商TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI , 上林義廣 , KANBAYASHI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/56 , H01L21/3205
摘要：本說明書揭示之電子零件模組係具備電子零件、對上述電子零件進行密封之密封樹脂、覆蓋上述密封樹脂之表面的導電膜、與覆蓋上述導電膜之表面的保護膜。上述保護膜係包含低反射層與保護層。上述低反射層係不與導電膜相接。
简体摘要：本说明书揭示之电子零件模块系具备电子零件、对上述电子零件进行密封之密封树脂、覆盖上述密封树脂之表面的导电膜、与覆盖上述导电膜之表面的保护膜。上述保护膜系包含低反射层与保护层。上述低反射层系不与导电膜相接。

8. 发明专利

TW201833952A 平面線圈之製造方法审中-公开
简体标题：平面线圈之制造方法
公开(公告)号：TW201833952A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143751
申请日：2017-12-13
申请人：日商TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 上林義廣 , KANBAYASHI, YOSHIHIRO , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI , 麻生裕文 , ASOU, HIROHUMI , 國塚光祐 , KUNITSUKA, KOSUKE
IPC分类号： H01F41/04
摘要：本案發明之課題在於在不需要使用有蝕刻用抗蝕塗層之金屬層的圖案化步驟，且即使在藉由電解電鍍形成平面線圈的情況下，也能夠縮小其兩端的膜厚差。本案發明提供之技術手段為一種平面線圈之製造方法，上述製造方法包括：在基材上形成基底導體層L1的步驟S2，該基底導體層L1具有：具有一端及另一端的線圈佈線部、將外部電源和線圈佈線部的第一連接位置連接的供電佈線部11d，以及使比第一連接位置更靠另一端側的線圈佈線部之第二連接位置和比第二連接位置更靠一端側的線圈佈線部之第三連接位置短路的連接佈線部11e；在基底導體層L1上藉由電解電鍍形成佈線導體層L2的步驟S3；以及去除供電佈線部11d及連接佈線部11e的步驟S4。
简体摘要：本案发明之课题在于在不需要使用有蚀刻用抗蚀涂层之金属层的图案化步骤，且即使在借由电解电镀形成平面线圈的情况下，也能够缩小其两端的膜厚差。本案发明提供之技术手段为一种平面线圈之制造方法，上述制造方法包括：在基材上形成基底导体层L1的步骤S2，该基底导体层L1具有：具有一端及另一端的线圈布线部、将外部电源和线圈布线部的第一连接位置连接的供电布线部11d，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈布线部之第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈布线部之第三连接位置短路的连接布线部11e；在基底导体层L1上借由电解电镀形成布线导体层L2的步骤S3；以及去除供电布线部11d及连接布线部11e的步骤S4。

9. 发明专利

TW201831063A 佈線零件审中-公开
简体标题：布线零件
公开(公告)号：TW201831063A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143750
申请日：2017-12-13
申请人：日商TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 上林義廣 , KANBAYASHI, YOSHIHIRO , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI , 麻生裕文 , ASOU, HIROHUMI , 國塚光祐 , KUNITSUKA, KOSUKE
IPC分类号： H05K3/10 , H05K3/24
摘要：本案發明之課題在於在不需要使用有蝕刻用抗蝕塗層之金屬層的圖案化步驟，且即使在藉由電解電鍍形成平面線圈的情況下，也能夠縮小其兩端的膜厚差。本案發明提供之技術手段為一種佈線零件，上述用於平面線圈的製造的佈線零件5B具備：基材10、及形成於基材10上的平面線圈圖案11。平面線圈圖案11包含：具有一端11a1及另一端11a2之線圈佈線部11a、將外部電源和線圈佈線部11a之第一連接位置P1連接的供電佈線部11d、將較第一連接位置P1更靠另一端11a2側之線圈佈線部11a的第二連接位置P2和較第二連接位置P2更靠一端11a1側之線圈佈線部11a的第三連接位置P3短路的連接佈線部11e。平面線圈圖案11之剖面結構具有形成於基材10上之基底樹脂層L0和形成於基底樹脂層L0上的導體層LL。
简体摘要：本案发明之课题在于在不需要使用有蚀刻用抗蚀涂层之金属层的图案化步骤，且即使在借由电解电镀形成平面线圈的情况下，也能够缩小其两端的膜厚差。本案发明提供之技术手段为一种布线零件，上述用于平面线圈的制造的布线零件5B具备：基材10、及形成于基材10上的平面线圈图案11。平面线圈图案11包含：具有一端11a1及另一端11a2之线圈布线部11a、将外部电源和线圈布线部11a之第一连接位置P1连接的供电布线部11d、将较第一连接位置P1更靠另一端11a2侧之线圈布线部11a的第二连接位置P2和较第二连接位置P2更靠一端11a1侧之线圈布线部11a的第三连接位置P3短路的连接布线部11e。平面线圈图案11之剖面结构具有形成于基材10上之基底树脂层L0和形成于基底树脂层L0上的导体层LL。

10. 发明专利

TWI518856B 端子構造及半導體元件有权
简体标题：端子构造及半导体组件
公开(公告)号：TWI518856B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102128364
申请日：2013-08-07
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：吉田健一 , YOSHIDA, KENICHI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/05655 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式