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    • 10. 发明专利
    • 一種低電容層積型晶片變阻器及其所使用的過電壓保護層
    • 一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层
    • TW201349264A
    • 2013-12-01
    • TW101119411
    • 2012-05-30
    • 立昌先進科技股份有限公司SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
    • 連清宏LIEN, CHING HOHN許鴻宗XU, HONG ZONG
    • H01C7/00H01B1/20
    • 一種低容層積型晶片變阻器,包括一陶瓷本體,其結構的特點為組織緻密性極佳且不具微孔結構,電容值在1MHz下小於0.3pf,在其內層同一平面上的左右電極之間的間隙內,使用具特殊微觀結構的過電壓保護材料將該間隙填滿,其組成包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%微米級導體及半導體微粒及5~10wt%奈米級導體或半導體微粒;尤其,該多孔陶瓷基材的組織中佈滿微細開孔,且所述微米級導體及半導體微粒以一級分散均勻散佈於該多孔陶瓷基材的組織中,而所述奈米級導體及半導體微粒以二級分散散佈於所述微細開孔之間以及一級分散的微米級導體或半導體微粒之間,此特殊微觀結構使得該過電壓保護材料具備抑制過電壓及耐數千次以上的8KV靜電衝擊的能力,故所述低容層積型晶片變阻器適用在高濕環境或/和高頻電路中使用。
    • 一种低容层积型芯片变阻器,包括一陶瓷本体,其结构的特点为组织致密性极佳且不具微孔结构,电容值在1MHz下小于0.3pf,在其内层同一平面上的左右电极之间的间隙内,使用具特殊微观结构的过电压保护材料将该间隙填满,其组成包含10~30wt%多孔陶瓷基材、65~80wt%微米级导体及半导体微粒及5~10wt%奈米级导体或半导体微粒;尤其,该多孔陶瓷基材的组织中布满微细开孔,且所述微米级导体及半导体微粒以一级分散均匀散布于该多孔陶瓷基材的组织中,而所述奈米级导体及半导体微粒以二级分散散布于所述微细开孔之间以及一级分散的微米级导体或半导体微粒之间,此特殊微观结构使得该过电压保护材料具备抑制过电压及耐数千次以上的8KV静电冲击的能力,故所述低容层积型芯片变阻器适用在高湿环境或/和高频电路中使用。