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31. 发明专利

TW232091B 具有自行對準的垂直反熔線之積體電路失效
简体标题：具有自行对准的垂直反熔线之集成电路
公开(公告)号：TW232091B
公开(公告)日：1994-10-11
申请号：TW082110024
申请日：1993-11-27
申请人：美國電話電報公司
发明人：大衛.法羅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種具有自行對準的垂直反熔線之積體電路，包含
多數電氣導電互連對，其中每一對具有一導電表面；
一層非晶形矽及一層壁障材料，該層等覆蓋該互連對間之表面且接觸至少該互連對表面之部分；
一圖型介質層，其具有視窗顯露非晶形矽及壁障材料層最上部之部份；及
一層金屬在該視竅中。
简体摘要：一种具有自行对准的垂直反熔线之集成电路，包含多数电气导电互连对，其中每一对具有一导电表面；一层非晶形硅及一层壁障材料，该层等覆盖该互连对间之表面且接触至少该互连对表面之部分；一图型介质层，其具有窗口显露非晶形硅及壁障材料层最上部之部份；及一层金属在该视窍中。

32. 发明专利

TW228036B 較低燒斷電流應用之急變保險絲失效
简体标题：较低烧断电流应用之急变保险丝
公开(公告)号：TW228036B
公开(公告)日：1994-08-11
申请号：TW082102510
申请日：1993-04-02
申请人：西門子公司 , 萬國商業機器公司
发明人：杜尼.艾摩.卡比 , 威廉.惠特.蓋瑟瑞 , 約瑟夫.山姆.瓦茲 , 傑克.艾倫.曼德曼 , 奧立佛.奇瑟
IPC分类号： H01L , H01H
CPC分类号： H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種具較低燒斷電流要求藉以最小化為驅動器電晶體所需之電源供應電壓與晶片地區之保險絲，具有一外形其特徵在遍於保險絲鏈線之主軸上具有基本上為均勻寬度之尺寸，但於保險絲鏈線中具至少一個約為直角之彎件。本保險絲能以為同等截面地區之直式保險絲所需之約10％之輸入電流密度而燒斷。其理由乃為由於電流之擁擠，故電流密度乃加重於彎件之內角。當至保險絲之輸入電流增加時，電流密度乃抵達內角而導致保險絲材料之熔化。一凹口形成於內角。由凹口改變之保險絲外形引起甚至益為嚴重之電流擁擠於凹口，此電流擁擠於凹口隨之使熔化擴延於保險絲之寬度上。此保險絲燒斷之點之預知性乃允許甚至更大之電路密度而同時降低對鄰近裝置之偶然損壞之可能性。
简体摘要：一种具较低烧断电流要求借以最小化为驱动器晶体管所需之电源供应电压与芯片地区之保险丝，具有一外形其特征在遍于保险丝链线之主轴上具有基本上为均匀宽度之尺寸，但于保险丝链线中具至少一个约为直角之弯件。本保险丝能以为同等截面地区之直式保险丝所需之约10％之输入电流密度而烧断。其理由乃为由于电流之拥挤，故电流密度乃加重于弯件之内角。当至保险丝之输入电流增加时，电流密度乃抵达内角而导致保险丝材料之熔化。一凹口形成于内角。由凹口改变之保险丝外形引起甚至益为严重之电流拥挤于凹口，此电流拥挤于凹口随之使熔化扩延于保险丝之宽度上。此保险丝烧断之点之预知性乃允许甚至更大之电路密度而同时降低对邻近设备之偶然损坏之可能性。

33. 发明专利

TW201803079A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201803079A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106119383
申请日：2017-06-12
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：高岡洋道 , TAKAOKA, HIROMICHI
IPC分类号： H01L23/62 , H01L29/78
CPC分类号： G11C17/165 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L29/0649 , H01L29/0684
摘要：本發明之課題係提高半導體裝置之可靠度。本發明之半導體裝置包含有抗熔絲元件FU，該抗熔絲元件由半導體基板SUB、形成於半導體基板之第1導電型的阱區域PW、隔著閘極絕緣膜GIf形成於半導體基板上之閘極電極Gf；在閘極電極之兩端形成於阱區域內之與第1導電型相反的第2導電型之源極區域S1及源極區域S2。於抗熔絲元件寫入時，將第1寫入電位Vpp1供至閘極電極，將第1基準電位GND供至阱區域，將中間電位Vs供至源極區域S1及S2，中間電位Vs低於第1寫入電位Vpp1且高於第1基準電位GND。
简体摘要：本发明之课题系提高半导体设备之可靠度。本发明之半导体设备包含有抗熔丝组件FU，该抗熔丝组件由半导体基板SUB、形成于半导体基板之第1导电型的阱区域PW、隔着闸极绝缘膜GIf形成于半导体基板上之闸极电极Gf；在闸极电极之两端形成于阱区域内之与第1导电型相反的第2导电型之源极区域S1及源极区域S2。于抗熔丝组件写入时，将第1写入电位Vpp1供至闸极电极，将第1基准电位GND供至阱区域，将中间电位Vs供至源极区域S1及S2，中间电位Vs低于第1写入电位Vpp1且高于第1基准电位GND。

34. 发明专利

TWI593058B 具回填式端子之抗熔絲有权
简体标题：具回填式端子之抗熔丝
公开(公告)号：TWI593058B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104100266
申请日：2015-01-06
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

35. 发明专利

TWI582959B 具有輔助閘極之非揮發性記憶胞結構及其記憶體陣列有权
简体标题：具有辅助闸极之非挥发性记忆胞结构及其内存数组
公开(公告)号：TWI582959B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105137031
申请日：2016-11-14
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：曹沐瀠 , TSAO, MU-YING , 陳緯仁 , CHEN, WEI-REN
IPC分类号： H01L27/112
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

36. 发明专利

TW201714089A 記憶體陣列审中-公开
简体标题：内存数组
公开(公告)号：TW201714089A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105101320
申请日：2016-01-18
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：張緯宸 , CHANG, WEI-CHEN , 景文澔 , CHING, WEN-HAO , 陳志欣 , CHEN, CHIH-HSIN , 王世辰 , WANG, SHIH-CHEN , 楊青松 , YANG, CHING-SUNG
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/10
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：記憶體陣列包含第一記憶體分頁及第二記憶體分頁。第一記憶體分頁包含第一字元線、第一選擇閘極線、第一控制線、第一清除線及複數個第一記憶體單元。每一第一記憶體單元耦接於第一字元線、第一選擇閘極線、第一控制線及第一清除線，並可接收位元線訊號及源極線訊號。第二記憶體分頁包含第二控制線、第二清除線及複數個第二記憶體單元。每一第二記憶體單元耦接於第一字元線、第一選擇閘極線、第二控制線及第二清除線，並可接收位元線訊號及源極線訊號。
简体摘要：内存数组包含第一内存分页及第二内存分页。第一内存分页包含第一字符线、第一选择闸极线、第一控制线、第一清除线及复数个第一内存单元。每一第一内存单元耦接于第一字符线、第一选择闸极线、第一控制线及第一清除线，并可接收比特线信号及源极线信号。第二内存分页包含第二控制线、第二清除线及复数个第二内存单元。每一第二内存单元耦接于第一字符线、第一选择闸极线、第二控制线及第二清除线，并可接收比特线信号及源极线信号。

37. 发明专利

TWI561010B 電壓位準移位驅動電路有权
简体标题：电压位准移位驱动电路
公开(公告)号：TWI561010B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104120280
申请日：2015-06-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：黃柏豪 , HUANG, PO-HAO
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00

38. 发明专利

TWI553645B 非揮發性記憶體及其行解碼器有权
简体标题：非挥发性内存及其行译码器
公开(公告)号：TWI553645B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104108332
申请日：2015-03-16
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：賴子能 , LAI, TZU NENG , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00

39. 发明专利

TW201621901A 抗熔絲記憶體及半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：抗熔丝内存及半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201621901A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104133907
申请日：2015-10-15
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C11/401 , G11C5/02
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/06 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/0629 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L27/11585
摘要：本發明提出一種抗熔絲記憶體及半導體記憶裝置，其係於抗熔絲記憶體(2b)中，不使用如先前之控制電路，而設置有如藉由記憶體閘極電極(G)及字元線(WL1)之電壓值，使自記憶體閘極電極(G)對字元線(WL1)之電壓施加成為反向偏壓之電壓之半導體接合構造之整流元件(3)，藉由該整流元件(3)阻斷自記憶體閘極電極(G)對字元線(WL1)之電壓施加，故無需如先前般選擇性地進行對記憶體電容器之電壓施加之開關電晶體、或用於使開關電晶體進行接通/斷開動作之開關控制電路，由此可謀求小型化。
简体摘要：本发明提出一种抗熔丝内存及半导体记忆设备，其系于抗熔丝内存(2b)中，不使用如先前之控制电路，而设置有如借由内存闸极电极(G)及字符线(WL1)之电压值，使自内存闸极电极(G)对字符线(WL1)之电压施加成为反向偏压之电压之半导体接合构造之整流组件(3)，借由该整流组件(3)阻断自内存闸极电极(G)对字符线(WL1)之电压施加，故无需如先前般选择性地进行对内存电容器之电压施加之开关晶体管、或用于使开关晶体管进行接通/断开动作之开关控制电路，由此可谋求小型化。

40. 发明专利

TW201619977A 反熔絲式單次可編程記憶胞陣列以及操作其之方法审中-公开
简体标题：反熔丝式单次可编程记忆胞数组以及操作其之方法
公开(公告)号：TW201619977A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104114647
申请日：2015-05-08
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： G11C17/16 , G11C5/025 , G11C17/165 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L27/0207 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要：一種反熔絲式單次可編程(OTP)記憶胞陣列包含複數個單元胞，其分別位在複數個列以及複數個行的交叉點；一井區域，其被所述複數個單元胞所共用；複數個反熔絲閘極，其分別被設置在所述複數個行中以交叉所述井區域；複數個源極/汲極區域，其分別被設置在所述井區域的介於所述複數個反熔絲閘極之間的部分中；以及複數個汲極區域，其分別被設置在所述井區域的位在被排列於一最後一行中的所述反熔絲閘極的相對被排列在一第一行中的所述反熔絲閘極的一側邊處的部分中。所述單元胞的每一個包含一反熔絲電晶體，其具有一種無選擇電晶體的MOS電晶體結構。
简体摘要：一种反熔丝式单次可编程(OTP)记忆胞数组包含复数个单元胞，其分别位在复数个列以及复数个行的交叉点；一井区域，其被所述复数个单元胞所共享；复数个反熔丝闸极，其分别被设置在所述复数个行中以交叉所述井区域；复数个源极/汲极区域，其分别被设置在所述井区域的介于所述复数个反熔丝闸极之间的部分中；以及复数个汲极区域，其分别被设置在所述井区域的位在被排列于一最后一行中的所述反熔丝闸极的相对被排列在一第一行中的所述反熔丝闸极的一侧边处的部分中。所述单元胞的每一个包含一反熔丝晶体管，其具有一种无选择晶体管的MOS晶体管结构。

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