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1. 发明专利

TWI567876B 非揮發性記憶體晶胞結構與寫入及讀取之方法有权
简体标题：非挥发性内存晶胞结构与写入及读取之方法
公开(公告)号：TWI567876B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103111280
申请日：2014-03-26
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO , 溫岳嘉 , WEN, YUEH CHIA , 陳沁儀 , CHEN, CHIN YI , 陳稐寯 , CHEN, LUN CHUN , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201603025A 非揮發性記憶體及其行解碼器审中-公开
简体标题：非挥发性内存及其行译码器
公开(公告)号：TW201603025A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108332
申请日：2015-03-16
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：賴子能 , LAI, TZU NENG , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00
摘要：一種非揮發性記憶體的行解碼器，包括記憶體陣列、列解碼器、行解碼器、寫入緩衝器以及感測電路。行解碼器包括一編程用解碼器以及一讀取用解碼器。編程用解碼器連接至記憶體陣列的n條位元線。讀取用解碼器連接至記憶體陣列的n條位元線。於編程週期時，編程用控制信號組動作並使得編程用解碼決定選定記憶胞，且選定記憶胞產生的記憶胞電流經由編程用解碼器與編程用資料線流向寫入緩衝器。另外，於讀取週期時，讀取用控制信號組動作並使得讀取用解碼器決定選定記憶胞，且選定記憶胞產生的記憶胞電流經由讀取用解碼器與讀取用資料線流向感測電路。
简体摘要：一种非挥发性内存的行译码器，包括内存数组、列译码器、行译码器、写入缓冲器以及传感电路。行译码器包括一编程用译码器以及一读取用译码器。编程用译码器连接至内存数组的n条比特线。读取用译码器连接至内存数组的n条比特线。于编程周期时，编程用控制信号组动作并使得编程用译码决定选定记忆胞，且选定记忆胞产生的记忆胞电流经由编程用译码器与编程用数据线流向写入缓冲器。另外，于读取周期时，读取用控制信号组动作并使得读取用译码器决定选定记忆胞，且选定记忆胞产生的记忆胞电流经由读取用译码器与读取用数据线流向传感电路。

3. 发明专利

TW201445674A 單次可程式記憶體單元及編程和讀取包含該單次可程式記憶體單元的記憶體陣列的方法审中-公开
简体标题：单次可进程内存单元及编程和读取包含该单次可进程内存单元的内存数组的方法
公开(公告)号：TW201445674A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103116751
申请日：2014-05-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , G11C17/14
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L27/101 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：單次可程式記憶體單元包含選擇性閘極電晶體，跟隨性閘極電晶體，以及反熔絲變容器。該選擇性閘極電晶體具有第一閘極端，第一汲極端，第一源極端，以及兩第一源/汲極延伸區域分別耦接於該第一汲極端及該第一源極端。該跟隨性閘極電晶體具有第二閘極端，第二汲極端，第二源極端耦接於該第一汲極端，以及兩第二源/汲極延伸區域分別耦接於該第二汲極端及該第二源極端。該反熔絲變容器具有第三閘極端，第三汲極端，第三源極端耦接於該第二汲極端，以及第三源/汲極延伸區域耦接於該第三汲極端及該第三源極端之間以形成短路。
简体摘要：单次可进程内存单元包含选择性闸极晶体管，跟随性闸极晶体管，以及反熔丝变容器。该选择性闸极晶体管具有第一闸极端，第一汲极端，第一源极端，以及两第一源/汲极延伸区域分别耦接于该第一汲极端及该第一源极端。该跟随性闸极晶体管具有第二闸极端，第二汲极端，第二源极端耦接于该第一汲极端，以及两第二源/汲极延伸区域分别耦接于该第二汲极端及该第二源极端。该反熔丝变容器具有第三闸极端，第三汲极端，第三源极端耦接于该第二汲极端，以及第三源/汲极延伸区域耦接于该第三汲极端及该第三源极端之间以形成短路。

4. 发明专利

TW201435903A 單端感測放大器電路审中-公开
简体标题：单端传感放大器电路
公开(公告)号：TW201435903A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102108298
申请日：2013-03-08
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳勇叡 , CHEN, YUNG JUI , 柏正豪 , PO, CHEN HAO , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO
IPC分类号： G11C7/06
摘要：一種單端感測放大器以及一種用於讀取記憶體胞元之方法。所述方法包含以下步驟。根據控制信號來對位元線充電。此後，判定位元線電壓之下降時間是大於預定時段還是小於預定時段。在所述位元線之所述電壓之所述下降時間小於所述預定時段時，感測第一操作。另一方面，在所述位元線之所述電壓之所述下降時間大於所述預定時段時，感測第二操作。所述位元線之所述電壓之所述下降時間是根據所述位元線上之寄生電容來判定。保留感測電晶體電路之邏輯位準，且產生根據所述所感測之操作的輸出資料信號。
简体摘要：一种单端传感放大器以及一种用于读取内存胞元之方法。所述方法包含以下步骤。根据控制信号来对比特线充电。此后，判定比特线电压之下降时间是大于预定时段还是小于预定时段。在所述比特线之所述电压之所述下降时间小于所述预定时段时，传感第一操作。另一方面，在所述比特线之所述电压之所述下降时间大于所述预定时段时，传感第二操作。所述比特线之所述电压之所述下降时间是根据所述比特在线之寄生电容来判定。保留传感晶体管电路之逻辑位准，且产生根据所述所传感之操作的输出数据信号。

5. 发明专利

TW201438152A 非揮發性記憶體晶胞結構與寫入及讀取之方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存晶胞结构与写入及读取之方法
公开(公告)号：TW201438152A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103111280
申请日：2014-03-26
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO , 溫岳嘉 , WEN, YUEH CHIA , 陳沁儀 , CHEN, CHIN YI , 陳稐寯 , CHEN, LUN CHUN , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種非揮發性記憶體晶胞結構，包含位於基材中之摻雜井、位於摻雜井上之反熔絲閘極、位於基材中之汲極、位於摻雜井上視情況需要之選擇閘極、與位於摻雜井中之淺溝渠隔離。
简体摘要：一种非挥发性内存晶胞结构，包含位于基材中之掺杂井、位于掺杂井上之反熔丝闸极、位于基材中之汲极、位于掺杂井上视情况需要之选择闸极、与位于掺杂井中之浅沟渠隔离。

6. 发明专利

TWI413892B 負電壓位準移位器有权
简体标题：负电压位准移位器
公开(公告)号：TWI413892B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098127702
申请日：2009-08-18
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：黃柏豪 , HUANG, PO HAO , 黃志豪 , HUANG, JIE HAU
IPC分类号： G06F1/26 , H03K17/10

7. 发明专利

TW201839604A 具反熔絲型差動記憶胞之隨機碼產生器及相關感測方法审中-公开
简体标题：具反熔丝型差动记忆胞之随机码产生器及相关传感方法
公开(公告)号：TW201839604A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107113579
申请日：2018-04-20
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳勇叡 , CHEN, YUNG-JUI , 黃志豪 , HUANG, CHIH-HAO
IPC分类号： G06F7/58
摘要：一種隨機碼產生器，包括：一記憶胞陣列，包括複數個反熔絲型差動記憶胞；一感測電路，具有一輸入端與一反相輸入端。當該記憶胞陣列中的一第一反熔絲型差動記憶胞被選擇為一選定記憶胞時，該選定記憶胞的一位元線連接至該感測電路的該輸入端，且選定記憶胞的一反相位元線連接至該感測電路的該反相輸入端。於一讀取動作時，該感測電路根據該位元線上的一第一充電電流以及該反相位元線上的一第二充電電流判斷該選定記憶胞的一儲存狀態，並決定一隨機碼的一個位元。
简体摘要：一种随机码产生器，包括：一记忆胞数组，包括复数个反熔丝型差动记忆胞；一传感电路，具有一输入端与一反相输入端。当该记忆胞数组中的一第一反熔丝型差动记忆胞被选择为一选定记忆胞时，该选定记忆胞的一比特线连接至该传感电路的该输入端，且选定记忆胞的一反相比特线连接至该传感电路的该反相输入端。于一读取动作时，该传感电路根据该比特在线的一第一充电电流以及该反相比特在线的一第二充电电流判断该选定记忆胞的一存储状态，并决定一随机码的一个比特。

8. 发明专利

TW201806122A 具有偽裝功能的半導體裝置审中-公开
简体标题：具有伪装功能的半导体设备
公开(公告)号：TW201806122A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106104586
申请日：2017-02-13
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳信銘 , CHEN, HSIN-MING , 陳稐寯 , CHEN, LUN-CHUN , 吳孟益 , WU, MENG-YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH-HAO , 郭東政 , KUO, TUNG-CHENG
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L23/573 , G06F7/588 , G11C16/0441 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C2216/10 , H01L23/5226 , H01L27/0883 , H01L27/11507 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L28/00 , H01L29/0653 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L29/42352 , H01L29/7831 , H01L29/7833 , H01L29/7841
摘要：一種具有偽裝功能的半導體裝置，包括邏輯元件與至少一偽裝元件。所述邏輯元件是形成在基板上並可藉由一偏壓開啟。所述偽裝元件也是形成在基板上，但是偽裝元件無法以施加於所述邏輯元件的相同偏壓開啟。
简体摘要：一种具有伪装功能的半导体设备，包括逻辑组件与至少一伪装组件。所述逻辑组件是形成在基板上并可借由一偏压打开。所述伪装组件也是形成在基板上，但是伪装组件无法以施加于所述逻辑组件的相同偏压打开。

9. 发明专利

TWI569276B 一次編程非揮發性記憶體及其讀取感測方法有权
简体标题：一次编程非挥发性内存及其读取传感方法
公开(公告)号：TWI569276B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104120278
申请日：2015-06-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：陳勇叡 , CHEN, YUNG JUI , 黃志豪 , HUANG, CHIH HAO
IPC分类号： G11C17/18
CPC分类号： G11C17/18 , G11C7/062 , G11C7/067 , G11C7/08 , G11C7/12 , G11C11/5692 , G11C17/16

10. 发明专利

TWI569145B 記憶體單元及記憶體陣列有权
简体标题：内存单元及内存数组
公开(公告)号：TWI569145B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104133424
申请日：2015-10-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG-YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH-HAO , 陳信銘 , CHEN, HSIN-MING
IPC分类号： G06F12/16 , G11C16/08 , G11C17/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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