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1. 发明专利

TW201810618A 具有輔助閘極之非揮發性記憶胞結構及其記憶體陣列审中-公开
简体标题：具有辅助闸极之非挥发性记忆胞结构及其内存数组
公开(公告)号：TW201810618A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105137031
申请日：2016-11-14
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：曹沐瀠 , TSAO, MU-YING , 陳緯仁 , CHEN, WEI-REN
IPC分类号： H01L27/112
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明披露一種非揮發性記憶體陣列，包含複數條字元線，沿著第一方向延伸、複數條位元線，沿著第二方向延伸以及複數條源極線。各非揮發性記憶胞包含PMOS選擇電晶體以及與PMOS選擇電晶體串聯的PMOS浮動閘極電晶體。各字元線係電連接至PMOS選擇電晶體的選擇閘極。各位元線係電連接至各非揮發性記憶胞中的PMOS浮動閘極電晶體的摻雜區。各源極線係電連接至PMOS選擇電晶體的摻雜區。
简体摘要：本发明披露一种非挥发性内存数组，包含复数条字符线，沿着第一方向延伸、复数条比特线，沿着第二方向延伸以及复数条源极线。各非挥发性记忆胞包含PMOS选择晶体管以及与PMOS选择晶体管串联的PMOS浮动闸极晶体管。各字符线系电连接至PMOS选择晶体管的选择闸极。各比特线系电连接至各非挥发性记忆胞中的PMOS浮动闸极晶体管的掺杂区。各源极线系电连接至PMOS选择晶体管的掺杂区。

3. 发明专利

TWI583007B 背側耦合之對稱變容器結構有权
简体标题：背侧耦合之对称变容器结构
公开(公告)号：TWI583007B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105127040
申请日：2016-08-24
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：金戴克丹尼爾 , KIM, DAEIK DANIEL , 伯帝大衛法蘭西斯 , BERDY, DAVID FRANCIS , 藍傑雄 , LAN, JE-HSIUNG JEFFREY , 雲章漢霍比 , YUN, CHANGHAN HOBIE , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/784
CPC分类号： H01L27/0808 , H01L21/7624 , H01L21/76264 , H01L21/78 , H01L27/1203 , H01L29/66174 , H01L29/66181 , H01L29/93

4. 发明专利

TWI578326B 一次編程的記憶胞及其陣列結構與操作方法有权
简体标题：一次编程的记忆胞及其数组结构与操作方法
公开(公告)号：TWI578326B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104108466
申请日：2015-03-17
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C17/14 , G11C17/16
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201712880A 背側耦合之對稱變容器結構审中-公开
简体标题：背侧耦合之对称变容器结构
公开(公告)号：TW201712880A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105127040
申请日：2016-08-24
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：金戴克丹尼爾 , KIM, DAEIK DANIEL , 伯帝大衛法蘭西斯 , BERDY, DAVID FRANCIS , 藍傑雄 , LAN, JE-HSIUNG JEFFREY , 雲章漢霍比 , YUN, CHANGHAN HOBIE , 金龍海 , KIM, JONGHAE
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/784
CPC分类号： H01L27/0808 , H01L21/7624 , H01L21/76264 , H01L21/78 , H01L27/1203 , H01L29/66174 , H01L29/66181 , H01L29/93
摘要：一種對稱變容器結構可包括一第一變容器組件。該第一變容器組件可包括作為一面積調變電容器之一第二板極而操作的一閘極、作為該面積調變電容器之一介電層而操作的一閘氧化物層及作為該面積調變電容器之一第一板極而操作的一本體。此外，摻雜區域可圍繞該第一變容器組件之該本體。該第一變容器組件可在一背側上由一隔離層支撐。該對稱變容器結構亦可包括經由一背側導電層電耦合至該第一變容器組件之該背側的一第二變容器組件。
简体摘要：一种对称变容器结构可包括一第一变容器组件。该第一变容器组件可包括作为一面积调制电容器之一第二板极而操作的一闸极、作为该面积调制电容器之一介电层而操作的一闸氧化物层及作为该面积调制电容器之一第一板极而操作的一本体。此外，掺杂区域可围绕该第一变容器组件之该本体。该第一变容器组件可在一背侧上由一隔离层支撑。该对称变容器结构亦可包括经由一背侧导电层电耦合至该第一变容器组件之该背侧的一第二变容器组件。

6. 发明专利

TW201547033A 具有異質結構的變容二極體审中-公开
简体标题：具有异质结构的变容二极管
公开(公告)号：TW201547033A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104112553
申请日：2015-04-20
申请人：三胞半導體公司 , TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：陶更明 , TAO, NICK GENGMING
IPC分类号： H01L29/93
CPC分类号： H01L29/93 , H01L29/205 , H01L29/66174
摘要：本發明之具體實例描述積體電路(integrated circuit，IC)裝置(諸如變容二極體)之設備、方法及系統。該IC裝置包括複合集電極及異質結構。在該集電極/基極界面處包括較寬帶隙材料層作為該集電極之一部分。該寬帶隙材料之存在可增加崩潰電壓且允許在該集電極之較窄帶隙部分中增加的超突變(hyperabrupt)摻雜特徵。此可允許在不降低與同質接面裝置相關聯之崩潰效能的情況下增加調諧範圍且改良互調變(intermodulation，IMD)效能。亦可描述及/或主張其他具體實例。
简体摘要：本发明之具体实例描述集成电路(integrated circuit，IC)设备(诸如变容二极管)之设备、方法及系统。该IC设备包括复合集电极及异质结构。在该集电极/基极界面处包括较宽带隙材料层作为该集电极之一部分。该宽带隙材料之存在可增加崩溃电压且允许在该集电极之较窄带隙部分中增加的超突变(hyperabrupt)掺杂特征。此可允许在不降低与同质接面设备相关联之崩溃性能的情况下增加调谐范围且改良互调制(intermodulation，IMD)性能。亦可描述及/或主张其他具体实例。

7. 发明专利

TWI512905B 化合物半導體元件晶圓整合結構有权
简体标题：化合物半导体组件晶圆集成结构
公开(公告)号：TWI512905B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101121127
申请日：2012-06-13
申请人：穩懋半導體股份有限公司 , WIN SEMICONDUCTORS CORP.
发明人：林正國 , LIN, CHENG KUO , 李思儒 , LI, SZU JU , 許榮豪 , SYU, RONG HAO , 蔡緒孝 , TSAI, SHU HSIAO
IPC分类号： H01L21/8248 , H01L27/07 , H01L29/93
CPC分类号： H01L29/205 , H01L27/0605 , H01L29/20 , H01L29/36 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/93

8. 发明专利

TW201535588A 像素化電容控制的靜電夾盤审中-公开
简体标题：像素化电容控制的静电夹盘
公开(公告)号：TW201535588A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104105345
申请日：2015-02-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：沙德加地雷沙 , SADJADI, REZA , 博德二世溫德爾格倫 , BOYD, JR., WENDELL GLEN , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 諾吉諾夫麥斯曼米克黑洛維齊 , NOGINOV, MAXIM MIKHAILOVICH
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/00 , G06K2009/00738 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/02252 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67063 , H01L21/67103 , H01L21/6833 , H01L27/1255 , H01L29/93 , H04N7/181 , H04N7/188
摘要：本文所述之實施方式提供一種像素化靜電夾盤，該像素化靜電夾盤賦能對靜電夾盤與置於其上之基板之間的射頻耦合進行側向及方位角向調諧。在一個實施例中，像素化靜電夾盤(ESC)可包括：介電體，具有經配置以在其上接受基板之工件支撐表面；一或更多個夾緊電極，安置在像素化靜電夾盤中；及複數個像素電極。複數個像素電極可在浮動狀態與接地狀態之間切換，該等像素電極具有接地可變電容，或兩者兼有。像素電極及夾緊電極形成電路，該電路可操作以將基板以靜電方式夾緊至工件支撐表面。
简体摘要：本文所述之实施方式提供一种像素化静电夹盘，该像素化静电夹盘赋能对静电夹盘与置于其上之基板之间的射频耦合进行侧向及方位角向调谐。在一个实施例中，像素化静电夹盘(ESC)可包括：介电体，具有经配置以在其上接受基板之工件支撑表面；一或更多个夹紧电极，安置在像素化静电夹盘中；及复数个像素电极。复数个像素电极可在浮动状态与接地状态之间切换，该等像素电极具有接地可变电容，或两者兼有。像素电极及夹紧电极形成电路，该电路可操作以将基板以静电方式夹紧至工件支撑表面。

9. 发明专利

TW201041146A 超陡峭二極體結構及其製造方法 HYPERABRUPT DIODE STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题：超陡峭二极管结构及其制造方法 HYPERABRUPT DIODE STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW201041146A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099100169
申请日：2010-01-06
申请人：思佳訊半導體有限公司
发明人：詹巴迪彼德 , 孫翔之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66174 , H01L29/66219 , H01L29/8611 , H01L29/93
摘要：一種超陡峭二極體結構包括:一基板,從一低歐姆接觸材料所形成;一漸變半導體層,包含砷化鎵;一偏移層,包含磷化銦鎵,在該漸變半導體層之上;一接觸層,包含砷化鎵,在該偏移層之上;一第一電接點,在該基板上,該第一電接點形成該超陡峭二極體結構的一陰極;及一第二電接點,在該接觸層之上,該第二電接點形成該超陡峭二極體結構的一陽極。
简体摘要：一种超陡峭二极管结构包括:一基板,从一低欧姆接触材料所形成;一渐变半导体层,包含砷化镓;一偏移层,包含磷化铟镓,在该渐变半导体层之上;一接触层,包含砷化镓,在该偏移层之上;一第一电接点,在该基板上,该第一电接点形成该超陡峭二极管结构的一阴极;及一第二电接点,在该接触层之上,该第二电接点形成该超陡峭二极管结构的一阳极。

10. 发明专利

TW201037817A 深溝槽變容器 DEEP TRENCH VARACTORS 审中-公开
简体标题：深沟槽变容器 DEEP TRENCH VARACTORS
公开(公告)号：TW201037817A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098139744
申请日：2009-11-23
申请人：萬國商業機器公司
发明人：柯林斯大衛S , 羅素羅伯特M , 湯普森艾瑞克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/93 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L29/66181 , H01L29/945
摘要：本發明揭示一種與一深溝槽電容器（capacitor）結構相容的深溝槽變容器（varactor）結構及其製造方法。在一第二深溝槽上形成一嵌埋板層（buried plate layer），同時保護第一溝槽免於形成任何嵌埋板層。深溝槽的內部填滿導電材料，以形成內部電極。在外面形成至少一摻雜井並相鄰第一深溝槽之部份，且構成至少一外部變容器電極。多個摻雜井可並聯，以提供具有複雜電壓相依性之電容值的變容器。嵌埋板層以及與其相連的另一摻雜井構成第二深溝槽上所形成之一線性電容器的一外部電極。
简体摘要：本发明揭示一种与一深沟槽电容器（capacitor）结构兼容的深沟槽变容器（varactor）结构及其制造方法。在一第二深沟槽上形成一嵌埋板层（buried plate layer），同时保护第一沟槽免于形成任何嵌埋板层。深沟槽的内部填满导电材料，以形成内部电极。在外面形成至少一掺杂井并相邻第一深沟槽之部份，且构成至少一外部变容器电极。多个掺杂井可并联，以提供具有复杂电压相依性之电容值的变容器。嵌埋板层以及与其相连的另一掺杂井构成第二深沟槽上所形成之一线性电容器的一外部电极。

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