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1. 发明专利

TWI671899B 具有高電流驅動能力的側向雙極接面電晶體有权
简体标题：具有高电流驱动能力的侧向双极接面晶体管
公开(公告)号：TWI671899B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104114110
申请日：2015-05-04
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/735

2. 发明专利

TWI624033B 具有單一層閘極的非揮發性記憶體裝置、操作其之方法以及其之記憶體單元陣列有权
简体标题：具有单一层闸极的非挥发性内存设备、操作其之方法以及其之内存单元数组
公开(公告)号：TWI624033B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103125073
申请日：2014-07-22
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L27/115

3. 发明专利

TWI624056B 連接成二極體之雙極接面電晶體及包含此連接成二極體之雙極接面電晶體的電子電路有权
简体标题：连接成二极管之双极接面晶体管及包含此连接成二极管之双极接面晶体管的电子电路
公开(公告)号：TWI624056B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103125778
申请日：2014-07-29
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66

4. 发明专利

TW201541562A 具有單一層閘極的非揮發性記憶體裝置、操作其之方法以及其之記憶體單元陣列审中-公开
简体标题：具有单一层闸极的非挥发性内存设备、操作其之方法以及其之内存单元数组
公开(公告)号：TW201541562A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103125073
申请日：2014-07-22
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/10 , G11C5/146 , G11C16/0416 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C2216/10 , H01L27/11558 , H01L29/7883
摘要：一種非揮發性記憶體裝置包括單一層閘極、第一區和第二區。所述第一區包括第一阱區域、佈置在所述第一阱區域中的第一接觸區域以及佈置在所述第一阱區域中的所述單一層閘極的兩側處的源極區域和汲極區域。所述第二區包括第二阱區域、佈置以重疊在所述第二阱區域中的單一層閘極的一部分的第二接觸區域以及佈置在所述第二阱區域中的第三接觸區域。
简体摘要：一种非挥发性内存设备包括单一层闸极、第一区和第二区。所述第一区包括第一阱区域、布置在所述第一阱区域中的第一接触区域以及布置在所述第一阱区域中的所述单一层闸极的两侧处的源极区域和汲极区域。所述第二区包括第二阱区域、布置以重叠在所述第二阱区域中的单一层闸极的一部分的第二接触区域以及布置在所述第二阱区域中的第三接触区域。

5. 发明专利

TW201742077A 具有一致程式化特性的電可程式化唯讀記憶體裝置和其程式化的方法审中-公开
简体标题：具有一致进程化特性的电可进程化唯读内存设备和其进程化的方法
公开(公告)号：TW201742077A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106113764
申请日：2017-04-25
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： G11C16/24 , G11C7/12 , G11C7/18
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/00 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/30 , G11C17/00 , G11C17/18
摘要：一種EPROM裝置包括從供應電壓線分支的位元線、與位元線交叉的第一組致能信號線、分別位於位元線與第一組致能信號線的交叉點處的單位單元、傳輸電晶體、負載電晶體、比較器以及致能信號產生器。傳輸電晶體中的一個和負載電晶體中的一個串聯耦接在供應電壓線與位元線中的每個之間。比較器中的每個接收負載電晶體中的任何一個負載電晶體兩端的電壓以產生輸出信號。致能信號產生器中的每個接收比較器的輸出信號中的一個和第二組致能信號中的一個，且回應於程式化電流達到參考值來輸出第三組致能信號中的一個以關斷傳輸電晶體中的一個。
简体摘要：一种EPROM设备包括从供应电压线分支的比特线、与比特线交叉的第一组致能信号线、分别位于比特线与第一组致能信号线的交叉点处的单位单元、传输晶体管、负载晶体管、比较器以及致能信号产生器。传输晶体管中的一个和负载晶体管中的一个串联耦接在供应电压线与比特线中的每个之间。比较器中的每个接收负载晶体管中的任何一个负载晶体管两端的电压以产生输出信号。致能信号产生器中的每个接收比较器的输出信号中的一个和第二组致能信号中的一个，且回应于进程化电流达到参考值来输出第三组致能信号中的一个以关断传输晶体管中的一个。

6. 发明专利

TW201619977A 反熔絲式單次可編程記憶胞陣列以及操作其之方法审中-公开
简体标题：反熔丝式单次可编程记忆胞数组以及操作其之方法
公开(公告)号：TW201619977A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104114647
申请日：2015-05-08
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： G11C17/16 , G11C5/025 , G11C17/165 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L27/0207 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要：一種反熔絲式單次可編程(OTP)記憶胞陣列包含複數個單元胞，其分別位在複數個列以及複數個行的交叉點；一井區域，其被所述複數個單元胞所共用；複數個反熔絲閘極，其分別被設置在所述複數個行中以交叉所述井區域；複數個源極/汲極區域，其分別被設置在所述井區域的介於所述複數個反熔絲閘極之間的部分中；以及複數個汲極區域，其分別被設置在所述井區域的位在被排列於一最後一行中的所述反熔絲閘極的相對被排列在一第一行中的所述反熔絲閘極的一側邊處的部分中。所述單元胞的每一個包含一反熔絲電晶體，其具有一種無選擇電晶體的MOS電晶體結構。
简体摘要：一种反熔丝式单次可编程(OTP)记忆胞数组包含复数个单元胞，其分别位在复数个列以及复数个行的交叉点；一井区域，其被所述复数个单元胞所共享；复数个反熔丝闸极，其分别被设置在所述复数个行中以交叉所述井区域；复数个源极/汲极区域，其分别被设置在所述井区域的介于所述复数个反熔丝闸极之间的部分中；以及复数个汲极区域，其分别被设置在所述井区域的位在被排列于一最后一行中的所述反熔丝闸极的相对被排列在一第一行中的所述反熔丝闸极的一侧边处的部分中。所述单元胞的每一个包含一反熔丝晶体管，其具有一种无选择晶体管的MOS晶体管结构。

7. 发明专利

TW201618298A 具有高電流驅動能力的側向雙極接面電晶體审中-公开
简体标题：具有高电流驱动能力的侧向双极接面晶体管
公开(公告)号：TW201618298A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104114110
申请日：2015-05-04
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/735
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/1008
摘要：一種雙極接面電晶體包含一共同的基極區域；複數個射極區域，其被設置在所述共同的基極區域中並且在一第一對角線方向上被排列成彼此間隔開的；以及複數個集極區域，其被設置在所述共同的基極區域中並且在所述第一對角線方向上被排列成彼此間隔開的。所述複數個射極區域以及複數個集極區域是在一第二對角線方向上交替地加以排列。
简体摘要：一种双极接面晶体管包含一共同的基极区域；复数个射极区域，其被设置在所述共同的基极区域中并且在一第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的；以及复数个集极区域，其被设置在所述共同的基极区域中并且在所述第一对角线方向上被排列成彼此间隔开的。所述复数个射极区域以及复数个集极区域是在一第二对角线方向上交替地加以排列。

8. 发明专利

TW201532270A 連接成二極體之雙極接面電晶體及包含此連接成二極體之雙極接面電晶體的電子電路审中-公开
简体标题：连接成二极管之双极接面晶体管及包含此连接成二极管之双极接面晶体管的电子电路
公开(公告)号：TW201532270A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103125778
申请日：2014-07-29
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L27/1023 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0804 , H01L29/41708 , H01L29/7302 , H01L29/732 , H01L29/861
摘要：一種連接成二極體之雙極接面電晶體包括具有第一導電性的共集極區；具有第二導電性的共基極區，設置於共集極區上；以及具有第一導電性的複數個射極區，設置於共基極區上，配置成互相隔開且配置成具有島形狀。
简体摘要：一种连接成二极管之双极接面晶体管包括具有第一导电性的共集极区；具有第二导电性的共基极区，设置于共集极区上；以及具有第一导电性的复数个射极区，设置于共基极区上，配置成互相隔开且配置成具有岛形状。

9. 发明专利

TWI690927B 非揮發性記憶體裝置和程式化其之方法有权
简体标题：非挥发性内存设备和进程化其之方法
公开(公告)号：TWI690927B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105112402
申请日：2016-04-21
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN , 金正勳 , KIM, JEONG HOON
IPC分类号： G11C16/12 , G11C16/02

10. 发明专利

TW201711045A 非揮發性記憶體裝置和程式化其之方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备和进程化其之方法
公开(公告)号：TW201711045A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105112402
申请日：2016-04-21
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN , 金正勳 , KIM, JEONG HOON
IPC分类号： G11C16/12 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0408 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/3481
摘要：一種非揮發性記憶體裝置包括記憶體單元和開關單元。記憶體單元包括具有浮接閘極的單元晶體管和連接至浮接閘極的耦合電容器。開關單元耦接在耦合電容器與偏壓端之間，以及在用於程式化記憶體單元的程式化操作期間基於流過記憶體單元的單元電流與參考電流之間的比較結果而接通或斷開。
简体摘要：一种非挥发性内存设备包括内存单元和开关单元。内存单元包括具有浮接闸极的单元晶体管和连接至浮接闸极的耦合电容器。开关单元耦接在耦合电容器与偏压端之间，以及在用于进程化内存单元的进程化操作期间基于流过内存单元的单元电流与参考电流之间的比较结果而接通或断开。

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