专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

TWI422010B 垂直式暫態電壓抑制器有权
简体标题：垂直式暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI422010B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099145721
申请日：2010-12-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 陳子平 , CHEN, ZI PING , 莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0259

32. 发明专利

TW201335980A 平面式放電微通道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）結構及其製作方法审中-公开
简体标题：平面式放电微信道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201335980A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106427
申请日：2012-02-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 柯明道 , KER, MING DOU , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J17/066
摘要：本發明係揭露一種以半導體製程為基礎的平面式放電微通道(MicroTubes)結構及其製作方法，首先於一基板上形成二電極圖案與至少一分隔區塊，電極圖案相隔一間隙，且分隔區塊位於該間隙中。接著，形成一絕緣層於電極圖案與分隔區塊上，並充填上述間隙，以藉其形成連通電極圖案之至少二放電路徑。由於利用上述技術實可於半導體結構中設計出複數條放電路徑，因此具極高的可靠度及再次使用性。
简体摘要：本发明系揭露一种以半导体制程为基础的平面式放电微信道(MicroTubes)结构及其制作方法，首先于一基板上形成二电极图案与至少一分隔区块，电极图案相隔一间隙，且分隔区块位于该间隙中。接着，形成一绝缘层于电极图案与分隔区块上，并充填上述间隙，以藉其形成连通电极图案之至少二放电路径。由于利用上述技术实可于半导体结构中设计出复数条放电路径，因此具极高的可靠度及再次使用性。

33. 发明专利

TW201322424A 避免漏電流之暫態電壓抑制器审中-公开
简体标题：避免漏电流之暂态电压抑制器
公开(公告)号：TW201322424A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143298
申请日：2011-11-25
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
摘要：本發明係揭露一種避免漏電流之暫態電壓抑制器，包含一P型基板。有一N型磊晶層係設於P型基板上，且一第一N型重摻雜區、一第一P型重摻雜區、一靜電放電(ESD)元件與至少一深溝渠隔離結構設於N型磊晶層中。另有一第一N型埋區係設於N型磊晶層之底部，以與P型基板相鄰，且第一N型埋區位於第一N型重摻雜區與第一P型重摻雜區下方，且靜電放電元件連接第一N型重摻雜區。深溝渠隔離結構之深度係大於第一N型埋區之深度，並鄰接第一N型埋區，以隔離第一N型埋區與靜電放電元件。
简体摘要：本发明系揭露一种避免漏电流之暂态电压抑制器，包含一P型基板。有一N型磊晶层系设于P型基板上，且一第一N型重掺杂区、一第一P型重掺杂区、一静电放电(ESD)组件与至少一深沟渠隔离结构设于N型磊晶层中。另有一第一N型埋区系设于N型磊晶层之底部，以与P型基板相邻，且第一N型埋区位于第一N型重掺杂区与第一P型重掺杂区下方，且静电放电组件连接第一N型重掺杂区。深沟渠隔离结构之深度系大于第一N型埋区之深度，并邻接第一N型埋区，以隔离第一N型埋区与静电放电组件。

34. 发明专利

TWI389804B 超音波測距裝置及增益匹配電路有权
简体标题：超音波测距设备及增益匹配电路
公开(公告)号：TWI389804B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098133819
申请日：2009-10-06
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林偉程 , LIN, WEI CHENG
IPC分类号： B60Q11/00 , B60Q1/22

35. 发明专利

TWI379084B 系統層級的靜電放電偵測電路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT 有权
简体标题：系统层级的静电放电侦测电路 SYSTEM-LEVEL ESD DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI379084B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW097135222
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 陳穩義 , 姜信欽
IPC分类号： G01R , H05F
摘要：本發明提供一種靜電放電偵測電路，用以偵測在一電源線上的靜電放電電壓之層級。該偵測電路包含一阻抗元件、一二極體單元以及一控制電路。該阻抗元件耦合在一偵測節點和對應於該電源線之一接地節點之間。該二極體單元耦合在該電源線和該偵測節點之間並順向朝向該電源線。該控制電路耦合至該偵測節點，基於該偵測節點的電壓和該二極體單元之崩潰電壓決定該靜電放電電壓之層級。
简体摘要：本发明提供一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源在线的静电放电电压之层级。该侦测电路包含一阻抗组件、一二极管单元以及一控制电路。该阻抗组件耦合在一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间。该二极管单元耦合在该电源线和该侦测节点之间并顺向朝向该电源线。该控制电路耦合至该侦测节点，基于该侦测节点的电压和该二极管单元之崩溃电压决定该静电放电电压之层级。

36. 发明专利

TWI359564B 用以保護差動輸入／輸出對的靜電放電保護電路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR 有权
简体标题：用以保护差动输入／输出对的静电放电保护电路 ESD PROTECTION CIRCUIT FOR DIFFERENTIAL I/O PAIR
公开(公告)号：TWI359564B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW097139404
申请日：2008-10-14
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 蕭淵文 , 姜信欽
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H01L27/0251 , H03F1/523 , H03F3/45183
摘要：本發明提供一種用以保護差動輸入/輸出對的靜電放電保護電路。此靜電放電保護電路包含一靜電放電偵測電路、一放電裝置以及四個二極體。第一二極體係耦合在第一輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向放電裝置；第二二極體係耦合在第二輸入/輸出接腳和放電裝置之間並順向朝向第二輸入/輸出接腳。第三二極體耦合在放電裝置和正向電源線之間並順向朝向正向電源線。第四二極體耦合在放電裝置和負向電源線之間並順向朝向放電裝置。透過一輸出端，靜電放電偵測電路在一靜電放電發生時觸發放電裝置。
简体摘要：本发明提供一种用以保护差动输入/输出对的静电放电保护电路。此静电放电保护电路包含一静电放电侦测电路、一放电设备以及四个二极管。第一二极管系耦合在第一输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向放电设备；第二二极管系耦合在第二输入/输出接脚和放电设备之间并顺向朝向第二输入/输出接脚。第三二极管耦合在放电设备和正向电源线之间并顺向朝向正向电源线。第四二极管耦合在放电设备和负向电源线之间并顺向朝向放电设备。透过一输出端，静电放电侦测电路在一静电放电发生时触发放电设备。

37. 发明专利

TW201203768A 用於廣泛連接埠之暫態電壓抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR MULTIPLE PIN ASSIGNMENTS 审中-公开
简体标题：用于广泛端口之暂态电压抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR MULTIPLE PIN ASSIGNMENTS
公开(公告)号：TW201203768A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099124711
申请日：2010-07-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：林昆賢 , 莊哲豪 , 姜信欽
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H02H9/046 , H05K1/0259
摘要：本發明係揭露一種用於廣泛連接埠之暫態電壓抑制器，其係包含至少二互相並聯之二極體串接電路，與一靜電放電箝位元件，其係與二極體串接電路並聯，並連接一低電壓。其中一二極體串接電路係連接一高電壓，其餘二極體串接電路係連接輸入輸出接腳(I/O pin)。每一二極體串接電路係包含一互相串連之第一、第二二極體，且位於第一、第二二極體之間的節點係連接高電壓或輸入輸出接腳。本發明之設計除了可符合各種封裝打線上的需求外，對於暫態電壓抑制器之接腳配置也是相當有彈性的。
简体摘要：本发明系揭露一种用于广泛端口之暂态电压抑制器，其系包含至少二互相并联之二极管串接电路，与一静电放电箝比特件，其系与二极管串接电路并联，并连接一低电压。其中一二极管串接电路系连接一高电压，其余二极管串接电路系连接输入输出接脚(I/O pin)。每一二极管串接电路系包含一互相串连之第一、第二二极管，且位于第一、第二二极管之间的节点系连接高电压或输入输出接脚。本发明之设计除了可符合各种封装打在线的需求外，对于暂态电压抑制器之接脚配置也是相当有弹性的。

38. 发明专利

TWI343119B 對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI343119B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096127914
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種對稱式雙向矽控整流器，其包含有一基板；一位於基板上的第一埋入層，其為第一導電型，其上依序併排有一為第二導電型之第一井、第一導電型之一中間區域與一第二導電型之第二井；位於第一井內具有第一導電型之一第一半導體區與一第二導電型之第二半導體區；位於第一井與中間區域接合面上有第二導電型之第三半導體區，其與第二半導體區間之上設有一第一閘極結構；第二井內具有第一導電型之第四半導體區與第二導電型之第五半導體區；位於第二井與中間區域接合面上的第六半導體區，其與第五半導體區間之上設有一第二閘極結構。第一半導體區、第二半導體區與第一閘極結構接於此矽控整流器之陽極，第四半導體區、第五半導體區與第二閘極結構接於此矽控整流器之陰極。本發明之對稱式雙向矽控整流器除具有面積小與高靜電防護力之優勢外，更利用增設嵌入式電晶體結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种对称式双向硅控整流器，其包含有一基板；一位于基板上的第一埋入层，其为第一导电型，其上依序并排有一为第二导电型之第一井、第一导电型之一中间区域与一第二导电型之第二井；位于第一井内具有第一导电型之一第一半导体区与一第二导电型之第二半导体区；位于第一井与中间区域接合面上有第二导电型之第三半导体区，其与第二半导体区间之上设有一第一闸极结构；第二井内具有第一导电型之第四半导体区与第二导电型之第五半导体区；位于第二井与中间区域接合面上的第六半导体区，其与第五半导体区间之上设有一第二闸极结构。第一半导体区、第二半导体区与第一闸极结构接于此硅控整流器之阳极，第四半导体区、第五半导体区与第二闸极结构接于此硅控整流器之阴极。本发明之对称式双向硅控整流器除具有面积小与高静电防护力之优势外，更利用增设嵌入式晶体管结构，来调整触发电压与留持电压。

39. 实用新型

TWM401805U 訊號選擇電路 SIGNAL SELECTING CIRCUIT 有权
简体标题：信号选择电路 SIGNAL SELECTING CIRCUIT
公开(公告)号：TWM401805U
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW099201647
申请日：2010-01-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：林偉程
IPC分类号： G06F
摘要：本創作係揭露一種訊號選擇電路，其用以根據N個控制訊號由M個輸入訊號選擇其中一個輸入訊號。該訊號選擇電路包含邏輯選擇模組、類比選擇模組、輸出級以及模式判斷模組。邏輯選擇模組根據該N個控制訊號之一邏輯狀態組合產生第一選擇訊號。類比選擇模組根據該其中一個控制訊號之電壓準位產生第二選擇訊號。模式判斷模組判斷N個控制訊號中另一個控制訊號，並據以控制該輸出級選擇性地根據該第一選擇訊號或該第二選擇訊號輸出其中一個輸入訊號。。
简体摘要：本创作系揭露一种信号选择电路，其用以根据N个控制信号由M个输入信号选择其中一个输入信号。该信号选择电路包含逻辑选择模块、模拟选择模块、输出级以及模式判断模块。逻辑选择模块根据该N个控制信号之一逻辑状态组合产生第一选择信号。模拟选择模块根据该其中一个控制信号之电压准位产生第二选择信号。模式判断模块判断N个控制信号中另一个控制信号，并据以控制该输出级选择性地根据该第一选择信号或该第二选择信号输出其中一个输入信号。。

40. 发明专利

TW201012070A 瞬變雜訊偵測電路 TRANSIENT NOISE DETECTION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：瞬变噪声侦测电路 TRANSIENT NOISE DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TW201012070A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097135226
申请日：2008-09-12
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：柯明道 , 姜信欽 , 陳穩義
IPC分类号： H03K
CPC分类号： G01R19/0053 , G01R19/04 , G01R29/26 , G01R31/002
摘要：本發明提供一種能偵測一瞬變雜訊電壓之位準的瞬變雜訊偵測電路。該瞬變雜訊偵測電路包含一觸發電路、一整流電路以及一控制器。該觸發電路被耦接於一電源線以及一接地節點之間。當該觸發電路接受一瞬變雜訊時，該觸發電路產生一觸發訊號。該整流電路包含相互串接之一整流單元以及一限流單元，當該整流單元接收到該觸發電路產生之該觸發訊號時，該整流單元將被該觸發訊號所觸發。該控制器被耦接至該整流單元以及該限流單元間之一偵測節點。該控制器係根據該偵測電路節點之電壓位準判斷反應與否。
简体摘要：本发明提供一种能侦测一瞬变噪声电压之位准的瞬变噪声侦测电路。该瞬变噪声侦测电路包含一触发电路、一整流电路以及一控制器。该触发电路被耦接于一电源线以及一接地节点之间。当该触发电路接受一瞬变噪声时，该触发电路产生一触发信号。该整流电路包含相互串接之一整流单元以及一限流单元，当该整流单元接收到该触发电路产生之该触发信号时，该整流单元将被该触发信号所触发。该控制器被耦接至该整流单元以及该限流单元间之一侦测节点。该控制器系根据该侦测电路节点之电压位准判断反应与否。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式