专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201507091A 高效率矽控整流裝置审中-公开
简体标题：高效率硅控整流设备
公开(公告)号：TW201507091A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102128101
申请日：2013-08-06
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 彭政傑 , PENG, JAMES JENG JIE , 吳偉琳 , WU, WOEI LIN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L23/60
摘要：本發明係揭露一種高效率矽控整流裝置，其係包含一P型區域，此係圍繞一N型區域。N型區域中設有一第一P型重摻雜區，其係連接一高電壓端。複數第二N型重摻雜區設於N型區域中。複數第二P型重摻雜區較第一N型重摻雜區更接近第二N型重摻雜區，並設於P型區域中。至少一第三N型摻雜區設於P型區域中，且連接一低電壓端。此外，一者為第二N型重摻雜區位於P型區域中，另一者為第二P型重摻雜區位於N型區域中，此二條件可選擇性或同時滿足之。
简体摘要：本发明系揭露一种高效率硅控整流设备，其系包含一P型区域，此系围绕一N型区域。N型区域中设有一第一P型重掺杂区，其系连接一高电压端。复数第二N型重掺杂区设于N型区域中。复数第二P型重掺杂区较第一N型重掺杂区更接近第二N型重掺杂区，并设于P型区域中。至少一第三N型掺杂区设于P型区域中，且连接一低电压端。此外，一者为第二N型重掺杂区位于P型区域中，另一者为第二P型重掺杂区位于N型区域中，此二条件可选择性或同时满足之。

2. 发明专利

TWI422005B 靜電放電保護元件結構有权
简体标题：静电放电保护组件结构
公开(公告)号：TWI422005B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW100133762
申请日：2011-09-20
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳子平 , CHEN, ZI PING , 陳東暘 , CHEN, TUNG YUNG , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0255

3. 发明专利

TW201624894A 電源式電磁干擾抑制濾波器审中-公开
简体标题：电源式电磁干扰抑制滤波器
公开(公告)号：TW201624894A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103143866
申请日：2014-12-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG
IPC分类号： H02M1/44
CPC分类号： H03H7/0153 , H03H11/0405
摘要：一種電源式電磁干擾抑制濾波器，電性耦接於一主晶片之電源供應線與一負載端之間，主晶片由電源供應線供給電源後，因主晶片內部電路的運作產生一輸出電壓雜訊與輸出電流雜訊，由於電源雜訊之諧振影響輸出電壓雜訊與輸出電流雜訊間具有一相位差。電磁干擾抑制濾波器係包括位準參考電路與至少一並聯於該位準參考電路之濾波調變電路。位準參考電路根據主晶片之輸出電壓雜訊或輸出電流雜訊產生一位準參考訊號。至少一濾波調變電路係根據此位準參考訊號進行電壓與電流特徵向量值之計算，以控制輸出電壓雜訊與輸出電流雜訊間之強度及相位差逐漸趨近於零。藉此，負載端接收到之訊號即可被調整為一濾除雜訊後之直流訊號。
简体摘要：一种电源式电磁干扰抑制滤波器，电性耦接于一主芯片之电源供应线与一负载端之间，主芯片由电源供应线供给电源后，因主芯片内部电路的运作产生一输出电压噪声与输出电流噪声，由于电源噪声之谐振影响输出电压噪声与输出电流噪声间具有一相位差。电磁干扰抑制滤波器系包括位准参考电路与至少一并联于该位准参考电路之滤波调制电路。位准参考电路根据主芯片之输出电压噪声或输出电流噪声产生一位准参考信号。至少一滤波调制电路系根据此位准参考信号进行电压与电流特征矢量值之计算，以控制输出电压噪声与输出电流噪声间之强度及相位差逐渐趋近于零。借此，负载端接收到之信号即可被调整为一滤除噪声后之直流信号。

4. 发明专利

TWI524640B 電源式電磁干擾抑制濾波器有权
简体标题：电源式电磁干扰抑制滤波器
公开(公告)号：TWI524640B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103143866
申请日：2014-12-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG
IPC分类号： H02M1/44
CPC分类号： H03H7/0153 , H03H11/0405

5. 发明专利

TWI517348B 高效率矽控整流裝置有权
简体标题：高效率硅控整流设备
公开(公告)号：TWI517348B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102128101
申请日：2013-08-06
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 彭政傑 , PENG, JAMES JENG JIE , 吳偉琳 , WU, WOEI LIN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L23/60

6. 发明专利

TWI517227B 平面式放電微通道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）結構及其製作方法有权
简体标题：平面式放电微信道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI517227B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101106427
申请日：2012-02-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 柯明道 , KER, MING DOU , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J17/066

7. 发明专利

TW201335980A 平面式放電微通道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）結構及其製作方法审中-公开
简体标题：平面式放电微信道（ＭｉｃｒｏＴｕｂｅｓ）结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201335980A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101106427
申请日：2012-02-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG , 柯明道 , KER, MING DOU , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J17/066
摘要：本發明係揭露一種以半導體製程為基礎的平面式放電微通道(MicroTubes)結構及其製作方法，首先於一基板上形成二電極圖案與至少一分隔區塊，電極圖案相隔一間隙，且分隔區塊位於該間隙中。接著，形成一絕緣層於電極圖案與分隔區塊上，並充填上述間隙，以藉其形成連通電極圖案之至少二放電路徑。由於利用上述技術實可於半導體結構中設計出複數條放電路徑，因此具極高的可靠度及再次使用性。
简体摘要：本发明系揭露一种以半导体制程为基础的平面式放电微信道(MicroTubes)结构及其制作方法，首先于一基板上形成二电极图案与至少一分隔区块，电极图案相隔一间隙，且分隔区块位于该间隙中。接着，形成一绝缘层于电极图案与分隔区块上，并充填上述间隙，以藉其形成连通电极图案之至少二放电路径。由于利用上述技术实可于半导体结构中设计出复数条放电路径，因此具极高的可靠度及再次使用性。

8. 发明专利

TW201624895A 消弭電源式電磁干擾之濾波器审中-公开
简体标题：消弭电源式电磁干扰之滤波器
公开(公告)号：TW201624895A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103143867
申请日：2014-12-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG
IPC分类号： H02M1/44
CPC分类号： H03K19/00346 , H02M1/15 , H02M1/44 , H05K1/0233
摘要：一種消弭電源式電磁干擾之濾波器，電性耦接於主晶片之電源供應線與負載端之間，因主晶片受電後由內部電路的運作產生輸出電壓雜訊與輸出電流雜訊，且二者之間具有一相位差。一位準參考電路根據主晶片之輸出電壓雜訊或輸出電流雜訊產生第一位準參考訊號。一首級濾波電路根據第一位準參考訊號進行電壓與電流特徵向量值之計算後，輸出一第二位準參考訊號。一次級濾波電路根據第二位準參考訊號進行電壓與電流特徵向量值之計算，以消除輸出電壓雜訊與輸出電流雜訊，並使其相位差趨近於零。藉此，負載端係接收到濾除雜訊後之輸出電壓及電流訊號。
简体摘要：一种消弭电源式电磁干扰之滤波器，电性耦接于主芯片之电源供应线与负载端之间，因主芯片受电后由内部电路的运作产生输出电压噪声与输出电流噪声，且二者之间具有一相位差。一位准参考电路根据主芯片之输出电压噪声或输出电流噪声产生第一位准参考信号。一首级滤波电路根据第一位准参考信号进行电压与电流特征矢量值之计算后，输出一第二位准参考信号。一次级滤波电路根据第二位准参考信号进行电压与电流特征矢量值之计算，以消除输出电压噪声与输出电流噪声，并使其相位差趋近于零。借此，负载端系接收到滤除噪声后之输出电压及电流信号。

9. 发明专利

TWI521843B 消弭電源式電磁干擾之濾波器有权
简体标题：消弭电源式电磁干扰之滤波器
公开(公告)号：TWI521843B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW103143867
申请日：2014-12-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳東暘 , CHEN, TUNG YANG
IPC分类号： H02M1/44
CPC分类号： H03K19/00346 , H02M1/15 , H02M1/44 , H05K1/0233

10. 发明专利

TW201310602A 靜電放電保護元件結構审中-公开
简体标题：静电放电保护组件结构
公开(公告)号：TW201310602A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100133762
申请日：2011-09-20
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳子平 , CHEN, ZI PING , 陳東暘 , CHEN, TUNG YUNG , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0255
摘要：本發明係揭露一種靜電放電保護元件結構，其係包含一半導體基板與設於半導體基板上之一N型磊晶層。至少一驟迴串接結構係設於N型磊晶層中，且驟迴串接結構更包含一第一P型井區與一第二P型井區。一第一、第二重摻雜區設於第一P型井區中，並互為相異型。又一第三、第四重摻雜區設於第二P型井區中，並互為相異型，且第二、第三重摻雜區互為相異型，並相互電性連接。在第一重摻雜區接收一靜電放電(ESD)訊號時，一靜電放電電流依序經由第一重摻雜區、第一P型井區、N型磊晶層與第二P型井區，流至第四重摻雜區。
简体摘要：本发明系揭露一种静电放电保护组件结构，其系包含一半导体基板与设于半导体基板上之一N型磊晶层。至少一骤回串接结构系设于N型磊晶层中，且骤回串接结构更包含一第一P型井区与一第二P型井区。一第一、第二重掺杂区设于第一P型井区中，并互为相异型。又一第三、第四重掺杂区设于第二P型井区中，并互为相异型，且第二、第三重掺杂区互为相异型，并相互电性连接。在第一重掺杂区接收一静电放电(ESD)信号时，一静电放电电流依序经由第一重掺杂区、第一P型井区、N型磊晶层与第二P型井区，流至第四重掺杂区。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式