专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI701798B 側向暫態電壓抑制器有权
简体标题：侧向暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI701798B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108124990
申请日：2019-07-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE-HAO , 葉致廷 , YEH, CHIH-TING , 林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN
IPC分类号： H01L23/58 , H02H9/04

2. 发明专利

TWI690004B 半導體封裝有权
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TWI690004B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108137562
申请日：2019-10-17
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳子平 , CHEN, ZI-PING , 林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN , 莊哲豪 , CHUANG, CHE-HAO , 曾奕銘 , TSENG, YIMING
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492 , H01L23/528

3. 发明专利

TWI467743B 具有可調式保持電壓之矽控整流器有权
简体标题：具有可调式保持电压之硅控整流器
公开(公告)号：TWI467743B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101104345
申请日：2012-02-10
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/861

4. 发明专利

TWI456736B 避免漏電流之暫態電壓抑制器有权
简体标题：避免漏电流之暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI456736B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100143298
申请日：2011-11-25
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00

5. 发明专利

TWI422010B 垂直式暫態電壓抑制器有权
简体标题：垂直式暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI422010B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099145721
申请日：2010-12-24
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 陳子平 , CHEN, ZI PING , 莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0259

6. 发明专利

TW201322424A 避免漏電流之暫態電壓抑制器审中-公开
简体标题：避免漏电流之暂态电压抑制器
公开(公告)号：TW201322424A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143298
申请日：2011-11-25
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
摘要：本發明係揭露一種避免漏電流之暫態電壓抑制器，包含一P型基板。有一N型磊晶層係設於P型基板上，且一第一N型重摻雜區、一第一P型重摻雜區、一靜電放電(ESD)元件與至少一深溝渠隔離結構設於N型磊晶層中。另有一第一N型埋區係設於N型磊晶層之底部，以與P型基板相鄰，且第一N型埋區位於第一N型重摻雜區與第一P型重摻雜區下方，且靜電放電元件連接第一N型重摻雜區。深溝渠隔離結構之深度係大於第一N型埋區之深度，並鄰接第一N型埋區，以隔離第一N型埋區與靜電放電元件。
简体摘要：本发明系揭露一种避免漏电流之暂态电压抑制器，包含一P型基板。有一N型磊晶层系设于P型基板上，且一第一N型重掺杂区、一第一P型重掺杂区、一静电放电(ESD)组件与至少一深沟渠隔离结构设于N型磊晶层中。另有一第一N型埋区系设于N型磊晶层之底部，以与P型基板相邻，且第一N型埋区位于第一N型重掺杂区与第一P型重掺杂区下方，且静电放电组件连接第一N型重掺杂区。深沟渠隔离结构之深度系大于第一N型埋区之深度，并邻接第一N型埋区，以隔离第一N型埋区与静电放电组件。

7. 发明专利

TW201203768A 用於廣泛連接埠之暫態電壓抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR MULTIPLE PIN ASSIGNMENTS 审中-公开
简体标题：用于广泛端口之暂态电压抑制器 TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR MULTIPLE PIN ASSIGNMENTS
公开(公告)号：TW201203768A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099124711
申请日：2010-07-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：林昆賢 , 莊哲豪 , 姜信欽
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H02H9/046 , H05K1/0259
摘要：本發明係揭露一種用於廣泛連接埠之暫態電壓抑制器，其係包含至少二互相並聯之二極體串接電路，與一靜電放電箝位元件，其係與二極體串接電路並聯，並連接一低電壓。其中一二極體串接電路係連接一高電壓，其餘二極體串接電路係連接輸入輸出接腳(I/O pin)。每一二極體串接電路係包含一互相串連之第一、第二二極體，且位於第一、第二二極體之間的節點係連接高電壓或輸入輸出接腳。本發明之設計除了可符合各種封裝打線上的需求外，對於暫態電壓抑制器之接腳配置也是相當有彈性的。
简体摘要：本发明系揭露一种用于广泛端口之暂态电压抑制器，其系包含至少二互相并联之二极管串接电路，与一静电放电箝比特件，其系与二极管串接电路并联，并连接一低电压。其中一二极管串接电路系连接一高电压，其余二极管串接电路系连接输入输出接脚(I/O pin)。每一二极管串接电路系包含一互相串连之第一、第二二极管，且位于第一、第二二极管之间的节点系连接高电压或输入输出接脚。本发明之设计除了可符合各种封装打在线的需求外，对于暂态电压抑制器之接脚配置也是相当有弹性的。

8. 发明专利

TWI683414B 改良式暫態電壓抑制裝置有权
简体标题：改良式暂态电压抑制设备
公开(公告)号：TWI683414B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW108124992
申请日：2019-07-16
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN , 陳子平 , CHEN, ZI-PING , 莊哲豪 , CHUANG, CHE-HAO
IPC分类号： H01L23/62 , H01L23/29

9. 发明专利

TWI427765B 具縱向結構的靜電放電保護元件有权
简体标题：具纵向结构的静电放电保护组件
公开(公告)号：TWI427765B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099128769
申请日：2010-08-27
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳子平 , CHEN, ZI PING , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0259

10. 发明专利

TWI423424B 具極低電容之橫向暫態電壓抑制器有权
简体标题：具极低电容之横向暂态电压抑制器
公开(公告)号：TWI423424B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099130605
申请日：2010-09-10
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：莊哲豪 , CHUANG, CHE HAO , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, RYAN HSIN CHIN
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
CPC分类号： H01L27/0255

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式