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21. 发明专利

TW201727682A 陶瓷電容體审中-公开
简体标题：陶瓷电容体
公开(公告)号：TW201727682A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106110839
申请日：2012-03-22
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：王錫福 , WANG, SEA FUE , 賴元正 , LAI, YUAN CHENG , 李建樺 , LI, JIAN HUA , 陳明華 , CHEN, MING HUA
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/46
摘要：本發明係有關一種陶瓷電容體，利用複合材料之觀點，以高居禮溫度(Curie temperature)介電陶瓷層之介電材料添加低居禮溫度介電材料，形成複合相。兩種材料相互補償並穩定介電常數對溫度之變化率，可達到大溫度範圍之介電特性穩定度。本發明以鈦酸鋇(BaTiO3)為低居禮溫度介電材料並為主要成分(鈦酸鋇居禮溫度約130℃)，添加居禮溫度200℃以上之介電材料。所述的添加物可以選自鉭酸鋰(LiTaO3)、鈰酸鋇(BaCeO3)、鈮酸鈉(NaNbO3)及其任意組合所組成的群組其中之一種，可得到新型介電材料，且其電容溫度係數(Temperature Coefficient of Capacitance；TCC)穩定。藉此，以此種方式所開發之介電陶瓷材料可符合電子工業協會(Electronic Industries Association,EIA)之X9R規範(應用溫度範圍-55~200℃，電容溫度係數△C/C≦±15%)，高溫應用範圍甚至可超越250℃。
简体摘要：本发明系有关一种陶瓷电容体，利用复合材料之观点，以高居礼温度(Curie temperature)介电陶瓷层之介电材料添加低居礼温度介电材料，形成复合相。两种材料相互补偿并稳定介电常数对温度之变化率，可达到大温度范围之介电特性稳定度。本发明以钛酸钡(BaTiO3)为低居礼温度介电材料并为主要成分(钛酸钡居礼温度约130℃)，添加居礼温度200℃以上之介电材料。所述的添加物可以选自钽酸锂(LiTaO3)、铈酸钡(BaCeO3)、铌酸钠(NaNbO3)及其任意组合所组成的群组其中之一种，可得到新型介电材料，且其电容温度系数(Temperature Coefficient of Capacitance；TCC)稳定。借此，以此种方式所开发之介电陶瓷材料可符合电子工业协会(Electronic Industries Association,EIA)之X9R规范(应用温度范围-55~200℃，电容温度系数△C/C≦±15%)，高温应用范围甚至可超越250℃。

22. 发明专利

TWI580741B 噴墨用墨水、印刷方法及陶瓷電子零件之製造方法有权
简体标题：喷墨用墨水、印刷方法及陶瓷电子零件之制造方法
公开(公告)号：TWI580741B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102117081
申请日：2013-05-14
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鶴明大 , TSURU, AKIHIRO , 小倉丈承 , OGURA, TAKETSUGU , 緒方直明 , OGATA, NAOAKI
IPC分类号： C09D11/02 , H01G4/30
CPC分类号： C09D11/52 , C09D11/00 , C09D11/322 , C09D11/36 , C09D11/38 , H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/248 , H01G4/30

23. 发明专利

TWI580568B 陶瓷電子零件及其製造方法有权
简体标题：陶瓷电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TWI580568B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104124579
申请日：2015-07-29
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：澤田惠理子 , SAWADA, ERIKO , 伊藤弘将 , ITO, HIROMASA , 佐佐木努 , SASAKI, TSUTOMU
IPC分类号： B32B18/00 , B32B3/02 , B32B37/15 , B32B38/00 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/252
CPC分类号： H01G4/232 , H01C1/148 , H01C7/008 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/1006 , H01C7/18 , H01F17/00 , H01G4/12 , H01G4/2325 , H01G4/30

24. 发明专利

TW201710085A 陶瓷生片製造製程用剝離薄膜审中-公开
简体标题：陶瓷生片制造制程用剥离薄膜
公开(公告)号：TW201710085A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105119521
申请日：2016-06-22
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：森裕一 , MORI, YUICHI , 佐藤慶一 , SATO, KEIICHI
IPC分类号： B32B27/00 , C08G77/38 , C08G12/32 , B28B1/30 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： B28B1/30 , B32B27/00 , B32B27/42 , C08J7/04 , H01G13/00
摘要：一種陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)，其包括基材(11)、及設置在基材(11)的單側之剝離劑層(12)，陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)中，剝離劑層(12)由剝離劑組成物形成，該剝離劑組成物含有在一個分子中具有至少一個羥基之聚有機矽氧烷、及總酸值為0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺樹脂。前述陶瓷生片製造製程用剝離薄膜(1)顯示優異的剝離性，並且可抑制聚有機矽氧烷從剝離劑層(12)向陶瓷生片轉移。
简体摘要：一种陶瓷生片制造制程用剥离薄膜(1)，其包括基材(11)、及设置在基材(11)的单侧之剥离剂层(12)，陶瓷生片制造制程用剥离薄膜(1)中，剥离剂层(12)由剥离剂组成物形成，该剥离剂组成物含有在一个分子中具有至少一个羟基之聚有机硅氧烷、及总酸值为0.030~0.154mgKOH/g之三聚氰胺树脂。前述陶瓷生片制造制程用剥离薄膜(1)显示优异的剥离性，并且可抑制聚有机硅氧烷从剥离剂层(12)向陶瓷生片转移。

25. 发明专利

TW201643910A 積層陶瓷電容器之中間體之製造方法、積層陶瓷電容器之中間體之製造中所使用的包含鹵系化合物之處理水溶液及積層陶瓷電容器之中間體以及積層陶瓷電容器之製造方法和積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器之中间体之制造方法、积层陶瓷电容器之中间体之制造中所使用的包含卤系化合物之处理水溶液及积层陶瓷电容器之中间体以及积层陶瓷电容器之制造方法和积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW201643910A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105101092
申请日：2016-01-14
申请人：北陸濾化股份有限公司 , HOKURIKU ROKA CO., LTD.
发明人：森家英幸 , MORIYA, HIDEYUKI , 森家圭一郎 , MORIYA, KEIICHIRO , 森家洋晃 , MORIYA, HIROAKI
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
摘要：提供一種，可顯著提升生產性，同時，內部電極與外部電極之密接性極為良好，且信賴性高，而且良率極為良好，並且電氣特性等之品質為高且穩定的積層陶瓷電容器之中間體之製造方法、積層陶瓷電容器之中間體之製造中所使用的包含鹵系化合物之處理水溶液及積層陶瓷電容器之中間體以及積層陶瓷電容器之製造方法和積層陶瓷電容器。在製造積層陶瓷電容器之中間體(1)的時候，將陶瓷層(2)與內部電極(3)做交互複數積層，將該積層體予以壓接、切斷而獲得積層陶瓷電容器之中間體(4)後，進行該中間體(4)的燒結，接下來，在該燒結後的積層陶瓷電容器之中間體(40)的至少端部，使其接觸含有鹵系化合物之處理水溶液，藉此，將陶瓷層 (2)之端部予以蝕刻，讓埋沒在該陶瓷層(2)中的內部電極(3)之端面或端部，從該陶瓷層(2)之端面朝外部露出。此時，使用包含鹵系化合物之處理水溶液。又，在所獲得的積層陶瓷電容器之中間體(1)之兩端部或側面之複數地點，設置與內部電極電性連接的外部電極(5)，而獲得積層陶瓷電容器(10)。
简体摘要：提供一种，可显着提升生产性，同时，内部电极与外部电极之密接性极为良好，且信赖性高，而且良率极为良好，并且电气特性等之品质为高且稳定的积层陶瓷电容器之中间体之制造方法、积层陶瓷电容器之中间体之制造中所使用的包含卤系化合物之处理水溶液及积层陶瓷电容器之中间体以及积层陶瓷电容器之制造方法和积层陶瓷电容器。在制造积层陶瓷电容器之中间体(1)的时候，将陶瓷层(2)与内部电极(3)做交互复数积层，将该积层体予以压接、切断而获得积层陶瓷电容器之中间体(4)后，进行该中间体(4)的烧结，接下来，在该烧结后的积层陶瓷电容器之中间体(40)的至少端部，使其接触含有卤系化合物之处理水溶液，借此，将陶瓷层 (2)之端部予以蚀刻，让埋没在该陶瓷层(2)中的内部电极(3)之端面或端部，从该陶瓷层(2)之端面朝外部露出。此时，使用包含卤系化合物之处理水溶液。又，在所获得的积层陶瓷电容器之中间体(1)之两端部或侧面之复数地点，设置与内部电极电性连接的外部电极(5)，而获得积层陶瓷电容器(10)。

26. 发明专利

TW201642290A 電容器結構及其製造方法审中-公开
简体标题：电容器结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201642290A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104117462
申请日：2015-05-29
申请人：力晶科技股份有限公司 , POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：車行遠 , CHE, SHYNG YEUAN , 薛杏嵐 , HSUEH, HSIN LAN
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01L28/82 , H01L21/28568 , H01L21/31144 , H01L21/32115 , H01L21/32139 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/5223 , H01L28/87
摘要：一種電容器結構，包括：基底、介電層、第一導體層以及杯狀電容器。介電層位於基底上。第一導體層位於介電層中。杯狀電容器貫穿第一導體層且位於介電層中。杯狀電容器包括下電極、電容介電層以及上電極。下電極的兩側壁與第一導體層電性連接。電容介電層覆蓋下電極的表面。上電極覆蓋電容介電層的表面。電容介電層配置在上電極與下電極之間。下電極的頂面低於上電極的頂面。本發明另提供一種電容器結構的製造方法。
简体摘要：一种电容器结构，包括：基底、介电层、第一导体层以及杯状电容器。介电层位于基底上。第一导体层位于介电层中。杯状电容器贯穿第一导体层且位于介电层中。杯状电容器包括下电极、电容介电层以及上电极。下电极的两侧壁与第一导体层电性连接。电容介电层覆盖下电极的表面。上电极覆盖电容介电层的表面。电容介电层配置在上电极与下电极之间。下电极的顶面低于上电极的顶面。本发明另提供一种电容器结构的制造方法。

27. 发明专利

TWI559345B 陶瓷電子零件有权
简体标题：陶瓷电子零件
公开(公告)号：TWI559345B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102108887
申请日：2013-03-13
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大森貴史 , OMORI, TAKASHI , 古賀誠史 , KOGA, SEIJI
IPC分类号： H01G4/008 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/008 , H01G4/228 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30

28. 发明专利

TWI539009B 鎳粉末、導電糊、以及積層陶瓷電子零件有权
简体标题：镍粉末、导电煳、以及积层陶瓷电子零件
公开(公告)号：TWI539009B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102141971
申请日：2013-11-19
申请人：杰富意礦物股份有限公司 , JFE MINERAL COMPANY, LTD.
发明人：牧瀬貴紀 , MAKISE, TAKANORI , 諸住健志 , MOROZUMI, TAKESHI , 恩田賀菜 , ONDA, KANA
IPC分类号： C22C19/03 , B22F1/00 , B22F3/10 , H01G4/008 , H01B1/22 , H01G4/30
CPC分类号： H01B1/22 , C22C1/0433 , C22C19/03 , H01G4/008 , H01G4/30

29. 发明专利

TWI537998B 積層陶瓷電容有权
简体标题：积层陶瓷电容
公开(公告)号：TWI537998B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103107767
申请日：2014-03-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岡本貴史 , OKAMOTO, TAKAFUMI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/46 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/248 , H01G4/30

30. 发明专利

TWI536412B 積層陶瓷電子零件有权
简体标题：积层陶瓷电子零件
公开(公告)号：TWI536412B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102146264
申请日：2013-12-13
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大谷真史 , OTANI, SHINJI
IPC分类号： H01G4/228 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/248 , H01G4/30

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