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1. 发明专利

TWI547326B 經表面處理之金屬粉、及其製造方法有权
简体标题：经表面处理之金属粉、及其制造方法
公开(公告)号：TWI547326B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW102105464
申请日：2013-02-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
IPC分类号： B22F1/00 , H01B1/22 , H01G9/042
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , H01B1/026 , H01G4/2325 , H01G4/30

2. 发明专利

TW201419332A 積層陶瓷電子零件及其製造方法审中-公开
简体标题：积层陶瓷电子零件及其制造方法
公开(公告)号：TW201419332A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102130898
申请日：2013-08-28
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大森貴史 , OMORI, TAKASHI , 古賀誠史 , KOGA, SEIJI , 池田潤 , IKEDA, JUN
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/2325 , H01G4/248
摘要：本發明提供一種不會引起外部電極之周緣端部附近之積層陶瓷元件之強度降低或因其所致之可靠性降低等且可靠性較高的積層陶瓷電子零件及其製造方法。本發明之外部電極35a、35b包含至少含有Si之無機物質，於外部電極之周緣端部44a、44b之與構成積層陶瓷元件33之陶瓷層32之界面，形成有至少包含Si、Ti、及Ba之晶相C，且自外部電極之周緣端部起5 μm以內之區域中之表示形成於與陶瓷層之界面之晶相C之面積和玻璃相G之面積之關係之晶相面積比率的值成為75~98%之範圍。晶相面積比率(%)={晶相面積/(晶相面積+玻璃相面積)}×100
简体摘要：本发明提供一种不会引起外部电极之周缘端部附近之积层陶瓷组件之强度降低或因其所致之可靠性降低等且可靠性较高的积层陶瓷电子零件及其制造方法。本发明之外部电极35a、35b包含至少含有Si之无机物质，于外部电极之周缘端部44a、44b之与构成积层陶瓷组件33之陶瓷层32之界面，形成有至少包含Si、Ti、及Ba之晶相C，且自外部电极之周缘端部起5 μm以内之区域中之表示形成于与陶瓷层之界面之晶相C之面积和玻璃相G之面积之关系之晶相面积比率的值成为75~98%之范围。晶相面积比率(%)={晶相面积/(晶相面积+玻璃相面积)}×100

3. 发明专利

TW201346960A 電子零件及電子零件與接合對象物之接合結構體之形成方法审中-公开
简体标题：电子零件及电子零件与接合对象物之接合结构体之形成方法
公开(公告)号：TW201346960A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102107686
申请日：2013-03-05
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：高岡英清 , TAKAOKA, HIDEKIYO , 中野公介 , NAKANO, KOSUKE , 太田裕 , OTA, YUTAKA , 川崎健一 , KAWASAKI, KENICHI
IPC分类号： H01G4/008 , C22C9/05 , C22C9/06 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G2/106 , B23K1/0016 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/248 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種電子零件、及接合結構體之形成方法，該電子零件係進行焊接安裝時之焊接部之耐熱性優異，並且外部電極之焊料潤濕性良好，可進行可靠性較高之安裝，該接合結構體係接合可靠性優異，且耐熱性較高。於包括電子零件本體(陶瓷積層體)1、及形成於該電子零件本體(陶瓷積層體)1之表面之外部電極5之電子零件A1中，外部電極係設為如下構成：包括選自Cu-Ni合金層及Cu-Mn合金層中之至少1種合金層10、及形成於較合金層更外側之抗氧化膜20。抗氧化膜係設為包括含有Sn之含Sn之膜之構成。抗氧化膜係設為包括包含貴金屬之貴金屬膜之構成。抗氧化膜係設為包括包含有機物之有機物膜之構成。
简体摘要：本发明提供一种电子零件、及接合结构体之形成方法，该电子零件系进行焊接安装时之焊接部之耐热性优异，并且外部电极之焊料润湿性良好，可进行可靠性较高之安装，该接合结构体系接合可靠性优异，且耐热性较高。于包括电子零件本体(陶瓷积层体)1、及形成于该电子零件本体(陶瓷积层体)1之表面之外部电极5之电子零件A1中，外部电极系设为如下构成：包括选自Cu-Ni合金层及Cu-Mn合金层中之至少1种合金层10、及形成于较合金层更外侧之抗氧化膜20。抗氧化膜系设为包括含有Sn之含Sn之膜之构成。抗氧化膜系设为包括包含贵金属之贵金属膜之构成。抗氧化膜系设为包括包含有机物之有机物膜之构成。

4. 发明专利

TW201340120A 經表面處理之金屬粉、及其製造方法审中-公开
简体标题：经表面处理之金属粉、及其制造方法
公开(公告)号：TW201340120A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102105465
申请日：2013-02-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
IPC分类号： H01B1/00 , H01B1/22 , B22F1/00 , H01G4/30
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , H01B1/026 , H01G4/2325 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種可較佳地用於製造晶片積層陶瓷電容器用電極且燒結延遲性優異之經表面處理的金屬粉，藉由下述經表面處理之金屬粉而提供本發明：於藉由STEM而獲得之表面附近之EDS濃度profile中，Ti、Al、Si、Zr、Ce、Sn之任一者之厚度為1~25nm。
简体摘要：本发明提供一种可较佳地用于制造芯片积层陶瓷电容器用电极且烧结延迟性优异之经表面处理的金属粉，借由下述经表面处理之金属粉而提供本发明：于借由STEM而获得之表面附近之EDS浓度profile中，Ti、Al、Si、Zr、Ce、Sn之任一者之厚度为1~25nm。

5. 发明专利

TW201336601A 經表面處理之金屬粉、及其製造方法审中-公开
简体标题：经表面处理之金属粉、及其制造方法
公开(公告)号：TW201336601A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102105464
申请日：2013-02-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：古澤秀樹 , FURUSAWA, HIDEKI
IPC分类号： B22F1/00 , H01B1/22 , H01G9/042
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2301/25 , H01B1/026 , H01G4/2325 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種可較佳地用於製造晶片積層陶瓷電容器用電極且燒結延遲性優異之經表面處理的金屬粉，藉由下述經表面處理之金屬粉而提供本發明：Si、Ti、Al、Zr、Ce、Sn中之任一種以上的附著量相對於金屬粉1g為200~16000μg，N相對於金屬粉之重量%為0.02%以上。
简体摘要：本发明提供一种可较佳地用于制造芯片积层陶瓷电容器用电极且烧结延迟性优异之经表面处理的金属粉，借由下述经表面处理之金属粉而提供本发明：Si、Ti、Al、Zr、Ce、Sn中之任一种以上的附着量相对于金属粉1g为200~16000μg，N相对于金属粉之重量%为0.02%以上。

6. 发明专利

TWI408702B 熱硬化性導電性糊膏及具有使用該導電性糊膏而形成之外部電極之積層陶瓷質電子組件有权
简体标题：热硬化性导电性煳膏及具有使用该导电性煳膏而形成之外部电极之积层陶瓷质电子组件
公开(公告)号：TWI408702B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW095148121
申请日：2006-12-21
申请人：納美仕有限公司 , NAMICS CORPORATION
发明人：五十嵐仙一 , IKARASHI, SENICHI , 橫山公憲 , YOKOYAMA, KIMINORI
IPC分类号： H01B1/22 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/2325 , H01B1/22 , H01C1/148 , H01C7/18 , H01G4/30

7. 发明专利

TW201128666A 陶瓷電子零件及陶瓷電子零件之製造方法审中-公开
简体标题：陶瓷电子零件及陶瓷电子零件之制造方法
公开(公告)号：TW201128666A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099126526
申请日：2010-08-09
申请人： TDK股份有限公司
发明人：櫻井隆司 , 吉原信也 , 小野寺晃 , 阿部壽之 , 今野正彥 , 栗本哲 , 進藤宏史 , 堀田哲廣 , 渡邊源一 , 伊藤義和
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/2325 , B23K1/0016 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種可直接以無鉛焊料覆蓋基底電極層而又不會降低可靠性之陶瓷電子零件及陶瓷電子零件之製造方法。端子電極3包括：藉由燒結而形成之Cu之基底電極層21；由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge之五元系無鉛焊料所形成之焊料層22；及於基底電極層21與焊料層22之間藉由Ni擴散而形成之擴散層23。如此般於基底電極層21與焊料層22之間形成Ni之擴散層23，因而可藉由作為阻障層發揮作用之該擴散層23抑制基底電極層21之Cu受焊料侵蝕。又，Ni之擴散層23可抑制生長脆性之Sn-Cu金屬間化合物。因此，可抑制基底電極層21與焊料層22之間之接合強度之降低。
简体摘要：本发明提供一种可直接以无铅焊料覆盖基底电极层而又不会降低可靠性之陶瓷电子零件及陶瓷电子零件之制造方法。端子电极3包括：借由烧结而形成之Cu之基底电极层21；由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge之五元系无铅焊料所形成之焊料层22；及于基底电极层21与焊料层22之间借由Ni扩散而形成之扩散层23。如此般于基底电极层21与焊料层22之间形成Ni之扩散层23，因而可借由作为阻障层发挥作用之该扩散层23抑制基底电极层21之Cu受焊料侵蚀。又，Ni之扩散层23可抑制生长脆性之Sn-Cu金属间化合物。因此，可抑制基底电极层21与焊料层22之间之接合强度之降低。

8. 发明专利

TWI345245B 電子零件及電子零件之製造方法 ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：电子零件及电子零件之制造方法 ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI345245B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW095117760
申请日：2006-05-19
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：勝部浩 , 西川潤
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/2325 , Y10T428/31678
摘要：本發明係提供一種高可靠性電子零件，其可防止鍍敷液經過外部電極滲入陶瓷元件內部、或外部環境之溼氣滲入內部，且無玻璃成分析出於外部電極表面，而避免產生可焊性(solderability)不良或縮錫(dewetting)不良現象；並提供該高可靠性電子零件之製造方法。
其具備：以Cu為主成分之Cu燒製電極層6a,6b，Cu燒製電極層6a,6b上所形成之經再結晶化處理的Cu鍍敷層7a,7b，以及Cu鍍敷層7a,7b上所形成之上層側鍍敷層9a,9b。
於Cu鍍敷層7a,7b形成後，以Cu鍍敷層7a,7b再結晶化溫度以上且導電性糊所含之玻璃不致軟化的溫度加以熱處理，藉此使Cu鍍敷層7a,7b再結晶化。
简体摘要：本发明系提供一种高可靠性电子零件，其可防止镀敷液经过外部电极渗入陶瓷组件内部、或外部环境之湿气渗入内部，且无玻璃成分析出于外部电极表面，而避免产生可焊性(solderability)不良或缩锡(dewetting)不良现象；并提供该高可靠性电子零件之制造方法。其具备：以Cu为主成分之Cu烧制电极层6a,6b，Cu烧制电极层6a,6b上所形成之经再结晶化处理的Cu镀敷层7a,7b，以及Cu镀敷层7a,7b上所形成之上层侧镀敷层9a,9b。于Cu镀敷层7a,7b形成后，以Cu镀敷层7a,7b再结晶化温度以上且导电性煳所含之玻璃不致软化的温度加以热处理，借此使Cu镀敷层7a,7b再结晶化。

9. 发明专利

TWI331760B 陶瓷電子元件及其製造方法 CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：陶瓷电子组件及其制造方法 CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI331760B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW096119895
申请日：2007-06-04
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：榧谷孝行
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G13/006 , H01G4/2325 , H01G4/252 , H01G4/30
摘要：習知積層陶瓷電容之端子電極，具備有：導電性金屬之藉由烘烤而成之厚膜所構成的厚膜層、形成在該厚膜層上且含有熱硬化性樹脂及導電性填料的導電性樹脂層、及形成在該導電性樹脂層上且由導電性金屬鍍敷膜所構成的鍍敷層，構成為藉由導電性樹脂層之剝離來緩和應力時，若導電性樹脂層產生剝離，則無法發揮導電性樹脂層之應力緩和能力，又於構裝後施加較大應力時，積層陶瓷電容有時候會產生裂痕。
本發明之導電性樹脂層(32)，係形成為被覆厚膜層(31)且延伸超過厚膜層(31)之前端緣(34)100 μm以上之長度(A)，鍍敷層(33)則形成為除了沿導電性樹脂層(32)之前端緣(37)延伸50 μm以上之寬度(B)的區域(35)之外，被覆導電性樹脂層(32)，藉此，以緩和集中應力。【創作特點】因此，本發明之目的在於提供一種可解決上述問題之陶瓷電子元件及其製造方法。
本發明，為一種電子陶瓷元件，其具備以陶瓷構成且具有相對向之兩端面與連結該兩端面之側面的電子元件本體、及形成為被覆電子元件本體各端面且自各端面延伸至側面一部分的端子電極，為解決上述之技術課題，其特徵在於，具備如下之構成，特別是如下之端子電極的構成。
亦即，本發明之陶瓷電子元件，端子電極具備有：導電性金屬之藉由烘烤而成之厚膜所構成的厚膜層、含有熱硬化性樹脂及導電性填料的導電性樹脂層、及導電性金屬鍍敷膜所構成的鍍敷層。厚膜層係形成在電子元件本體的各端面及側面的一部分上。導電性樹脂層被覆厚膜層且於側面上形成為延伸超過厚膜層前端緣100 μm以上之長度。又，在導電性樹脂層位於側面上之部分的前端部分，具有實質上不含導電性填料的區域。鍍敷層則形成為除了沿導電性樹脂層前端緣延伸50 μm以上之寬度的區域之外，被覆導電性樹脂層。
導電性樹脂層，較佳為，對電子元件本體具有0.3~10N/mm 2 範圍的接合力。
較佳的實施態樣，係使用酚樹脂(phenol resin)來作為導電性樹脂層所含有的熱硬化性樹脂，導電性樹脂層所含有的導電性填料，則是使用具有銀塗層的銅粉末。
又，本發明，亦提供一種製造具備上述特徵構成之陶瓷電子元件的方法。
本發明之陶瓷電子元件之製造方法，具備以下步驟：準備以陶瓷構成且具有相對向之兩端面與連結該兩端面之側面的電子元件本體的步驟；及以被覆電子元件本體各端面且自各端面延伸至側面一部分的方式形成端子電極的步驟。
於形成端子電極的步驟中，首先實施將導電性金屬膏塗布在電子元件本體各端面及側面的一部分上，然後對此導電性金屬膏進行烘烤，藉以形成厚膜層的步驟。接著實施形成導電性樹脂層的步驟，係以被覆上述厚膜層且於側面上延伸超過厚膜層前端緣100 μm以上長度的方式，塗布具有剪速度0.1s －1 之黏度為200Pa．s以下之搖變性且含有熱硬化性樹脂及導電性填料的導電性樹脂膏，然後進行乾燥，接著使其熱硬化，藉此以形成導電性樹脂層。其次，實施形成鍍敷層的步驟，係藉由在導電性樹脂層上以電鍍形成導電性金屬鍍敷膜，以形成鍍敷層。
於本發明之陶瓷電子元件的製造方法中，用以形成導電性樹脂層之導電性樹脂膏，較佳為使用在硬化後對電子元件本體具有0.3~10N/mm 2 範圍之接合力者。
根據本發明之陶瓷電子元件，於端子電極，構成中間層的導電性樹脂層的前端緣，係位在超過構成底層之厚膜層前端緣50 μm以上寬度的位置，位於表面之鍍敷層的前端緣，則位於自導電性樹脂層前端緣後退50 μm以上寬度的位置。
藉此，首先，導電性樹脂層係在超過厚膜層前端緣100 μm以上之寬度的區域被覆電子元件本體，而可緩和應力集中於成為裂痕起點之厚膜層的前端緣。
又，將鍍敷層的前端緣自導電性樹脂層前端緣錯開50 μm以上的寬度，故鍍敷層對導電性樹脂層所造成之應力的集中處，便自導電性樹脂層的前端緣錯開。因此，在形成鍍敷層時、製造積層陶瓷電容時進行搬送的過程中、或構裝時對端子電極的焊接過程等，由於充分將導電性樹脂層的前端緣自應力集中處，即鍍敷層前端緣錯開，因此可防止上述應力造成導電性樹脂層發生剝離。
又，根據本發明之陶瓷電子元件，與前述之專利文獻1及2所記載者同樣，導電性樹脂層可吸收來自外部的應力，又，對於超過容許範圍的外部應力，導電性樹脂層則會剝離，故無論於任一情形，皆可防止電子元件本體產生裂痕，可防止陶瓷電子元件例如燒毀、冒煙等等重大事故於未然。
於本發明，導電性樹脂層若對電子元件本體具有0.3~10N/mm 2 範圍的接合力，則可充分發揮導電性樹脂層本來應有的應力緩和能力。
於本發明，若使用具有銀塗層的銅粉末來作為導電性樹脂層所含有的導電性填料，則可防止導電性樹脂層的表面發生氧化，且可抑制銀的絕對量以抑制銀的移動。又，若使用酚樹脂作為導電性樹脂層所含有的熱硬化性樹脂，則可在熱硬化時進行還原作用，可防止銅粉末表面未被銀塗覆的部分發生氧化。
根據本發明之陶瓷電子元件的製造方法，為了形成導電性樹脂層，係塗布具有剪速度0.1s －1 之黏度為200Pa．s以下之搖變性的導電性樹脂膏，因此於熱硬化後的導電性樹脂層，可容易在其前端部分形成實質上不含導電性填料的區域。
亦即，為黏度測量條件之剪速度0.1s －1 ，係相當於幾乎未施加外力在導電性樹脂膏的狀態，在此條件下黏度為200Pa．s以下，則是在與通常所使用之膏黏度相較之下，為相當低的黏度(容易流動的狀態)。由於使用此種低黏度的導電性樹脂膏形成導電性樹脂層，因此若以被覆電子元件本體上之厚膜層、且於側面上延伸超過厚膜層前端緣100 μm以上長度的方式，塗布此導電性樹脂膏，則雖然導電性樹脂膏本身會朝電子元件本體的端面間中央擴散，但由於導電性樹脂膏中所含有的導電性填料彼此接觸，藉著互相欲結合之力而停留在該處。其結果，導電性填料幾乎不曾離開當初的塗布位置，僅溶劑及溶解於其中的樹脂成分擴散開，故可在導電性樹脂層的前端部分形成實質上不含導電性填料的區域。
简体摘要：习知积层陶瓷电容之端子电极，具备有：导电性金属之借由烘烤而成之厚膜所构成的厚膜层、形成在该厚膜层上且含有热硬化性树脂及导电性填料的导电性树脂层、及形成在该导电性树脂层上且由导电性金属镀敷膜所构成的镀敷层，构成为借由导电性树脂层之剥离来缓和应力时，若导电性树脂层产生剥离，则无法发挥导电性树脂层之应力缓和能力，又于构装后施加较大应力时，积层陶瓷电容有时候会产生裂痕。本发明之导电性树脂层(32)，系形成为被覆厚膜层(31)且延伸超过厚膜层(31)之前端缘(34)100 μm以上之长度(A)，镀敷层(33)则形成为除了沿导电性树脂层(32)之前端缘(37)延伸50 μm以上之宽度(B)的区域(35)之外，被覆导电性树脂层(32)，借此，以缓和集中应力。【创作特点】因此，本发明之目的在于提供一种可解决上述问题之陶瓷电子组件及其制造方法。本发明，为一种电子陶瓷组件，其具备以陶瓷构成且具有相对向之两端面与链接该两端面之侧面的电子组件本体、及形成为被复电子组件本体各端面且自各端面延伸至侧面一部分的端子电极，为解决上述之技术课题，其特征在于，具备如下之构成，特别是如下之端子电极的构成。亦即，本发明之陶瓷电子组件，端子电极具备有：导电性金属之借由烘烤而成之厚膜所构成的厚膜层、含有热硬化性树脂及导电性填料的导电性树脂层、及导电性金属镀敷膜所构成的镀敷层。厚膜层系形成在电子组件本体的各端面及侧面的一部分上。导电性树脂层被覆厚膜层且于侧面上形成为延伸超过厚膜层前端缘100 μm以上之长度。又，在导电性树脂层位于侧面上之部分的前端部分，具有实质上不含导电性填料的区域。镀敷层则形成为除了沿导电性树脂层前端缘延伸50 μm以上之宽度的区域之外，被覆导电性树脂层。导电性树脂层，较佳为，对电子组件本体具有0.3~10N/mm 2 范围的接合力。较佳的实施态样，系使用酚树脂(phenol resin)来作为导电性树脂层所含有的热硬化性树脂，导电性树脂层所含有的导电性填料，则是使用具有银涂层的铜粉末。又，本发明，亦提供一种制造具备上述特征构成之陶瓷电子组件的方法。本发明之陶瓷电子组件之制造方法，具备以下步骤：准备以陶瓷构成且具有相对向之两端面与链接该两端面之侧面的电子组件本体的步骤；及以被复电子组件本体各端面且自各端面延伸至侧面一部分的方式形成端子电极的步骤。于形成端子电极的步骤中，首先实施将导电性金属膏涂布在电子组件本体各端面及侧面的一部分上，然后对此导电性金属膏进行烘烤，借以形成厚膜层的步骤。接着实施形成导电性树脂层的步骤，系以被复上述厚膜层且于侧面上延伸超过厚膜层前端缘100 μm以上长度的方式，涂布具有剪速度0.1s －1 之黏度为200Pa．s以下之摇变性且含有热硬化性树脂及导电性填料的导电性树脂膏，然后进行干燥，接着使其热硬化，借此以形成导电性树脂层。其次，实施形成镀敷层的步骤，系借由在导电性树脂层上以电镀形成导电性金属镀敷膜，以形成镀敷层。于本发明之陶瓷电子组件的制造方法中，用以形成导电性树脂层之导电性树脂膏，较佳为使用在硬化后对电子组件本体具有0.3~10N/mm 2 范围之接合力者。根据本发明之陶瓷电子组件，于端子电极，构成中间层的导电性树脂层的前端缘，系位在超过构成底层之厚膜层前端缘50 μm以上宽度的位置，位于表面之镀敷层的前端缘，则位于自导电性树脂层前端缘后退50 μm以上宽度的位置。借此，首先，导电性树脂层系在超过厚膜层前端缘100 μm以上之宽度的区域被复电子组件本体，而可缓和应力集中于成为裂痕起点之厚膜层的前端缘。又，将镀敷层的前端缘自导电性树脂层前端缘错开50 μm以上的宽度，故镀敷层对导电性树脂层所造成之应力的集中处，便自导电性树脂层的前端缘错开。因此，在形成镀敷层时、制造积层陶瓷电容时进行搬送的过程中、或构装时对端子电极的焊接过程等，由于充分将导电性树脂层的前端缘自应力集中处，即镀敷层前端缘错开，因此可防止上述应力造成导电性树脂层发生剥离。又，根据本发明之陶瓷电子组件，与前述之专利文献1及2所记载者同样，导电性树脂层可吸收来自外部的应力，又，对于超过容许范围的外部应力，导电性树脂层则会剥离，故无论于任一情形，皆可防止电子组件本体产生裂痕，可防止陶瓷电子组件例如烧毁、冒烟等等重大事故于未然。于本发明，导电性树脂层若对电子组件本体具有0.3~10N/mm 2 范围的接合力，则可充分发挥导电性树脂层本来应有的应力缓和能力。于本发明，若使用具有银涂层的铜粉末来作为导电性树脂层所含有的导电性填料，则可防止导电性树脂层的表面发生氧化，且可抑制银的绝对量以抑制银的移动。又，若使用酚树脂作为导电性树脂层所含有的热硬化性树脂，则可在热硬化时进行还原作用，可防止铜粉末表面未被银涂覆的部分发生氧化。根据本发明之陶瓷电子组件的制造方法，为了形成导电性树脂层，系涂布具有剪速度0.1s －1 之黏度为200Pa．s以下之摇变性的导电性树脂膏，因此于热硬化后的导电性树脂层，可容易在其前端部分形成实质上不含导电性填料的区域。亦即，为黏度测量条件之剪速度0.1s －1 ，系相当于几乎未施加外力在导电性树脂膏的状态，在此条件下黏度为200Pa．s以下，则是在与通常所使用之膏黏度相较之下，为相当低的黏度(容易流动的状态)。由于使用此种低黏度的导电性树脂膏形成导电性树脂层，因此若以被复电子组件本体上之厚膜层、且于侧面上延伸超过厚膜层前端缘100 μm以上长度的方式，涂布此导电性树脂膏，则虽然导电性树脂膏本身会朝电子组件本体的端面间中央扩散，但由于导电性树脂膏中所含有的导电性填料彼此接触，借着互相欲结合之力而停留在该处。其结果，导电性填料几乎不曾离开当初的涂布位置，仅溶剂及溶解于其中的树脂成分扩散开，故可在导电性树脂层的前端部分形成实质上不含导电性填料的区域。

10. 发明专利

TW200741768A 積層電容器审中-公开
简体标题：积层电容器
公开(公告)号：TW200741768A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096101108
申请日：2007-01-11
申请人：村田製作所股份有限公司 MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：川崎健一 KAWASAKI, KENICHI , 井上德之 INOUE, NORIYUKI , 齋藤彰 SAITO, AKIRA , 中野牧人 NAKANO, MAKITO , 鴛海健一 OSHIUMI, KENICHI
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30
摘要：本發明之目的在於為了獲得一種可實現小型及高電容,且安裝於基板並驅動時,不易因變位而產生基板振鳴之積層電容器。本發明之積層電容器1包含由第1內部電極2a、2c、2e2g、2i、2k和第2內部電極2b、2d、2f、2h、2j、2l經由電介體層重疊而成之積層體2,第1、第2外部電極3、4分別包含第1繞入部3a、3b和第3、第4繞入部4a、4b,藉由第1、第2繞入部3a、3b所夾之第1區域以及第3、第4繞入部4a、4b所夾之第3區域內的有效層之佔有體積比例為10%以上,第1、第3區域之下面2d側之一半區域,即第2、第4區域內之有效層之佔有體積比例為15%以下,外形尺寸在長度1.6�0.1mm、寬度0.8�0.1mm、厚度0.8�0.1mm之範圍內。
简体摘要：本发明之目的在于为了获得一种可实现小型及高电容,且安装于基板并驱动时,不易因变位而产生基板振鸣之积层电容器。本发明之积层电容器1包含由第1内部电极2a、2c、2e2g、2i、2k和第2内部电极2b、2d、2f、2h、2j、2l经由电介体层重叠而成之积层体2,第1、第2外部电极3、4分别包含第1绕入部3a、3b和第3、第4绕入部4a、4b,借由第1、第2绕入部3a、3b所夹之第1区域以及第3、第4绕入部4a、4b所夹之第3区域内的有效层之占有体积比例为10%以上,第1、第3区域之下面2d侧之一半区域,即第2、第4区域内之有效层之占有体积比例为15%以下,外形尺寸在长度1.6�0.1mm、宽度0.8�0.1mm、厚度0.8�0.1mm之范围内。

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