专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI537998B 積層陶瓷電容有权
简体标题：积层陶瓷电容
公开(公告)号：TWI537998B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103107767
申请日：2014-03-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岡本貴史 , OKAMOTO, TAKAFUMI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/46 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/248 , H01G4/30

2. 发明专利

TWI518715B 積層陶瓷電子零件及積層陶瓷電子零件之製造方法有权
简体标题：积层陶瓷电子零件及积层陶瓷电子零件之制造方法
公开(公告)号：TWI518715B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW099126513
申请日：2010-08-09
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO , 伴野晃一 , BANNO, KOICHI , 大塚正博 , OTSUKA, MASAHIRO , 中村將典 , NAKAMURA, MASANORI , 城野精一 , JONO, SEIICHI , 神埼泰介 , KANZAKI, TAISUKE , 鹽田彰宏 , SHIOTA, AKIHIRO
IPC分类号： H01G4/008 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/0085 , H01C7/008 , H01C7/18 , H01G4/12 , H01G4/1209 , H01G4/224 , H01G4/30 , H01L41/0471 , H01L41/0477

3. 发明专利

TW201447942A 積層陶瓷電容审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容
公开(公告)号：TW201447942A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103107767
申请日：2014-03-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岡本貴史 , OKAMOTO, TAKAFUMI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/46 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/248 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種高溫負荷可靠性優異之積層陶瓷電容。本發明之積層陶瓷電容之介電陶瓷層3包含作為元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1種)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1種)、Si、及任意之Sr，且包含作為化合物之鈣鈦礦型化合物，該鈣鈦礦型化合物在構成上係包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形時，將Ti之量及Zr之量之合計設為100時，使Sr之量a滿足0≦a≦20.0之條件、Re之量b滿足0.5≦b≦10.0之條件、Zr之量c滿足46≦c≦90之條件、M之量d滿足0.5≦d≦10.0之條件、Si之量e滿足0.5≦e≦5.0之條件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合計相對於Ti之量及Zr之量之合計的比m滿足0.990≦m≦1.050之條件。
简体摘要：本发明提供一种高温负荷可靠性优异之积层陶瓷电容。本发明之积层陶瓷电容之介电陶瓷层3包含作为元素之Ba、Re(La、Ce、Pr、Nd、Sm中至少1种)、Ti、Zr、M(Mg、Al、Mn、V中至少1种)、Si、及任意之Sr，且包含作为化合物之钙钛矿型化合物，该钙钛矿型化合物在构成上系包含Ba、Re、Ti、Zr、及任意之Sr，以莫耳份表示元素之量之情形时，将Ti之量及Zr之量之合计设为100时，使Sr之量a满足0≦a≦20.0之条件、Re之量b满足0.5≦b≦10.0之条件、Zr之量c满足46≦c≦90之条件、M之量d满足0.5≦d≦10.0之条件、Si之量e满足0.5≦e≦5.0之条件、以及Ba之量及Sr之量及Re之量之合计相对于Ti之量及Zr之量之合计的比m满足0.990≦m≦1.050之条件。

4. 发明专利

TWI470659B 積層陶瓷電容器及積層陶瓷電容器之製造方法有权
简体标题：积层陶瓷电容器及积层陶瓷电容器之制造方法
公开(公告)号：TWI470659B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW102127661
申请日：2013-08-01
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：山口晉一 , YAMAGUCHI, SHINICHI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO , 土井章孝 , DOI, AKITAKA
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G13/00

5. 发明专利

TW201413763A 積層陶瓷電容器及積層陶瓷電容器之製造方法审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器及积层陶瓷电容器之制造方法
公开(公告)号：TW201413763A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102127661
申请日：2013-08-01
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：山口晉一 , YAMAGUCHI, SHINICHI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO , 土井章孝 , DOI, AKITAKA
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01G13/00
摘要：本發明提供一種積層陶瓷電容器，該積層陶瓷電容器之陶瓷介電層更薄層化，且即便於施加有高電場強度之電壓之情形時，亦顯示優異之耐久性與良好之介電特性。本發明之積層陶瓷電容器包括：陶瓷積層體5，其係積層複數個陶瓷介電層2而成；複數個內部電極3、4，其等係以介隔陶瓷介電層2而互相對向之方式配設於陶瓷積層體5之內部；及外部電極6、7，其等係以與內部電極導通之方式配設於陶瓷積層體之外表面；且該積層陶瓷電容器滿足如下要件：內部電極含有Ni與Sn，內部電極之自與陶瓷介電層對向之表面起深度為20nm之區域內之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比計為0.001以上的區域之比例為75%以上，且內部電極之厚度方向之中央區域內之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比計為0.001以上的區域之比例未達40%。
简体摘要：本发明提供一种积层陶瓷电容器，该积层陶瓷电容器之陶瓷介电层更薄层化，且即便于施加有高电场强度之电压之情形时，亦显示优异之耐久性与良好之介电特性。本发明之积层陶瓷电容器包括：陶瓷积层体5，其系积层复数个陶瓷介电层2而成；复数个内部电极3、4，其等系以介隔陶瓷介电层2而互相对向之方式配设于陶瓷积层体5之内部；及外部电极6、7，其等系以与内部电极导通之方式配设于陶瓷积层体之外表面；且该积层陶瓷电容器满足如下要件：内部电极含有Ni与Sn，内部电极之自与陶瓷介电层对向之表面起深度为20nm之区域内之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例为75%以上，且内部电极之厚度方向之中央区域内之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例未达40%。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式