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21. 发明专利

TWI286394B 高效率第III族氮化物碳化矽之發光二極體 HIGH EFFICIENCY GROUP III NITRIDE-SILICON CARBIDE LIGHT EMITTING DIODE 有权
简体标题：高效率第III族氮化物碳化硅之发光二极管 HIGH EFFICIENCY GROUP III NITRIDE-SILICON CARBIDE LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TWI286394B
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW094131893
申请日：2005-09-15
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：約翰亞當艾德蒙 EDMOND, JOHN ADAM , 傑許巴拉森 BHARATHAN, JAYESH , 大衛畢爾思禮史萊特二世 SLATER, DAVID BEARDSLEY, JR.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/007
摘要：本發明揭示一種用於製造適於封裝之高效率高提取發光二極體之方法及所得結構。該方法包括下列步驟：添加一寬廣帶隙半導體材料之發光作用部分至一導電碳化矽基板，將所添加之作用部分接合至一導電子安裝結構，及移除與該所添加之作用部分相對之該碳化矽基板之部分從而減小經接合之基板、作用部分及子安裝結構之總厚度。該所得子安裝結構可接合至一引線框，同時該作用部分位於該碳化矽基板與該子安裝結構之間，從而使用該子安裝結構將該作用部分分離於該引線框且避免該作用部分與該引線框之間之不當電接觸。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造适于封装之高效率高提取发光二极管之方法及所得结构。该方法包括下列步骤：添加一宽广带隙半导体材料之发光作用部分至一导电碳化硅基板，将所添加之作用部分接合至一导电子安装结构，及移除与该所添加之作用部分相对之该碳化硅基板之部分从而减小经接合之基板、作用部分及子安装结构之总厚度。该所得子安装结构可接合至一引线框，同时该作用部分位于该碳化硅基板与该子安装结构之间，从而使用该子安装结构将该作用部分分离于该引线框且避免该作用部分与该引线框之间之不当电接触。

22. 发明专利

TW200717868A 發光二極體光源及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管光源及其制造方法
公开(公告)号：TW200717868A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095127290
申请日：2006-07-26
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.
发明人：磯部博之 ISOBE, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02F1/133603 , F21K9/90 , F21Y2103/10 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , G02F1/133621 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：將發光二極體2(紅色發光二極體(R)、綠色發光二極體(G)及藍色發光二極體(B),或白色發光二極體(W))裝載於框體3之後,不進行用以將發光二極體2單片化的框體3切片,而是藉由拔除繫桿來形成電氣電路,製造出以框體3之狀態來點燈的RGB3原色發光二極體光源1A或白色發光二極體光源1B。
简体摘要：将发光二极管2(红色发光二极管(R)、绿色发光二极管(G)及蓝色发光二极管(B),或白色发光二极管(W))装载于框体3之后,不进行用以将发光二极管2单片化的框体3切片,而是借由拔除系杆来形成电气电路,制造出以框体3之状态来点灯的RGB3原色发光二极管光源1A或白色发光二极管光源1B。

23. 发明专利

TWI268630B 半導體發光裝置之製造 MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 失效
简体标题：半导体发光设备之制造 MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TWI268630B
公开(公告)日：2006-12-11
申请号：TW094108445
申请日：2005-03-18
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：凱薩琳L 强森 JOHNSON, KATHERINE L. , 史特瓦E 琥珀 HOOPER, STEWART E. , 維拉蕊鮑斯奎 BOUSQUET, VALERIE , 馬歇爾庫爾 KAUER, MATTHIAS , 强納森荷夫楠 HEFFERNAN, JONATHAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭示一種製造一半導體發光裝置之方法，其包含在一半導體晶圓之表面之一或多個選定部分上沈積一導電材料(11a、11b、11c)，該半導體晶圓包含一基板(1)與具有至少一第一導電率類型之一第一半導體層(2)及一不同於該第一導電率類型之第二導電率類型之一第二半導體層(3)之一層結構(4)，該第一層(2)係在該第二層(3)與該基板(1)之間。該導電材料形成與該第一半導體層接觸之一接點。接著將該晶圓切成小方塊以形成複數個發光裝置(12)，每一發光裝置具有該導電材料之一個別部分。
简体摘要：本发明揭示一种制造一半导体发光设备之方法，其包含在一半导体晶圆之表面之一或多个选定部分上沉积一导电材料(11a、11b、11c)，该半导体晶圆包含一基板(1)与具有至少一第一导电率类型之一第一半导体层(2)及一不同于该第一导电率类型之第二导电率类型之一第二半导体层(3)之一层结构(4)，该第一层(2)系在该第二层(3)与该基板(1)之间。该导电材料形成与该第一半导体层接触之一接点。接着将该晶圆切成小方块以形成复数个发光设备(12)，每一发光设备具有该导电材料之一个别部分。

24. 发明专利

TWI244228B 發光二極體與其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF 有权
简体标题：发光二极管与其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI244228B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW094103370
申请日：2005-02-03
申请人：國聯光電科技股份有限公司 UNITED EPITAXY COMPANY, LTD.
发明人：杜全成 TU, CHUAN CHENG , 吳仁釗 WU, JEN CHAU , 謝育仁 SHIEH, YUH REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/385 , H01L25/0753 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：一種覆晶式之發光二極體。此發光二極體包含一發光結構、一第一介電層、一第一金屬層、一第二金屬層、與一第二介電層。此發光結構包含一第一導電層、一活性層、與一第二導電層。此活性層位於此第一導電層上，而此第二導電層位於此活性層上。此第一介電層係位於此發光結構上。此第一金屬層亦位於此發光結構上並電性接觸此第一導電層，且部分之第一金屬層位於此第一介電層上。此第二金屬層亦位於此發光結構上並電性接觸此第二導電層，且部分之第二金屬層位於此第一介電層上。此第二介電層位於此第一介電層上。
简体摘要：一种覆晶式之发光二极管。此发光二极管包含一发光结构、一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、与一第二介电层。此发光结构包含一第一导电层、一活性层、与一第二导电层。此活性层位于此第一导电层上，而此第二导电层位于此活性层上。此第一介电层系位于此发光结构上。此第一金属层亦位于此发光结构上并电性接触此第一导电层，且部分之第一金属层位于此第一介电层上。此第二金属层亦位于此发光结构上并电性接触此第二导电层，且部分之第二金属层位于此第一介电层上。此第二介电层位于此第一介电层上。

25. 发明专利

TW552650B 澱積裝置及澱積方法有权
简体标题：淀积设备及淀积方法
公开(公告)号：TW552650B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW091101696
申请日：2002-01-31
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 瀨尾哲史 , 水上真由美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5203 , B05D1/60 , C23C14/12 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L51/001 , H01L51/5008 , H01L51/5012 , H01L51/5036 , H01L51/5068 , H01L2924/0002 , H05B33/02 , H05B33/12 , H01L2924/00
摘要：一種澱積裝置提供用於製造具有數種功能區之有機化合物層。此澱積裝置包括數個蒸發源於澱積室內，用以能夠連續地形成含有有機化合物之各別功能區，且再者，形成混合區於鄰接功能區之間的介面。以具有此種架構的室之澱積裝置，這是可能防止功能區之間的雜質污染，且另可能形成具有弛緩在介面能量間隙之有機化合物層。
简体摘要：一种淀积设备提供用于制造具有数种功能区之有机化合物层。此淀积设备包括数个蒸发源于淀积室内，用以能够连续地形成含有有机化合物之各别功能区，且再者，形成混合区于邻接功能区之间的界面。以具有此种架构的室之淀积设备，这是可能防止功能区之间的杂质污染，且另可能形成具有弛缓在界面能量间隙之有机化合物层。

26. 发明专利

TWI620352B 覆晶發光二極體及其製造方法有权
简体标题：覆晶发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI620352B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106102142
申请日：2017-01-20
申请人：大光能源科技有限公司 , DUO POWER LIGHTING TECHNOLOGY
发明人：朱長信 , CHU, CHANG HSIN
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/62 , H01L33/644 , H05K1/053

27. 发明专利

TW201806202A 半導體發光裝置审中-公开
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TW201806202A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106139829
申请日：2015-12-29
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：小幡進 , OBATA,SUSUMU , 小島章弘 , KOJIMA,AKIHIRO
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要：根據本發明之實施形態，提供一種包含半導體部、第1金屬柱、第2金屬柱、及絕緣層之半導體發光裝置。上述半導體部包含第1面、上述第1面之相反側之第2面、及發光層。上述第2面包含與上述發光層重疊之第1區域、及不與上述發光層重疊之第2區域。上述第1金屬柱與上述第2區域電性連接。上述第1金屬柱包含第1金屬層、及第2金屬層。上述第2金屬層之硬度較上述第1金屬層之硬度硬。上述第1金屬層設置於上述第2面與上述第2金屬層之至少一部分之間。上述第2金屬柱於第2方向上與上述第1金屬柱並排，並與上述第1區域電性連接，上述第2方向與自上述第1面朝向上述第2面之第1方向交叉。上述第2金屬柱包含第3金屬層、及第4金屬層。上述第4金屬層之硬度較上述第3金屬層之硬度硬。上述第3金屬層設置於上述第2面與上述第4金屬層之至少一部分之間。上述絕緣層設置於上述第1金屬柱與上述第2金屬柱之間。
简体摘要：根据本发明之实施形态，提供一种包含半导体部、第1金属柱、第2金属柱、及绝缘层之半导体发光设备。上述半导体部包含第1面、上述第1面之相反侧之第2面、及发光层。上述第2面包含与上述发光层重叠之第1区域、及不与上述发光层重叠之第2区域。上述第1金属柱与上述第2区域电性连接。上述第1金属柱包含第1金属层、及第2金属层。上述第2金属层之硬度较上述第1金属层之硬度硬。上述第1金属层设置于上述第2面与上述第2金属层之至少一部分之间。上述第2金属柱于第2方向上与上述第1金属柱并排，并与上述第1区域电性连接，上述第2方向与自上述第1面朝向上述第2面之第1方向交叉。上述第2金属柱包含第3金属层、及第4金属层。上述第4金属层之硬度较上述第3金属层之硬度硬。上述第3金属层设置于上述第2面与上述第4金属层之至少一部分之间。上述绝缘层设置于上述第1金属柱与上述第2金属柱之间。

28. 发明专利

TWI612688B 半導體發光裝置有权
简体标题：半导体发光设备
公开(公告)号：TWI612688B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104144308
申请日：2015-12-29
申请人：日商阿爾發得股份有限公司 , ALPAD CORPORATION
发明人：小幡進 , OBATA, SUSUMU , 小島章弘 , KOJIMA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066

29. 发明专利

TW201801299A 光電半導體裝置审中-公开
简体标题：光电半导体设备
公开(公告)号：TW201801299A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119178
申请日：2016-06-17
申请人：優顯科技股份有限公司 , ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳顯德 , CHEN, HSIEN TE
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/167 , G06K9/0004 , H01L25/0753 , H01L27/1214 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/173 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/505 , H01L33/62
摘要：本發明揭露一種光電半導體裝置。光電半導體裝置包括一磊晶基材以及多數個微尺寸光電半導體元件。該些微尺寸光電半導體元件間隔設置於磊晶基材的一表面，各該些微尺寸光電半導體元件的邊長分別介於1微米與100微米之間，且兩相鄰該些微尺寸光電半導體元件的最小間距為1微米。
简体摘要：本发明揭露一种光电半导体设备。光电半导体设备包括一磊晶基材以及多数个微尺寸光电半导体组件。该些微尺寸光电半导体组件间隔设置于磊晶基材的一表面，各该些微尺寸光电半导体组件的边长分别介于1微米与100微米之间，且两相邻该些微尺寸光电半导体组件的最小间距为1微米。

30. 发明专利

TWI601310B 奈米線發光二極體結構及其製造方法有权
简体标题：奈米线发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI601310B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW102138763
申请日：2013-10-25
申请人： GLO公司 , GLO AB
发明人：海納史考特布萊德 , HERNER, SCOTT BRAD
IPC分类号： H01L33/36 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L33/005 , H01L21/02063 , H01L21/02603 , H01L25/167 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/413 , H01L33/0004 , H01L33/0008 , H01L33/0012 , H01L33/0066 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2221/1094 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025

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