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21. 发明专利

TW201804632A 適於三維半導體元件的磊晶成長的成核結構审中-公开
简体标题：适于三维半导体组件的磊晶成长的成核结构
公开(公告)号：TW201804632A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106121662
申请日：2017-06-28
申请人：法國原子能源和替代能源委員會 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , 艾勒迪亞公司 , ALEDIA
发明人：安斯塔伯努瓦 , AMSTATT, BENOIT , 杜邦弗羅瑞恩 , DUPONT, FLORIAN , 赫納夫艾文 , HENAFF, EWEN , 赫維特貝赫哲赫 , HYOT, BERANGERE
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/26 , H01L21/283 , H01L27/15 , B81B7/00 , B82B1/00
CPC分类号： C30B29/60 , C30B23/025 , C30B23/04 , C30B25/04 , C30B25/183 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/24
摘要：本發明係關於一種適於三維半導體元件(31)的磊晶成長的成核結構(10)，包含一基板(11)、多個中間部(14)、多個成核部(16)；基板(11)包含形成一成長表面(13)的一單晶材料，由一中間材料製成的多個中間部(14)係從成長表面(13)磊晶而成，並定義一上中間表面(15)；以及多個成核部(16)由包含一過渡金屬的一材料製成，過渡金屬的材料由上中間表面(15)磊晶形成一成核材料，定義一成核表面(17)，並且適於三維半導體元件(31)的磊晶成長。
简体摘要：本发明系关于一种适于三维半导体组件(31)的磊晶成长的成核结构(10)，包含一基板(11)、多个中间部(14)、多个成核部(16)；基板(11)包含形成一成长表面(13)的一单晶材料，由一中间材料制成的多个中间部(14)系从成长表面(13)磊晶而成，并定义一上中间表面(15)；以及多个成核部(16)由包含一过渡金属的一材料制成，过渡金属的材料由上中间表面(15)磊晶形成一成核材料，定义一成核表面(17)，并且适于三维半导体组件(31)的磊晶成长。

22. 发明专利

TWI592526B 氮化鎵系結晶之成長方法及熱處理裝置有权
简体标题：氮化镓系结晶之成长方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI592526B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104102619
申请日：2015-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅澤好太 , UMEZAWA, KOTA , 渡邊要介 , WATANABE, YOSUKE
IPC分类号： C30B25/10 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02645 , C30B25/10 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658

23. 发明专利

TWI589017B 複合基板及功能元件有权
简体标题：复合基板及功能组件
公开(公告)号：TWI589017B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102141203
申请日：2013-11-13
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：坂井正宏 , SAKAI, MASAHIRO
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/183

24. 发明专利

TWI575602B 用於在矽基板上形成元件品質氮化鎵層的方法及裝置有权
简体标题：用于在硅基板上形成组件品质氮化镓层的方法及设备
公开(公告)号：TWI575602B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW103132646
申请日：2014-09-22
申请人：烏翠泰克股份有限公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：桑達蘭葛尼斯 , SUNDARAM, GANESH , 郝里拉克安德列M , HAWRYLUK, ANDREW M. , 史蒂恩斯丹尼爾 , STEARNS, DANIEL
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0251 , C23C16/303 , C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/46 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L29/2003

25. 发明专利

TW201638404A ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半導體晶體之製造方法，Ａ－Ｂ晶體之製造方法，及其單晶體审中-公开
简体标题：ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半导体晶体之制造方法，Ａ－Ｂ晶体之制造方法，及其单晶体
公开(公告)号：TW201638404A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105108366
申请日：2016-03-18
申请人：富瑞柏格化合材料公司 , FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人：威納特伯恩特 , WEINERT, BERNDT , 哈貝爾法蘭克 , HABEL, FRANK , 雷畢葛剛那 , LEIBIGER, GUNNAR
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/16 , C30B29/10 , C30B29/40 , C30B29/48 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406
摘要：本發明係關於Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之製造方法。製法開始時，提供基材，視情形具有一晶體層(緩衝層)。隨後，提供氣相，包括化合物半導體元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反應物，於晶體成長反應器內反應溫度時呈氣態，在選定反應器條件時可彼此反應。二反應物之濃度比可調節，使化合物半導體晶體可從氣相結晶，其中可選擇高濃度，供晶體形成，可添加或調節還原劑和共反應物，降低氣相內Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶體成長率比無共反應物時之狀態為低。於是，化合物半導體晶體澱積在基材表面，同時可在成長中晶體上形成液相。又，可添加輔助物質，亦可包含在液相內，但只有少量加入到化合物半導體晶體內。於此，3D-和2D-成長模態可以標定方式控制。添加輔助物質和液相存在，有利於此等手段。生成物分別為Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之單晶體，分別與習知化合物半導體晶體相較，其內含物或沉澱物之濃度較低，同時並無或只有很輕微曲率。
简体摘要：本发明系关于Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之制造方法。制法开始时，提供基材，视情形具有一晶体层(缓冲层)。随后，提供气相，包括化合物半导体元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反应物，于晶体成长反应器内反应温度时呈气态，在选定反应器条件时可彼此反应。二反应物之浓度比可调节，使化合物半导体晶体可从气相结晶，其中可选择高浓度，供晶体形成，可添加或调节还原剂和共反应物，降低气相内Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶体成长率比无共反应物时之状态为低。于是，化合物半导体晶体淀积在基材表面，同时可在成长中晶体上形成液相。又，可添加辅助物质，亦可包含在液相内，但只有少量加入到化合物半导体晶体内。于此，3D-和2D-成长模态可以标定方式控制。添加辅助物质和液相存在，有利于此等手段。生成物分别为Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之单晶体，分别与习知化合物半导体晶体相较，其内含物或沉淀物之浓度较低，同时并无或只有很轻微曲率。

26. 发明专利

TWI550144B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI550144B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104142583
申请日：2015-01-16
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA,TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO,YUUSUKE
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/20
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/16 , C30B29/403 , C30B29/406

27. 发明专利

TW201631635A 磊晶晶圓、半導體元件、磊晶晶圓的製造方法、以及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆、半导体组件、磊晶晶圆的制造方法、以及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201631635A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104137729
申请日：2015-11-16
申请人：三墾電氣股份有限公司 , SANKEN ELECTRIC CO., LTD. , 信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤憲 , SATO, KEN , 鹿內洋志 , SHIKAUCHI, HIROSHI , 後藤博一 , GOTO, HIROKAZU , 篠宮勝 , SHINOMIYA, MASARU , 土屋慶太郎 , TSUCHIYA, KEITARO , 萩本和德 , HAGIMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L29/778 , C30B25/183 , C30B25/22 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/7786
摘要：本發明提供一種磊晶晶圓，其特徵在於具有：矽系基板；第一緩衝層，其配置於矽系基板上，並具有第一多層結構緩衝區域與第一插入層，該第一多層結構緩衝區域是由AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層交互配置而成，該第一插入層是由比AlyGa1-yN層更厚的AlzGa1-zN層所構成，其中，x>y、x>z，並且，該第一緩衝層是由第一多層結構緩衝區域與第一插入層交互配置而成；第二緩衝層，其配置於第一緩衝層上，並具有第二多層結構緩衝區域與第二插入層，該第二多層結構緩衝區域是由AlαGa1-αN層與AlβGa1-βN層交互配置而成，該第二插入層是由比AlβGa1-βN層更厚的AlγGa1-γN層所構成，其中，α>β、α>γ，並且，該第二緩衝層是由第二多層結構緩衝區域與第二插入層交互配置而成；及，通道層，其配置於第二緩衝層上，且比第二插入層更厚；並且，第二緩衝層的平均Al組成比第一緩衝層的平均Al組成更高。藉此，提供一種磊晶晶圓，其能夠降低晶圓的翹曲並抑制發生內部龜裂。
简体摘要：本发明提供一种磊晶晶圆，其特征在于具有：硅系基板；第一缓冲层，其配置于硅系基板上，并具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，该第一多层结构缓冲区域是由AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交互配置而成，该第一插入层是由比AlyGa1-yN层更厚的AlzGa1-zN层所构成，其中，x>y、x>z，并且，该第一缓冲层是由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，其配置于第一缓冲层上，并具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，该第二多层结构缓冲区域是由AlαGa1-αN层与AlβGa1-βN层交互配置而成，该第二插入层是由比AlβGa1-βN层更厚的AlγGa1-γN层所构成，其中，α>β、α>γ，并且，该第二缓冲层是由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；及，信道层，其配置于第二缓冲层上，且比第二插入层更厚；并且，第二缓冲层的平均Al组成比第一缓冲层的平均Al组成更高。借此，提供一种磊晶晶圆，其能够降低晶圆的翘曲并抑制发生内部龟裂。

28. 发明专利

TWI538110B 製造發光裝置的方法有权
简体标题：制造发光设备的方法
公开(公告)号：TWI538110B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101149138
申请日：2006-09-26
申请人：飛利浦露明光學公司 , PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：可拉米斯麥可R , KRAMES, MICHAEL R. , 賈諾納坦F , GARDNER, NATHAN F. , 愛普勒約翰 , EPLER, JOHN
IPC分类号： H01L21/8258
CPC分类号： H01L21/76256 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/0079

29. 发明专利

TWI518747B 多層基板結構及其製造方法與系統有权
简体标题：多层基板结构及其制造方法与系统
公开(公告)号：TWI518747B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102121007
申请日：2013-06-14
申请人：帝弗拉股份有限公司 , TIVRA CORPORATION
发明人：德印德拉尼爾 , DE, INDRANIL , 馬卡丘弗朗西斯科 , MACHUCA, FRANCISCO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B1/02 , C30B23/005 , C30B23/025 , C30B25/165 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B29/52

30. 发明专利

TW201519469A 半導體積層構造體及半導體元件审中-公开
简体标题：半导体积层构造体及半导体组件
公开(公告)号：TW201519469A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103123817
申请日：2014-07-10
申请人：田村製作所股份有限公司 , TAMURA CORPORATION , 光波股份有限公司 , KOHA CO., LTD.
发明人：佐藤慎九郎 , SATO, SHINKURO , 森島嘉克 , MORISHIMA, YOSHIKATSU
IPC分类号： H01L33/26
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/183 , C30B25/186 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要：本發明的問題在於提供一種半導體積層構造體及包含此半導體積層構造體之半導體元件，該半導體積層構造體具有Ga2O3基板與氮化物半導體層，該氮化物半導體層從Ga2O3基板剝離的可能性低且結晶品質高。為了解決上述問題，本發明在一實施型態中，提供一種半導體積層構造體1，具有：β-Ga2O3基板2，作為該β-Ga2O3基板2的主面，是將(-201)面作為基準而朝向[102]方向以呈-0.4度以上且0.2度以下的偏移角度θs來傾斜的面；緩衝層3，其由GaN結晶所構成，該GaN結晶是藉由磊晶成長而形成於β-Ga2O3基板2的主面2a上；及，氮化物半導體層4，其由AlxGayInzN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，x+y+z=1)結晶所構成，該AlxGayInzN結晶是藉由磊晶成長隔著緩衝層3而形成於β-Ga2O3基板2的主面2a上。
简体摘要：本发明的问题在于提供一种半导体积层构造体及包含此半导体积层构造体之半导体组件，该半导体积层构造体具有Ga2O3基板与氮化物半导体层，该氮化物半导体层从Ga2O3基板剥离的可能性低且结晶品质高。为了解决上述问题，本发明在一实施型态中，提供一种半导体积层构造体1，具有：β-Ga2O3基板2，作为该β-Ga2O3基板2的主面，是将(-201)面作为基准而朝向[102]方向以呈-0.4度以上且0.2度以下的偏移角度θs来倾斜的面；缓冲层3，其由GaN结晶所构成，该GaN结晶是借由磊晶成长而形成于β-Ga2O3基板2的主面2a上；及，氮化物半导体层4，其由AlxGayInzN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，x+y+z=1)结晶所构成，该AlxGayInzN结晶是借由磊晶成长隔着缓冲层3而形成于β-Ga2O3基板2的主面2a上。

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