基本信息:
- 专利标题： 氮化鎵系結晶之成長方法及熱處理裝置
- 专利标题（英）：Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus
- 专利标题（中）：氮化镓系结晶之成长方法及热处理设备
- 申请号：TW104102619 申请日：2015-01-27
- 公开(公告)号：TWI592526B 公开(公告)日：2017-07-21
- 发明人： 梅澤好太 , UMEZAWA, KOTA , 渡邊要介 , WATANABE, YOSUKE
- 申请人： 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
- 专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 当前专利权人： 東京威力科創股份有限公司,TOKYO ELECTRON LIMITED
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 2014-016790 20140131
- 主分类号： C30B25/10
- IPC分类号： C30B25/10 ; H01L21/02
公开/授权文献:
- TW201542892A 氮化鎵系結晶之成長方法及熱處理裝置 公开/授权日：2015-11-16