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1. 发明专利

TWI567227B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI567227B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW102108668
申请日：2013-03-12
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/4585 , C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/14

2. 发明专利

TW201614112A 氣相成長裝置审中-公开
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TW201614112A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104142583
申请日：2015-01-16
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA,TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO,YUUSUKE
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/20
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/16 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要：本發明的實施方式的氣相成長方法使用具備反應室、搬送室、及待機室的氣相成長裝置。於在第1基板上形成含有鎵（Ga）的膜之後，藉由被覆膜對附著於支持部的附著物進行被覆，或者去除附著於支持部的附著物。其後，連續地對表面為矽（Si）的多個基板形成氮化鋁膜，將多個基板搬入至待機室。其後，將多個基板依序自待機室搬入至反應室，連續地形成含有鎵（Ga）的膜。
简体摘要：本发明的实施方式的气相成长方法使用具备反应室、搬送室、及待机室的气相成长设备。于在第1基板上形成含有镓（Ga）的膜之后，借由被覆膜对附着于支持部的附着物进行被覆，或者去除附着于支持部的附着物。其后，连续地对表面为硅（Si）的多个基板形成氮化铝膜，将多个基板搬入至待机室。其后，将多个基板依序自待机室搬入至反应室，连续地形成含有镓（Ga）的膜。

3. 发明专利

TW201339358A 成膜裝置及成膜方法失效
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201339358A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101139774
申请日：2012-10-26
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/0236 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要：本發明提供一種成膜裝置及成膜方法，於基板上將氣相磊晶膜成膜之成膜裝置1具備：反應室2、排氣機構3、及連接其等之配管4。於配管4之中途配置：非活性氣體供給管11，對內部供給非活性氣體15；以及捕集部5’，與排出反應生成物14之排出管16相連接。成膜時，於反應室2內配置基板，自反應氣體供給管8供給反應氣體7以於基板上施行成膜。捕集部5’收集排氣氣體6中之反應生成物14。成膜後，自非活性氣體供給管11將非活性氣體15供給往捕集部5’，將貯留之反應生成物14自排出管16壓送至無害化裝置20。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备及成膜方法，于基板上将气相磊晶膜成膜之成膜设备1具备：反应室2、排气机构3、及连接其等之配管4。于配管4之中途配置：非活性气体供给管11，对内部供给非活性气体15；以及捕集部5’，与排出反应生成物14之排出管16相连接。成膜时，于反应室2内配置基板，自反应气体供给管8供给反应气体7以于基板上施行成膜。捕集部5’收集排气气体6中之反应生成物14。成膜后，自非活性气体供给管11将非活性气体15供给往捕集部5’，将贮留之反应生成物14自排出管16压送至无害化设备20。

4. 发明专利

TWI634231B 噴灑頭、氣相成長裝置以及氣相成長方法有权
简体标题：喷洒头、气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TWI634231B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106112109
申请日：2017-04-12
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205

5. 发明专利

TWI574306B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI574306B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103117491
申请日：2014-05-19
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/0254

6. 发明专利

TWI550144B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI550144B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104142583
申请日：2015-01-16
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA,TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO,YUUSUKE
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/20
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/16 , C30B29/403 , C30B29/406

7. 发明专利

TWI456085B 成膜裝置及成膜方法失效
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI456085B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101139774
申请日：2012-10-26
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/0236 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605

8. 发明专利

TWI521085B 氣相成長方法有权
简体标题：气相成长方法
公开(公告)号：TWI521085B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW104101397
申请日：2015-01-16
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/16 , C30B29/403 , C30B29/406

9. 发明专利

TW201542891A 氣相成長方法以及氣相成長裝置审中-公开
简体标题：气相成长方法以及气相成长设备
公开(公告)号：TW201542891A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104114520
申请日：2015-05-07
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 早野貴憲 , HAYANO, TAKANORI , 飯島達彦 , IIJIMA, TATSUHIKO , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C30B25/00
CPC分类号： H01L21/67248 , C23C16/303 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L22/10 , H01L22/26 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/12
摘要：本發明是一種氣相成長方法以及氣相成長裝置。其中氣相成長方法包括一面利用加熱單元對基板進行加熱一面向基板供給原料氣體，從而於基板上使膜成長，所述氣相成長方法中，利用放射溫度計測定基板的溫度，當於基板上未使膜成長時，進行溫度反饋控制，即，以使放射溫度計的測定值達到規定值的方式控制加熱單元的輸出，且於基板上使在放射溫度計的測定波長下產生薄膜干涉的膜成長時，進行固定地維持加熱單元的輸出的輸出固定控制。
简体摘要：本发明是一种气相成长方法以及气相成长设备。其中气相成长方法包括一面利用加热单元对基板进行加热一面向基板供给原料气体，从而于基板上使膜成长，所述气相成长方法中，利用放射温度计测定基板的温度，当于基板上未使膜成长时，进行温度反馈控制，即，以使放射温度计的测定值达到规定值的方式控制加热单元的输出，且于基板上使在放射温度计的测定波长下产生薄膜干涉的膜成长时，进行固定地维持加热单元的输出的输出固定控制。

10. 发明专利

TW201510271A 氣相成長裝置以及氣相成長方法审中-公开
简体标题：气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TW201510271A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103118338
申请日：2014-05-27
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：山田拓未 , YAMADA, TAKUMI , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45504 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B25/165
摘要：實施形態的氣相成長裝置包括：反應室；噴淋板，配置於反應室的上部，對反應室內供給氣體；支撐部，設置於反應室內的噴淋板下方，且可載置基板；製程氣體供給路徑，供給製程氣體；以及沖洗氣體供給路徑，供給選自氫氣及惰性氣體中的第1沖洗氣體與第2沖洗氣體的混合氣體。而且，在噴淋板的內側區域設置製程氣體噴出孔，在噴淋板的外側區域設置沖洗氣體噴出孔。並且，製程氣體供給路徑與製程氣體噴出孔連接，沖洗氣體供給路徑與沖洗氣體噴出孔連接。
简体摘要：实施形态的气相成长设备包括：反应室；喷淋板，配置于反应室的上部，对反应室内供给气体；支撑部，设置于反应室内的喷淋板下方，且可载置基板；制程气体供给路径，供给制程气体；以及冲洗气体供给路径，供给选自氢气及惰性气体中的第1冲洗气体与第2冲洗气体的混合气体。而且，在喷淋板的内侧区域设置制程气体喷出孔，在喷淋板的外侧区域设置冲洗气体喷出孔。并且，制程气体供给路径与制程气体喷出孔连接，冲洗气体供给路径与冲洗气体喷出孔连接。

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