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21. 发明专利

TW405182B 薄膜形成裝置之清潔加工處理方法失效
简体标题：薄膜形成设备之清洁加工处理方法
公开(公告)号：TW405182B
公开(公告)日：2000-09-11
申请号：TW087109650
申请日：1998-06-17
申请人：東京威力科創有限公司
发明人：波多野達夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/08 , C23C16/4405 , Y10S438/905
摘要：本文所透露者係一種清潔加工處理方法，其中待加工物係安裝在化學汽相澱積裝置之一處理室內之感受器上， TiC14氣體、H2氣體，以及氬氣係經引進，一鈦薄膜係形成在一電漿產生之區域內之待加工物之表面上，此待加工物係被運送出處理室外，H2及Ar氣體之供應係自此後停止而不再產生電漿，以及TiCl4氣體係藉一載運氣體之方法而引進，以移出不需要之鈦薄膜之附著於薄膜形成裝置之內面者。
简体摘要：本文所透露者系一种清洁加工处理方法，其中待加工物系安装在化学汽相淀积设备之一处理室内之感受器上， TiC14气体、H2气体，以及氩气系经引进，一钛薄膜系形成在一等离子产生之区域内之待加工物之表面上，此待加工物系被运送出处理室外，H2及Ar气体之供应系自此后停止而不再产生等离子，以及TiCl4气体系藉一载运气体之方法而引进，以移出不需要之钛薄膜之附着于薄膜形成设备之内面者。

22. 发明专利

TW201715070A 作為用於藉由氣相沉積進行的元素膜成長之強還原前驅物的六員環二烯审中-公开
简体标题：作为用于借由气相沉积进行的元素膜成长之强还原前驱物的六员环二烯
公开(公告)号：TW201715070A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105124420
申请日：2016-08-02
申请人：韋恩州立大學 , WAYNE STATE UNIVERSITY
发明人：溫特查爾斯 H. , WINTER, CHARLES H.
IPC分类号： C23C16/18 , C07F7/08 , C07C13/23 , C07F7/10 , C07D211/82
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/08 , C23C16/45534 , C23C16/45553
摘要：一種用於將原子還原成其較低氧化態之方法包括以下步驟：提供具有處於氧化狀態下之原子的第一化合物之蒸氣。提供還原劑之蒸氣。還原劑選自由以下組成之群：由式I、式II及式III描述之化合物：其中R1、R2、R3、R4各自獨立地為H、C1-10烷基、C6-14芳基或C4-14雜芳基。使該第一化合物之蒸氣與該還原劑之蒸氣反應以形成其原子相對於該第一化合物處於還原狀態下的第二化合物。
简体摘要：一种用于将原子还原成其较低氧化态之方法包括以下步骤：提供具有处于氧化状态下之原子的第一化合物之蒸气。提供还原剂之蒸气。还原剂选自由以下组成之群：由式I、式II及式III描述之化合物：其中R1、R2、R3、R4各自独立地为H、C1-10烷基、C6-14芳基或C4-14杂芳基。使该第一化合物之蒸气与该还原剂之蒸气反应以形成其原子相对于该第一化合物处于还原状态下的第二化合物。

23. 发明专利

TW201701336A 鎢膜之成膜方法审中-公开
简体标题：钨膜之成膜方法
公开(公告)号：TW201701336A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105108664
申请日：2016-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木健二 , SUZUKI, KENJI , 前川浩治 , MAEKAWA, KOJI , 堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/08 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/045 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/46 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76883
摘要：即便元件的微細化或複雜化，亦可藉由使用作為原料氣體之氯化鎢氣體的ALD法，以良好的埋入性形成具有良好密合性的鎢膜。具有：主鎢膜成膜工程，挾持腔室內的沖洗，將氯化鎢氣體及還原氣體依序供給至腔室內，從而形成主鎢膜；及初期鎢膜成膜工程，在主鎢膜成膜工程之前，使氯化鎢氣體之供給量比主鎢膜成膜工程更減少，挾持沖洗氣體的供給，將氯化鎢氣體及還原氣體依序供給至腔室內或將氯化鎢氣體及還原氣體同時供給至腔室內，從而在基底膜上形成初期鎢膜。
简体摘要：即便组件的微细化或复杂化，亦可借由使用作为原料气体之氯化钨气体的ALD法，以良好的埋入性形成具有良好密合性的钨膜。具有：主钨膜成膜工程，挟持腔室内的冲洗，将氯化钨气体及还原气体依序供给至腔室内，从而形成主钨膜；及初期钨膜成膜工程，在主钨膜成膜工程之前，使氯化钨气体之供给量比主钨膜成膜工程更减少，挟持冲洗气体的供给，将氯化钨气体及还原气体依序供给至腔室内或将氯化钨气体及还原气体同时供给至腔室内，从而在基底膜上形成初期钨膜。

24. 发明专利

TW201641430A 高純度六氯化鎢及其製造方法审中-公开
简体标题：高纯度六氯化钨及其制造方法
公开(公告)号：TW201641430A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105111936
申请日：2016-04-15
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：伍笑晞 , WU, XIAOXI , 伊瓦諾夫塞基烏拉底米諾維奇 , IVANOV, SERGEI VLADIMIROVICH
IPC分类号： C01G41/04 , C23C16/14 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/455 , B01D1/14 , B01D3/14 , B01D3/322 , B01D3/346 , B01D7/02 , C01G41/04 , C23C16/08 , C23C16/4402
摘要：可凝性金屬鹵化物材料，例如但不限於氯化鎢(WCl6)，能依照化學沉積(CVD)或原子層沉積製程用於沉積金屬膜或含金屬膜。本文所述的是包含可凝性材料的高純度組合物及將可凝性材料純化的方法。在一態樣中，提供一種組合物，其包含：實質上不含至少一雜質的六氯化鎢而且其中該六氯化鎢藉由X-射線繞射測量時包含至少90重量%，較佳地95重量%而且更佳地99重量%或更多的β-WCl6及5重量%或更少的α-WCl6。
简体摘要：可凝性金属卤化物材料，例如但不限于氯化钨(WCl6)，能依照化学沉积(CVD)或原子层沉积制程用于沉积金属膜或含金属膜。本文所述的是包含可凝性材料的高纯度组合物及将可凝性材料纯化的方法。在一态样中，提供一种组合物，其包含：实质上不含至少一杂质的六氯化钨而且其中该六氯化钨借由X-射线绕射测量时包含至少90重量%，较佳地95重量%而且更佳地99重量%或更多的β-WCl6及5重量%或更少的α-WCl6。

25. 发明专利

TWI554635B 形成導電性氧化膜的方法、導電性氧化膜及其用途有权
简体标题：形成导电性氧化膜的方法、导电性氧化膜及其用途
公开(公告)号：TWI554635B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW099137883
申请日：2010-11-04
申请人：貝尼克公司 , BENEQ OY
发明人：摩拉嘉爾磨 , MAULA, JARMO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01B1/08 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C28/00 , C23C28/04 , C23C30/00

26. 发明专利

TWI520177B 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TWI520177B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW100132592
申请日：2011-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：淺井優幸 , ASAI, MASAYUKI , 本田剛一 , HONDA, KOICHI , 梅本衛 , UMEMOTO, MAMORU , 奧田和幸 , OKUDA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053

27. 发明专利

TW201545990A 氯化銅、ＣＶＤ原料、銅配線膜及氯化銅之製造方法审中-公开
简体标题：氯化铜、ＣＶＤ原料、铜配线膜及氯化铜之制造方法
公开(公告)号：TW201545990A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104112204
申请日：2015-04-16
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：加納学 , KANOU, GAKU , 大森辰弥 , OMORI, TATSUYA
IPC分类号： C01G3/05 , C23C16/14 , C25D11/34
CPC分类号： C25B1/26 , C01G3/05 , C01P2006/80 , C23C16/08 , C25B9/10 , C25B13/02 , H01L21/285 , H01L21/28556
摘要：本發明提供一種可提供雜質較少之高純度之有機金屬錯合物之氯化銅、CVD原料、銅配線膜及氯化銅之製造方法。本發明係一種純度為6N以上且Ag之含量為0.5wtppm以下之氯化銅。
简体摘要：本发明提供一种可提供杂质较少之高纯度之有机金属错合物之氯化铜、CVD原料、铜配线膜及氯化铜之制造方法。本发明系一种纯度为6N以上且Ag之含量为0.5wtppm以下之氯化铜。

28. 发明专利

TWI495612B 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法有权
简体标题：一维钛金属奈米结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI495612B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW102100224
申请日：2013-01-04
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳澤龍 , CHEN, TZE LUNG , 裘性天 , CHIU, HSIN TIEN , 李紫原 , LEE, CHI YOUNG
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C30B29/02 , B22F1/0025 , B22F9/30 , B22F2201/40 , C23C16/08 , C23C16/46 , C30B25/005 , C30B25/16 , C30B29/60 , C30B29/602

29. 发明专利

TW201523733A 遮罩結構體之形成方法、成膜裝置及非暫時性記錄媒體审中-公开
简体标题：遮罩结构体之形成方法、成膜设备及非暂时性记录媒体
公开(公告)号：TW201523733A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103138099
申请日：2014-11-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡邊將久 , WATANABE, MASAHISA , 窪田洋士 , KUBOTA, HIROSHI , 千葉和章 , CHIBA, KAZUAKI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/08 , C23C16/24 , H01L21/31144
摘要：本發明旨在提供一種遮罩結構體之形成方法、成膜裝置及非暫時性記錄媒體。其中，該遮罩結構體之形成方法，用來在含有矽與氧之絕緣膜上進行蝕刻，其特徵在於包含下列程序：在形成於基板之該絕緣膜上沉積第1矽膜；於該第1矽膜之表層形成反應阻止層；在該反應阻止層上形成第2矽膜；及對該第2矽膜供給含有鎢的化合物之處理氣體，將該第2矽膜之矽取代為鎢，而形成鎢膜。
简体摘要：本发明旨在提供一种遮罩结构体之形成方法、成膜设备及非暂时性记录媒体。其中，该遮罩结构体之形成方法，用来在含有硅与氧之绝缘膜上进行蚀刻，其特征在于包含下列进程：在形成于基板之该绝缘膜上沉积第1硅膜；于该第1硅膜之表层形成反应阻止层；在该反应阻止层上形成第2硅膜；及对该第2硅膜供给含有钨的化合物之处理气体，将该第2硅膜之硅取代为钨，而形成钨膜。

30. 发明专利

TW201428825A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及電腦可讀取的記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及电脑可读取的记录媒体
公开(公告)号：TW201428825A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW103109850
申请日：2011-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：淺井優幸 , ASAI, MASAYUKI , 本田剛一 , HONDA, KOICHI , 梅本衛 , UMEMOTO, MAMORU , 奧田和幸 , OKUDA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/08 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02175 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/0337 , H01L21/32051 , H01L21/32053
摘要：基板處理裝置具有：處理室，其對基板進行處理；複數個緩衝室，其係與處理室作區隔，且分別具有朝處理室開口之供氣口；第一處理氣體供給系，其朝處理室內供給第一處理氣體；第二處理氣體供給系，其可分別朝複數個緩衝室內供給第二處理氣體；電源，其輸出高頻電力；電漿產生用電極，其藉由利用電源施加高頻電力，在複數個緩衝室之各室的內部使第二處理氣體活化；加熱系，其對基板進行加熱；及控制手段，其以將表面形成有金屬膜之基板曝露於第一處理氣體、及藉由對電極施加高頻電力而在複數個緩衝室內部被活化且自複數個緩衝室被供給至處理室之第二處理氣體，一面將基板加熱為第一處理氣體之自行分解溫度以下一面於金屬膜上形成膜的方式，控制第一處理氣體供給系、電源、第二處理氣體供給系及加熱系。
简体摘要：基板处理设备具有：处理室，其对基板进行处理；复数个缓冲室，其系与处理室作区隔，且分别具有朝处理室开口之供气口；第一处理气体供给系，其朝处理室内供给第一处理气体；第二处理气体供给系，其可分别朝复数个缓冲室内供给第二处理气体；电源，其输出高频电力；等离子产生用电极，其借由利用电源施加高频电力，在复数个缓冲室之各室的内部使第二处理气体活化；加热系，其对基板进行加热；及控制手段，其以将表面形成有金属膜之基板曝露于第一处理气体、及借由对电极施加高频电力而在复数个缓冲室内部被活化且自复数个缓冲室被供给至处理室之第二处理气体，一面将基板加热为第一处理气体之自行分解温度以下一面于金属膜上形成膜的方式，控制第一处理气体供给系、电源、第二处理气体供给系及加热系。

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