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11. 发明专利

TWI399780B 包含場發射陰極之Ｘ射線源有权
简体标题：包含场发射阴极之Ｘ射线源
公开(公告)号：TWI399780B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW099104815
申请日：2010-02-12
申请人：光學實驗室公司 , LIGHTLAB SWEDEN AB
发明人：胡魁鴻 , HU, QIU-HONG
IPC分类号： H01J35/06 , H01J35/14 , G01N23/083
CPC分类号： H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/062 , H01J2235/068

12. 发明专利

TW202011046A 輻射探測器审中-公开
简体标题：辐射探测器
公开(公告)号：TW202011046A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108128737
申请日：2019-08-13
申请人：大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司 , SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 劉雨潤 , LIU, YURUN
IPC分类号： G01T1/10 , G01N23/083 , G06T7/00 , G06K9/20
摘要：本發明公開了一種探測器，包括：包括第一子像素和第二子像素的像素，其中第一子像素被配置為在曝光於輻射時產生第一電信號，並且其中第二子像素被配置為在曝光於輻射時產生第二電信號；其中所述探測器被配置為在第一時間週期內基於第一電信號來確定入射在第一子像素上的輻射的粒子數量；其中所述探測器被配置為通過在第二時間週期內積分第二電信號來確定輻射的強度。
简体摘要：本发明公开了一种探测器，包括：包括第一子像素和第二子像素的像素，其中第一子像素被配置为在曝光于辐射时产生第一电信号，并且其中第二子像素被配置为在曝光于辐射时产生第二电信号；其中所述探测器被配置为在第一时间周期内基于第一电信号来确定入射在第一子像素上的辐射的粒子数量；其中所述探测器被配置为通过在第二时间周期内积分第二电信号来确定辐射的强度。

13. 发明专利

TW201827813A 能識別和管理電荷共享的X射線檢測器审中-公开
简体标题：能识别和管理电荷共享的X射线检测器
公开(公告)号：TW201827813A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107100840
申请日：2018-01-10
申请人：中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司 , SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：曹培炎 , CAO, PEIYAN , 劉雨潤 , LIU, YURUN
IPC分类号： G01N23/083 , G01S1/16
摘要：公開適於檢測X射線的儀器。在一個例子中，所述儀器包括X射線吸收層和控制器。X射線吸收層包括第一圖元和第二圖元。所述控制器被配置為確定由第一X射線光子產生的載流子被第一圖元和第二圖元收集，並復位與所述第一圖元和所述第二圖元所收集的載流子相關聯的信號。
简体摘要：公开适于检测X射线的仪器。在一个例子中，所述仪器包括X射线吸收层和控制器。X射线吸收层包括第一图元和第二图元。所述控制器被配置为确定由第一X射线光子产生的载流子被第一图元和第二图元收集，并复位与所述第一图元和所述第二图元所收集的载流子相关联的信号。

14. 发明专利

TW201807407A Ｘ射線檢查裝置、Ｘ射線薄膜檢查方法及搖擺曲線測定方法审中-公开
简体标题：Ｘ射线检查设备、Ｘ射线薄膜检查方法及摇摆曲线测定方法
公开(公告)号：TW201807407A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106123663
申请日：2017-07-14
申请人：理學股份有限公司 , RIGAKU CORPORATION
发明人：尾形潔 , OGATA, KIYOSHI , 表和彥 , OMOTE, KAZUHIKO , 吉原正 , YOSHIHARA, SEI , 伊藤義泰 , ITO, YOSHIYASU , 本野寬 , MOTONO, HIROSHI , 高橋秀明 , TAKAHASHI, HIDEAKI , 杵渕隆男 , KINEFUCHI, TAKAO , 樋口明房 , HIGUCHI, AKIFUSA , 梅垣志朗 , UMEGAKI, SHIRO , 淺野繁松 , ASANO, SHIGEMATSU , 山口僚太郎 , YAMAGUCHI, RYOTARO , 洞田克隆 , HORADA, KATSUTAKA , 神戶亮 , KAMBE, MAKOTO , 姜立財 , JIANG, LICAI , 韋爾曼鮑里斯 , VERMAN, BORIS
IPC分类号： G01N23/083 , G01N23/04 , G01N23/201
CPC分类号： G01N23/207 , G21K1/06 , G21K5/02
摘要：本發明之X射線檢查裝置中，X射線照射單元40，包含將特性X射線朝縱向聚光之第1X射線光學元件42、及將特性X射線朝橫向聚光之第2X射線光學元件43。第1X射線光學元件42，係由具有高結晶性之結晶材料構成。此外，第2X射線光學元件43，係由多層膜鏡構成。
简体摘要：本发明之X射线检查设备中，X射线照射单元40，包含将特性X射线朝纵向聚光之第1X射线光学组件42、及将特性X射线朝横向聚光之第2X射线光学组件43。第1X射线光学组件42，系由具有高结晶性之结晶材料构成。此外，第2X射线光学组件43，系由多层膜镜构成。

15. 发明专利

TWI561812B 檢驗物體之放射線影像系統及檢驗物體之放射線影像系統的控制方法有权
简体标题：检验物体之放射线影像系统及检验物体之放射线影像系统的控制方法
公开(公告)号：TWI561812B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103140445
申请日：2014-11-21
申请人：德律科技股份有限公司 , TEST RESEARCH, INC.
发明人：鄭宇哲 , CHENG, YUCHE , 巖家和 , YEN, CHIAHO , 陳世亮 , CHEN, SHIHLIANG , 邱志彬 , CHIU, CHIHPIN
IPC分类号： G01N23/083 , G01N23/02
CPC分类号： G01N23/083 , G01T7/10

16. 发明专利

TW201910758A 螢光Ｘ線分析之測定方法及螢光Ｘ線分析之測定裝置审中-公开
简体标题：萤光Ｘ线分析之测定方法及萤光Ｘ线分析之测定设备
公开(公告)号：TW201910758A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124617
申请日：2018-07-17
申请人：日商上村工業股份有限公司 , C. UYEMURA & CO., LTD.
发明人：石丸次 , ISHIMARU, SHINJI
IPC分类号： G01N23/083 , G01N21/3577
摘要：本發明的目的在於提供可以精度佳地測定於含有複數添加劑與金屬的被測定液所包含的各種金屬濃度的測定方法及測定裝置。　　一種螢光X線分析之測定方法，係根據螢光X線強度測定值來測定於含有1種以上的添加劑與金屬的被測定液所包含的測定對象金屬之各種金屬濃度的測定方法，其特徵為具有：決定測定對象金屬的校準線的多項式近似式之校準線多項式決定工序(S11)、對測定對象金屬之螢光X線強度測定值，決定補正含有添加劑所導致的測定值誤差之用的多項式近似式之液種補正多項式決定工序(S12)、對測定對象金屬之螢光X線強度測定值，決定補正被測定液的比重不同導致的測定值誤差之用的多項式近似式的比重補正多項式決定工序(S13)、使用藉由校準線多項式決定工序、液種補正多項式決定工序及比重補正多項式決定工序所決定的多項式近似式來測定測定對象金屬的各種金屬濃度之金屬濃度測定工序(S14)。
简体摘要：本发明的目的在于提供可以精度佳地测定于含有复数添加剂与金属的被测定液所包含的各种金属浓度的测定方法及测定设备。　　一种萤光X线分析之测定方法，系根据萤光X线强度测定值来测定于含有1种以上的添加剂与金属的被测定液所包含的测定对象金属之各种金属浓度的测定方法，其特征为具有：决定测定对象金属的校准线的多项式近似式之校准线多项式决定工序(S11)、对测定对象金属之萤光X线强度测定值，决定补正含有添加剂所导致的测定值误差之用的多项式近似式之液种补正多项式决定工序(S12)、对测定对象金属之萤光X线强度测定值，决定补正被测定液的比重不同导致的测定值误差之用的多项式近似式的比重补正多项式决定工序(S13)、使用借由校准线多项式决定工序、液种补正多项式决定工序及比重补正多项式决定工序所决定的多项式近似式来测定测定对象金属的各种金属浓度之金属浓度测定工序(S14)。

17. 发明专利

TW201818067A 分析設備审中-公开
简体标题：分析设备
公开(公告)号：TW201818067A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135837
申请日：2016-11-04
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：林彥良 , LIN, YEN-LIANG , 王盛翰 , WANG, SHENG-HANN , 葉育姍 , YEH, YU-SHAN , 何信佳 , HO, HSIN-CHIA , 傅尉恩 , FU, WEI-EN
IPC分类号： G01N23/12 , G01N23/083
摘要：一種分析設備，包括一可動式載台、一樣品提供裝置及一第一分析裝置。可動式載台具有至少一樣品承載區，且適於移動樣品承載區於至少一收集位置及一分析位置。樣品提供裝置適於提供複數樣品，其中樣品承載區適於在收集位置接收至少部分這些樣品。第一分析裝置可對位於分析位置，且適於分析位於分析位置的樣品承載區上的這些樣品。
简体摘要：一种分析设备，包括一可动式载台、一样品提供设备及一第一分析设备。可动式载台具有至少一样品承载区，且适于移动样品承载区于至少一收集位置及一分析位置。样品提供设备适于提供复数样品，其中样品承载区适于在收集位置接收至少部分这些样品。第一分析设备可对位于分析位置，且适于分析位于分析位置的样品承载区上的这些样品。

18. 发明专利

TW201809321A 塗敷金屬板及其製造方法审中-公开
简体标题：涂敷金属板及其制造方法
公开(公告)号：TW201809321A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106125741
申请日：2017-07-31
申请人：日新製鋼股份有限公司 , NISSHIN STEEL CO., LTD.
发明人：佐藤正樹 , SATOU, MASAKI , 鈴木成壽 , SUZUKI, SEIJU , 平工大 , HIRAKU, MASARU , 杉田修一 , SUGITA, SHUICHI
IPC分类号： C23C4/12 , G01N23/083
摘要：目的在於提供一種表面難以形成雨水污痕之塗敷金屬板之製造方法。一種塗敷金屬板之製造方法，包括：在金屬板之表面形成塗膜之步驟，根據JIS B0601：2013計算出之塗膜之算術平均粗糙度Ra為0.3‐3μm，且通過X射線電子光譜分析法測量之塗膜表面之Si原子濃度小於1.0atm%，X射線電子光譜分析法把AlKα射線用作X射線源；以及對該塗膜進行30‐1000kJ/m2之火焰處理之步驟。
简体摘要：目的在于提供一种表面难以形成雨水污痕之涂敷金属板之制造方法。一种涂敷金属板之制造方法，包括：在金属板之表面形成涂膜之步骤，根据JIS B0601：2013计算出之涂膜之算术平均粗糙度Ra为0.3‐3μm，且通过X射线电子光谱分析法测量之涂膜表面之Si原子浓度小于1.0atm%，X射线电子光谱分析法把AlKα射线用作X射线源；以及对该涂膜进行30‐1000kJ/m2之火焰处理之步骤。

19. 发明专利

TW201732279A 用於X光散射術之方法及設備审中-公开
简体标题：用于X光散射术之方法及设备
公开(公告)号：TW201732279A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106100864
申请日：2017-01-11
申请人：以色列布魯克JV有限公司 , BRUKER JV ISRAEL LTD.
发明人：卡莫艾力克斯 , KROKHMAL, ALEX , 迪可波謝夫艾力克斯 , DIKOPOLTSEV, ALEX , 文史丁朱利 , VINSHTEIN, JURI
IPC分类号： G01N23/201 , G01N23/20 , G01N23/083
CPC分类号： G01N23/201 , G01B2210/56 , G01N2223/051 , G01N2223/6116 , H01L22/12
摘要：一種用於X光散射術之方法，其包含接收自一樣本散射之一X光光束之一第一分佈。該第一分佈展現相對於一參考軸之不對稱性。將一校正應用至該第一分佈，以產生其中該不對稱性之一位準相對於該第一分佈減小之一第二分佈。基於該第二分佈估計該樣本之一或多個參數。
简体摘要：一种用于X光散射术之方法，其包含接收自一样本散射之一X光光束之一第一分布。该第一分布展现相对于一参考轴之不对称性。将一校正应用至该第一分布，以产生其中该不对称性之一位准相对于该第一分布减小之一第二分布。基于该第二分布估计该样本之一或多个参数。

20. 发明专利

TWI437227B 用於分析一樣本之裝置及方法有权
简体标题：用于分析一样本之设备及方法
公开(公告)号：TWI437227B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW096130226
申请日：2007-08-15
申请人：喬丹菲利半導體有限公司 , JORDAN VALLEY SEMICONDUCTORS LTD.
发明人：艾薩克馬瑟 , MAZOR, ISAAC , 大衛柏曼 , BERMAN, DAVID
IPC分类号： G01N23/083 , H05G1/30
CPC分类号： G01N23/20

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