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    • 5. 发明专利
    • 密度不均勻試料解析方法及裝置,以及系統
    • 密度不均匀试料解析方法及设备,以及系统
    • TW562922B
    • 2003-11-21
    • TW091113458
    • 2002-06-20
    • 理學電機股份有限公司
    • 表和彥
    • G01N
    • G01N23/20G01N23/201G01N23/203
    • 本發明係提供新穎的密度不均勻試料解析方法及裝置、以及系統,乃藉由在包含有:依照表示粒狀物分布狀態的擬合參數,利用採用表示X線散亂曲線的散亂函數,利用與實測X線散亂曲線之測量條件相同的條件,而計算出模擬X線散亂曲線的步驟;以及一邊改變擬合參數,一邊執行模擬X線散亂曲線與實測X線散亂曲線之擬合的步驟;且藉由將模擬X線散亂曲線與實測X線散亂曲線為一致時的擬合參數值,設定為密度不均勻試料內的粒狀物分布狀態,而解析密度不均勻試料內之粒狀物分布狀態的密度不均勻試料解析方法中,實測X線散亂曲線為共平面繞射測量的共平面X線散亂曲線,並執行此共平面X線散亂曲線與模擬X線散亂曲線間的擬合,將模擬X線散亂曲線與共平面X線散亂曲線一致時的擬合參數值,設定為密度不均勻試料內之粒狀物面內方向的分布狀態。藉此便可簡單且正確的解析具非等向性之密度不均勻試料內的粒狀物之面丙方向的分布狀態。
    • 本发明系提供新颖的密度不均匀试料解析方法及设备、以及系统,乃借由在包含有:依照表示粒状物分布状态的拟合参数,利用采用表示X线散乱曲线的散乱函数,利用与实测X线散乱曲线之测量条件相同的条件,而计算出仿真X线散乱曲线的步骤;以及一边改变拟合参数,一边运行仿真X线散乱曲线与实测X线散乱曲线之拟合的步骤;且借由将仿真X线散乱曲线与实测X线散乱曲线为一致时的拟合参数值,设置为密度不均匀试料内的粒状物分布状态,而解析密度不均匀试料内之粒状物分布状态的密度不均匀试料解析方法中,实测X线散乱曲线为共平面绕射测量的共平面X线散乱曲线,并运行此共平面X线散乱曲线与仿真X线散乱曲线间的拟合,将仿真X线散乱曲线与共平面X线散乱曲线一致时的拟合参数值,设置为密度不均匀试料内之粒状物面内方向的分布状态。借此便可简单且正确的解析具非等向性之密度不均匀试料内的粒状物之面丙方向的分布状态。
    • 6. 发明专利
    • 鈰基研磨材料及鈰基研磨材料之評價方法
    • 铈基研磨材料及铈基研磨材料之评价方法
    • TW528796B
    • 2003-04-21
    • TW090129098
    • 2001-11-23
    • 三井金屬業股份有限公司
    • 山崎秀彥內野義嗣高橋和明
    • C09KC01FB24BG01N
    • B24D3/346C01F17/00C01F17/0043C01P2002/54C01P2002/72C01P2002/77C01P2002/78C09G1/02C09K3/1409G01N23/20
    • 本發明之目的係提供一種切削性更好的鈰基研磨材料而能夠形成高精度的研磨面。以及,提供一種比較簡易的鈰基研磨材料評價方法。為解決上述問題,在含有40重量%以上(全稀土類氧化物比)的氧化鈰的鈰基研磨材料中,包括相對於鈰基研磨材料重量而以原子重量換算氟元素0.5~10重量,同時地含有經由粉末X光繞射法所測定的晶格常數係0.544~0.560nm範圍的結晶的研磨粒子。還有,該鈰基研磨材料評價方法係包括根據由粉末X光繞射法來分析評價對象的鈰基研磨材料,在顯示既定的4個範圍的各區域的最大尖峰之中,至少求得1個最大尖峰的繞射角(θ),經由此而計算構成研磨粒子的結晶的晶格常數之過程。
    • 本发明之目的系提供一种切削性更好的铈基研磨材料而能够形成高精度的研磨面。以及,提供一种比较简易的铈基研磨材料评价方法。为解决上述问题,在含有40重量%以上(全稀土类氧化物比)的氧化铈的铈基研磨材料中,包括相对于铈基研磨材料重量而以原子重量换算氟元素0.5~10重量,同时地含有经由粉末X光绕射法所测定的晶格常数系0.544~0.560nm范围的结晶的研磨粒子。还有,该铈基研磨材料评价方法系包括根据由粉末X光绕射法来分析评价对象的铈基研磨材料,在显示既定的4个范围的各区域的最大尖峰之中,至少求得1个最大尖峰的绕射角(θ),经由此而计算构成研磨粒子的结晶的晶格常数之过程。